Hynix Semiconductor сегодня анонсировала семейство чипов DDR SDRAM, предназначенных для применения в графических картах различной производительности и различных ценовых категорий.
Чипы с организацией 4M x 16 имеют напряжение питания 2,5 В, рабочую частоту 183 МГц/200 МГц и изготавливаются с применением 0,16 мкм техпроцесса в стандартном 66-контактном корпусе TSOP-II. DDR SDRAM чипы с организацией 2M x 32 также имеют напряжение питания 2,5 В, но тактовую частоту до 250 МГц и выпускаются в корпусах QFP и FBGA. 128 Мбит чипы DDR SDRAM с организацией 4M x 32 имеют напряжение питания 2,5 В, тактовую частоту 183 МГц/250 МГц и выпускаются в корпусах QFP и FBGA.