В краткой заметке, размещенной на сайте Орегонского государственного университета (Oregon State University), США, сообщается о том, что ученым университета удалось создать прозрачный (светопроницаемый) транзистор. К сожалению, автор заметки не вдается в технологические подробности, ссылаясь на то, что они опубликованы в профессиональном журнале Applied Physics Letters. Основная часть заметки посвящена тому, какие преимущества даст развитие "прозрачной электроники" – создание прозрачных дисплеев, использование материала в качестве оконных стекол и тому подобные околонаучные... скажем так, соображения.
Технических подробностей о разработке нового транзистора приводится очень мало. В частности, сообщается, что материалом, на основе которого стала возможной такая технология, стал широко распространенный и недорогой оксид цинка. Транзистор, созданный учеными, представляет собой полупроводник n-типа, однако, в заметке нет ни намека на то, является ли он полевым транзистором с затвором n-типа или это биполярный транзистор с p-n-p проводимостью.
Словом, пока никакой конкретики, хотя, разработка, проводившаяся на грант от национального фона развития науки (National Science Foundation) и Центра армейских исследований (Army Research Office), уже запатентована. Более того, в настоящее время университет уже проводит консультации с ведущими производителями электроники на предмет реализации потенциальных возможностей этой разработки в конкретных изделиях. Возможно, со временем в печать проникнут дополнительные подробности об этой разработке.