Huawei Technologies заявила на форуме IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS) 2026 в Шанхае, что в течение пяти лет её высокопроизводительные чипы смогут достичь плотности транзисторов, сопоставимой с уровнем технологий класса 1,4 нм.
Такой показатель считается одним из ориентиров будущего поколения передовых полупроводников и символизирует попытку Китая снизить зависимость от зарубежных технологий.
В компании при этом не привели независимых измерений производительности и не раскрыли подробностей реализации, однако сам ориентир выглядит амбициозным на фоне действующих ограничений на поставки оборудования для литографии и других ключевых элементов производства микросхем.
Для сравнения, TSMC уже использует 2-нм техпроцесс в серийном производстве и планирует переход к 1,4-нм технологии к 2028 году.
Ранее один из руководителей компании, Хэ Тинбо, рассказал о планах Huawei по повышению производительности процессоров Kirin 5G в этом году с помощью новой технологии «логического складывания» (Logic Folding).
SoC Kirin нового поколения с технологией «логического складывания» выйдет уже осенью 2026.