MoSys представила 1T-SRAM-Q: плотность статической памяти может стать в четыре раза выше

Компания MoSys сегодня представила свою новую технологию производства статической памяти, позволяющей добиться плотности памяти, большей плотности памяти в традиционных схемах до четырех раз. Соответственно, расшифровывается название довольно просто: 1Т – однотранзисторная, - статическая оперативная память и Q (Quad density) – четырехкратная.

Компания отмечает, что поскольку аппетиты у мобильных устройств на память постоянно растут, необходимо изыскивать способы уменьшения размеров ячеек памяти. На первом слайде представлено соотношение между общей площадью логических элементов на чипе и интегрированной памяти в пересчете на площадь одной ячейки однотранзисторной памяти.

MoSys представила 1T-SRAM-Q: плотность статической памяти может стать в четыре раза выше

Чтобы еще дальше уменьшить размер ячейки, компания решила использовать сложенный пополам конденсатор, чтобы тот занимал меньше места на чипе, но при этом расположив его так, чтобы он не мешал остальным элементам. При этом в процессе изготовления приходится использовать еще одну маску, но, как утверждает компания, общая стоимость производства 1T-SRAM-Q по сравнению с 1T-SRAM повысится не более чем на 5%.

MoSys представила 1T-SRAM-Q: плотность статической памяти может стать в четыре раза выше MoSys представила 1T-SRAM-Q: плотность статической памяти может стать в четыре раза выше

Размеры одной ячейки составляют порядка 0,5 и 0,28 мкм при производстве по 0,13 и 0,09-мкм нормам, что позволяет производить 128 и 256-Мбит чипы. Компания рассчитывает, что ее чипы найдут применение во многих мобильных устройствах: цифровых фото- и видеокамерах, сотовых телефонах, портативных и карманных ПК.

Автор:

Все новости за сегодня

Календарь

декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс