В твердотельных накопителях TMC BG3 NVMe объемом до 512 ГБ используется всего одна микросхема флэш-памяти

Это 64-слойная микросхема 3D TLC NAND BiCS FLASH в корпусе BGA

Компания Toshiba Memory Corporation (TMC) анонсировала выпуск твердотельных накопителей BG3. Накопители с интерфейсом PCIe Gen3 x 2 поддерживают NVMe. Серия включает SSD объемом 128, 256 и 512 ГБ. Особенностью этих SSD типоразмера M.2 является наличие на плате всего одной микросхемы флэш-памяти. Точнее говоря, в накопителях используется 64-слойная флэш-память 3D TLC NAND BiCS FLASH в корпусе BGA.

Это 64-слойная микросхема 3D TLC NAND BiCS FLASH в корпусе BGA

Для SSD BG3 характерна функция Host Memory Buffer (HMB), заключающаяся в использовании для кэширования не собственной памяти DRAM накопителя, а участка системной памяти. Это позволяет уменьшить размеры и энергопотребление SSD.

Скорость последовательного чтения достигает 1520 МБ/с, последовательной записи — 840 МБ/с.

Ознакомительные образцы новых SSD уже поставляются OEM-производителям персональных компьютеров. TMC обещает начать наращивать выпуск в четвертом квартале. Кроме того, запланирован выпуск моделей с поддержкой полного шифрования в поддержкой TCG Opal Version 2.01.

Автор:

| Источник: TMC

Все новости за сегодня

Календарь

август
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс