256 Мбит RDRAM чипы от Samsung, 0,15 мкм техпроцесс

Samsung Electronics объявила о начале массового производства 256 Мбит чипов RDRAM с использованием норм 0,15 мкм техпроцесса.

256 Мбит RDRAM чипы от Samsung, 0,15 мкм техпроцесс

Благодаря переходу на более прецизионный техпроцесс, новых чипов K4R571669A, по словам представителей компании, помещается на каждой пластине на 30% больше, чем ранее. Помимо этого, уменьшенные размеры кристалла позволяют увеличить частоту обработки данных на 30%, доведя ее, таким образом, практически до 1 ГГц.

В планах компании – начало выпуска Rambus DRAM памяти с использованием норм 0,13 мкм техпроцесса уже к концу 2001 года, а также выпуск 4-банковой Rambus DRAM в течение первой половины 2002 года.

Автор:

Все новости за сегодня

Календарь

август
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс