Samsung Electronics объявила о начале массового производства 256 Мбит чипов RDRAM с использованием норм 0,15 мкм техпроцесса.
Благодаря переходу на более прецизионный техпроцесс, новых чипов K4R571669A, по словам представителей компании, помещается на каждой пластине на 30% больше, чем ранее. Помимо этого, уменьшенные размеры кристалла позволяют увеличить частоту обработки данных на 30%, доведя ее, таким образом, практически до 1 ГГц.
В планах компании – начало выпуска Rambus DRAM памяти с использованием норм 0,13 мкм техпроцесса уже к концу 2001 года, а также выпуск 4-банковой Rambus DRAM в течение первой половины 2002 года.