По словам представителей компании, такие устройства на 1 ТГц транзисторах будут иметь плотность энергии больше, чем в ядерном реакторе. Однако компания заявила, что с помощью технологии уменьшения энергопотребления она не собирается выходить за современные рамки рассеиваемой мощности.
Новый процесс будет основан на замене двуокиси кремния в подложке на специальные слои с высоким числом К (не путать с межтранзисторными диэлектриками, там нужно как раз низкое число K). Новая подложка может улучшить напряжение рассеивания в 10 тыс. раз так, чтобы транзисторы с затвором размером всего в 15-20 нм смогли работать на напряжении, меньшем вольта. Кроме того, Intel будет использовать новое поколение SOI, названое "ультра-тонким" SOI, который сможет уменьшить переходную емкость в два раза по сравнению с обычным SOI.
Также компания сделала заявление, что она побила свой же рекорд, создав прототип 15 нм CMOS транзистора, работающего на 0,8 В и способного достичь скорости перехода из режима насыщения в режим отсечки за 0,38 пс (то есть 2,68 трлн. раз в секунду).
На самом деле, за всеми этими заявлениями стоит одно - компания хочет показать всем, что вызовы брошенные, казалось бы, пределами кремниевой CMOS технологии будут ей успешно преодолены, и что закон Мура будет действовать еще долго.
Для того, чтобы достигнуть этого, нужно новое литографическое оборудование. Внимательный читатель знает, что Intel решила пойти по пути EUV. Чипы, произведенные с использованием EUV появятся в 2005 - 2006 году.
Аналитики дружно говорят, что Intel решила "взять на себя" роль технологического лидера. Однако, один такой уже есть - это IBM Microelectronics, с которой еще придется потягаться. Скорее всего, подобного рода "технологические откровения" мы в ближайшие годы услышим от обеих компаний.
Источник: EE Times