Компания Elpida лицензирует у Ovonyx технологию производства энергонезависимой памяти на основе фазового перехода состояний. Ожидается, что память, созданная по новой технологии, сможет заменить собой текущий тип — DRAM. Данное лицензионное соглашение подразумевает полное содействие со стороны Ovonyx по работе над памятью нового образца.
Надо отметить, что Elpida не первая компания, лицензирующая эту технологию у Ovonyx. До нее это уже сделали Intel и STMicroelectronics. Обе они пытались использовать обратимый процесс фазового перехода состояний из аморфного в кристаллическое состояние сплава сурьмы и германия. Соответствующее соглашение со стороны Intel было заключено с Ovonyx еще в феврале 2000 года, а STMicroelectronics сделала это еще двумя месяацами раньше. Однако ни одна из компаний пока не достигла желаемого результата — попытки создания 4 Мбит чипов памяти (ovonic unified memory) для Intel так и не увенчались успехом.
Elpida планирует использовать технологию фазового перехода состояний от Ovonyx для дальнейшего исследования и разработки новых особенностей памяти нового образца, которую выгодно будет отличать от DRAM высокая производительность и низкий уровень энергопотребления, что должно помочь при создании новых моделей мобильных устройств [телефонов, КПК, ноутбуков и др.]. Об этом сообщает Юко Сакамото (Yukio Sakamoto), — президент и исполнительный директор Elpida.
Правда, на сегодня компания не до конца выработала технологию и потому коммерциализация проекта еще даже не намечена .
Источник: EETimes