На симпозиуме, собравшем более 400 лидирующих предприятий полупроводниковой отрасли, компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) обнародовала конкретные планы внедрения нового производственного процесса по нормам 65 нм. Первые пластины, полученные по технологии Nexsys, ожидаются в декабре 2005.
Уменьшение норм до 65 нм в производстве однокристальных систем позволяет разработчикам получить логические микросхемы с плотностью элементов, вдвое превосходящей показатели самой передовой на сегодня 90-нм технологии. Если пересчитать выигрыш в эквивалентное количество транзисторов, которые удастся дополнительно разместить на одной 12-дюймовой пластине, получится впечатляющая величина — 750 миллиардов штук!
Преимущества нового процесса заключаются не только в увеличении плотности ячеек по сравнению с Nexsys 90 нм; технология Nexsys 65 нм позволяет уменьшить толщину оксидного слоя затвора, что благоприятно сказывается на производительности транзисторов. С этой точки зрения, а также по потреблению энергии Nexsys 65 нм превосходит предшествующую технологию. Например, ожидается 20% снижение мощности, потребляемой в режиме ожидания, а высокоскоростным логическим микросхемам прочат роль лидера отрасли по соотношению потребляемой мощности к производительности.
В соответствии с запросами потребителей, первая продукция по 65-нм нормам, которая должна появиться в декабре 2005 года, будет оптимизирована по критерию энергопотребления. Варианты микросхем, для которых приоритетом будет высокая скорость работы, рассчитывают получить в 2006 году. За ними последует 65-нм процесс общего назначения. «Кремний на изоляторе» (SOI) и сверхвысокоскоростной вариант будут реализованы еще на год позже. Каждая из версий технологического процесса будет охватывать производство логических и аналогово-цифровых полупроводниковых приборов, в том числе — с встроенной памятью.
Первые образцы, выпущенные TSMC по нормам 65 нм, представляли собой полностью работоспособные ячейки SRAM, состоящие из 100 миллионов транзисторов. Они были переданы крупным потребителям, включая Altera Corp. для тестирования и использования в роли функциональных прототипов в своих разработках.
Nexsys 65 нм может оказаться первым поколением технологических процессов, использующих метод иммерсионной литографии, разработанной совместно TSMC и ASM Lithography. Будучи сторонником иммерсионного метода, компания TSMC в 2004 году запустила первую производственную линию, использующую иммерсионную литографию по нормам 193 нм. Это оборудование позволило более чем в два раза повысить глубину резкости по сравнению с сухой литографией. Новый процесс по нормам 65 нм будет запущен на основных 300-нм фабриках TSMC: Fab 12 и Fab 14.
TSMC — крупный производитель полупроводников, обладающий большим оптом и серьезными производственными мощностями: двумя фабриками по производству 12-дюймовых пластин, пятью — 8-дюймовых и одной — 6-дюймовых.