Если кто помнит, на заре развития электронной промышленности существовало такое понятие, как гибридные микросхемы: интегральные схемы, в которых некоторые детали (конденсаторы и т. п.) были изготовлены по обычным, не полупроводниковым технологиям и располагались рядом, обычно на корпусе. Теперь чаще всего под гибридными подразумеваются интегральные микросхемы с оптическими или композитными компонентами. Многие компании ведут разработки в области создания гибридных чипов. Мы уже упоминали об одном таком подходе – склеивания чипов, изготовленных в разное время и по разным процессам и о подходе Intel в создании трехмерных чипов.
Еще с одним решением выступила на проходящей на этой неделе DesignCon 2003 компания Xanoptix: объединение разнородных полупроводниковых устройств в одну многослойную структуру, состоящую из арсенид-галлиевых (GaAs) и фосфидно-индиевых (InP) диодных лазеров и фотодетекторов, расположенных поверх логического чипа.
Ожидается, что в скором будущем мы увидим такие гибридные чипы в оптических трансиверах Xanoptix и партнеров: Analog Devices, Vitesse Semiconductor и Velio Communications.