Строительство большого завода Samsung по контрактному производству микросхем в Тейлоре (штат Техас) вышло на финишную прямую. Южнокорейский гигант официально подтвердил, что предприятие полностью готово к работе, а массовый выпуск передовых процессоров для сторонних заказчиков стартует уже в следующем году.
Заявление прозвучало из уст Маргарет Хан (Margaret Han), вице-президента подразделения контрактного производства полупроводников Samsung в США. Выступая на форуме Samsung Advanced Foundry Ecosystem Forum в американской штаб-квартире компании, она лаконично резюмировала статус проекта: «Мы готовы. Клиенты начнут производство на фабрике в Тейлоре со следующего года».
Samsung заложила первый камень в основание этой фабрики еще в 2022 году. Согласно актуальным прогнозам, суммарный объем инвестиций в проект превысит 17 миллиардов долларов.
Буквально в первом квартале текущего года руководство компании в ходе финансового отчета аккуратно заявляло, что объект все еще находится в стадии строительства, однако конечная цель оставалась неизменной — ввести фабрику в эксплуатацию до конца текущего года. Судя по всему, этот график удается соблюдать.
Одним из ключевых заказчиков, ради которых и разворачиваются новые мощности на американской земле, станет автомобильный гигант Tesla. Компания Илона Маска уже подписала с Samsung колоссальный контракт на сумму 16,5 миллиардов долларов. В рамках этого соглашения техасский завод будет выпускать специализированные чипы нового поколения Tesla AI5 и Tesla AI6, отвечающие за работу систем автопилота и искусственного интеллекта в электромобилях. Производство будет осуществляться по самому передовому на сегодняшний день 2-нанометровому технологическому процессу.
В ближайшем будущем на заводе в Техасе начнется развертывание улучшенного 2-нанометрового техпроцесса второго поколения. Эта модификация архитектуры была тщательно доработана и оптимизирована специально под тяжелые ИИ-нагрузки (алгоритмы искусственного интеллекта и нейросети). По заявлениям компании, такая модернизация способна обеспечить прирост производительности чипов вплоть до 30%.