Основная мудрость рынка флэш-памяти гласит, что NOR-флэш – это NOR-флэш, а NAND-флэш – это NAND-флэш и им двоим никогда не встретиться. Реальность, однако, показывает совсем противоположное положение вещей: оба этих типа флэш-памяти используются в мобильных телефонах, причем, NAND-флэш начинает теснить NOR-флэш в традиционной области: хранение кода. Какой из этих типов флэш-памяти все же будет доминировать? Аналитики iSuppli предполагают, то никакой.
Большинство сегодняшних мобильных телефонов используют NOR-флэш для хранения кода, а SRAM или Pseudo SRAM – в качестве буферной или "рабочей" памяти. Однако, новые телефоны поколения 2.5 и 3 предъявляют к памяти особые требования, причем, в качестве альтернативы используется именно NAND-флэш. Ни для кого уже, наверное, не секрет, что новые телефоны будут выступать в роли не только коммуникационных устройств, но и в качестве MP3-плееров, КПК, цифровых фото- и видеокамер, то есть, быстро изменяются требования к обработке и хранению данных, что создает новую почву для конкурентной борьбы производителей флэш-памяти двух типов: с одной стороны – Intel и Spansion, голосующие за использование связки "NOR-флэш+ SRAM или PSRAM", с другой стороны – Samsung, Toshiba и иже с ними, предлагающие комбинацию "NAND-флэш+SDRAM".
С такой точки зрения NAND-флэш более выгодна, поскольку ее цена на 30% меньше, чем у NOR-флэш аналогичной плотности – даже при том, что в последнее время цена NAND-флэш растет. С другой стороны, NAND-флэш может использоваться для хранения как кода, так и данных – еще одно преимущество этого типа памяти. Samsung и Toshiba используют "теневую" архитектуру, когда данные и код, подлежащие обработке, загружаются из NAND-флэш в SDRAM. Такой подход помимо низкой цены решений предполагает высокую производительность при работе с мультимедийными приложениями из-за высокой скорости работы SDRAM. Наибольшим недостатком такой комбинации является задержка, возникающая при передаче данных из NAND-флэш в SDRAM и большое энергопотребление, поэтому это может стать отталкивающим фактором для производителей мобильных телефонов.
Другими словами, экономический фактор "компенсируется" производительностью, то есть, именно поэтому победителей и проигравших в борьбе за лидерство на рынке мобильных телефонов не будет. Далее, поскольку для производителей телефонов производительность гораздо важнее цены, комбинация NOR/SRAM/PSRAM более предпочтительно. Поскольку на рынке могут сосуществовать обе комбинации, оптимальная конфигурация памяти для рынка high-end телефонов – комбинирование NOR-флэш и NAND-флэш.
Одним из примеров удачной комбинации может стать телефон Samsung SGH-E100, в котором используется MCP-чип, сочетающий в себе 128 Мбит NOR-флэш для хранения кода, 128 Мбит NAND-флэш для хранения данных и PSRAM в качестве "рабочей" памяти.