Компания Samsung Electronics сообщила о разработке технологии создания MCP-корпусов микросхем, позволяющих вмещать в одном корпусе до 8 чипов памяти разных типов. Предварительно известно, что данный метод корпусировки будет использоваться при разработке микросхем для мультимедийных телефонов новых поколений.
Как правило, с увеличением количества чипов в одном корпусе увеличивается толщина конечных микросхем, для преодоления этой проблемы корейская компания предложила технологию Wafer Supporting System (система поддержки пластин), позволяющую уменьшить толщину пластин уже в процессе обработки. При помощи предложенной технологии снижается как толщина кристалла, а также уменьшаются промежутки между слоями кристаллов в MCP-корпусе. В конечном итоге компания может создавать микросхемы суммарной плотностью 3,2 Гбит при толщине готовой микросхемы 1,4 мм, что равняется толщине существующих MCP-решений с 4 чипами памяти.
В новых MCP-корпусах могут размещаться чипы памяти всех типов, представленных сегодня на рынке, так, предложенный компанией образец (габариты микросхемы 11x11x1,4 мм) включает в себя два чипа NAND-флэш плотностью 1 Гбит, два чипа NOR-флэш плотностью 256 Мбит, два 256 Мбит чипа mobile DRAM, один 128 Мбит чип и один 64-Мбит чип UtRAM. Таким образом, корейский производитель имеет все шансы остаться лидером среди поставщиком микросхем памяти для мобильных телефонов третьего поколения – по оценкам iSuppli средний ежегодный темп роста этого рынка составит 87%.