Fujitsu: FRAM уже в кремнии

Сегодня Fujitsu объявила об успешном начале массового производства сегнетоэлектрической памяти для длительного хранения данных (ferroelectric random access memory, FRAM) с использованием 0,35 мкм техпроцесса. Помимо этого, компания также анонсировала начало продаж новых многофункциональных микросхем MB94R202 с интегрированным 32-битным CPU и 512 Кбит (64 Кб) памяти FRAM.

Рынок применения новых чипов – тот же, где сейчас применяются EEPROM микросхемы, но у новинок от Fujitsu есть дополнительное преимущество – скорость записи FRAM примерно в 10 тысяч раз превосходит скорость записи EEPROM. К тому же, при записи FRAM потребляемая мощность составляет всего 1/400 от потребляемой мощности при записи EEPROM. Микросхема, по мнению создателей, найдет широкое применение при осуществлении электронных транзакций через интернет - в системах e-коммерции, где необходима персональная аутентификация открытыми ключами.

Образцы MB94R202 доступны уже сейчас по примерной цене 1200 иен ($9,75), массовое появление на рынке этих микросхем ожидается в январе 2002 года, примерный объем производства – до 1,5 млн. штук месяц.

3 августа 2001 в 15:08

Автор:

Все новости за сегодня

Календарь

август
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс