Samsung начинает массовое производство 14-нанометровой памяти DRAM DDR5 с применением EUV

Новый пятиуровневый процесс EUV обеспечивает самую высокую в отрасли плотность хранения

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства 14-нанометровой памяти DRAM с применением фотолитографии в жёстком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). В марте прошлого года компания поставила первую в отрасли память EUV DRAM. С тех пор количество слоёв, формируемых с помощью EUV, увеличено до пяти. По словам производителя, это наиболее передовой техпроцесс в отрасли.

Он обеспечивает максимальную на сегодняшний день плотность хранения, позволяя получить с одной пластины примерно на 20% больший объём памяти. Кроме того, 14-нанометровый техпроцесс может помочь снизить энергопотребление почти на 20% по сравнению с предыдущим поколением.

Samsung начинает массовое производство 14-нанометровой памяти DRAM DDR5 с применением EUV

По словам Samsung, новая память поможет получить «беспрецедентные скорости» до 7,2 Гбит/с, более чем вдвое превышающие максимальную скорость DDR4, равную 3,2 Гбит/с.

Samsung планирует выпускать новую память DDR5 для центров обработки данных, суперкомпьютеров и корпоративных серверов. Кроме того, запланировано увеличение плотности кристаллов до 24 Гбит.

12 октября 2021 в 13:06

Автор:

| Источник: Samsung

Все новости за сегодня

Календарь

октябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31