0,11 мкм. От Fujitsu

Fujitsu Microelectronics America (американское отделение компании), 10 октября намерена представить разработанный ею 0,11 мкм CMOS техпроцесс. Компания заявила, что готова производить пластины по этому техпроцессу уже в начале 2002 года.

Суть технологии, заключается в использовании диоксида кобальта (CoO2) наряду с медными соединениями. Было бы любопытно узнать, фотошаблоны какого поколения будут использоваться при этом процессе - DUV или уже EUV? Однако, эту сторону вопроса Fujitsu пока не озвучила.

Известные подробности: напряжение ядра – 1,2 В, аналоговые и I/O цепи – 2,5 и 3,3 В.

Так же планируется представить новую технологию выпуска дисплеев, ориентированную на 0,35 мкм техпроцесс (ЖК-кристаллы на кремниевой подложке, Liquid Crystal on Silicon, LCOS) для производства CMOS сенсоров, а также высоковольтный 0,65 мкм и 0,5 мкм техпроцесс.

Мы обязательно проследим за подробностями этого события, ибо промышленного внедрения 0,11 мкм в 2002 году пока не обещал еще ни кто...

Автор:

Все новости за сегодня

Календарь

октябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31