Samsung сообщила о выпуске первых 256 Мбит чипов NAND флэш-памяти с 16-разрядной шиной ввода/вывода, напряжением питания 1,8 В, с использованием норм 0,15 мкм технологического процесса.
Новые чипы имеют размеры 9 x 11 x 0,8 мм, предназначены для использования в новых поколениях мобильных продуктов в тандеме с SDRAM или UtRAM в MCP упаковке и, по заявлению Samsung, полностью соответствуют требованиям JEDEC к такому типу памяти.