Исследование основных характеристик модулей памяти

Часть 9: Модули Samsung DDR2-667


Продолжается цикл статей, посвященный изучению важнейших характеристик модулей памяти DDR2 на низком уровне с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. В настоящей статье будут рассмотрены сразу два типа модулей памяти Samsung DDR2-667, представленных парами 256-МБ и 512-МБ образцов.

Информация о производителе модулей

Производитель модулей и микросхем: Samsung Semiconductor
Сайт производителя модулей и микросхем:
www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/DDR2SDRAM/index.htm

Внешний вид модулей

Фото модулей памяти

256-МБ модули

512-МБ модули

Фото микросхем памяти

Микросхемы 256-МБ модулей Микросхемы 512-МБ модулей

Part Number модулей и микросхем

Part Number модулей

Система назначения Part Number модулей памяти Samsung DDR SDRAM:
www.samsung.com/Products/Semiconductor/Support/Label_CodeInfo/
DDR_SDRAM_Module.pdf

256-МБ модули


Поле Значение Расшифровка
1 M Код продукта: «M» = модуль памяти
2 3 Конфигурация модуля: «3» = 4/8-байтовый DIMM
3-4 78 Разрядность и тип модуля: «78» = x64, 240-контактный Unbuffered DIMM
5 T Разновидность, питающее напряжение: «T» = DDR2, 1.8 V
6-7 32 Глубина модуля: «32» = 32М
8 5 Кол-во банков в микросхемах, интерфейс, период регенерации:
«5» = 4 банка, SSTL(1.8V, 1.8V), 7.8 мкс
9 3 Конфигурация микросхем: «3» = x8
10 F Поколение микросхем: «F» = 7-е поколение
11 G Упаковка микросхем: «G» = FBGA
12 0 Ревизия и тип PCB: «0» = отсутствует
13 (пропуск)
14 C Мощность: «C» = нормальная, поддерживается саморегенерация
15-16 E6 Скорость: «E6» = 3.0 нс, CL=5
17-18 0F (по данным SPD) Особые условия (Customer List Reference)

512-МБ модули


Поле Значение Расшифровка
1 M Код продукта: «M» = модуль памяти
2 3 Конфигурация модуля: «3» = 4/8-байтовый DIMM
3-4 78 Разрядность и тип модуля: «78» = x64, 240-контактный Unbuffered DIMM
5 T Разновидность, питающее напряжение: «T» = DDR2, 1.8 V
6-7 64 Глубина модуля: «64» = 64М
8 5 Кол-во банков в микросхемах, интерфейс, период регенерации:
«5» = 4 банка, SSTL(1.8V, 1.8V), 7.8 мкс
9 3 Конфигурация микросхем: «3» = x8
10 F Поколение микросхем: «F» = 7-е поколение
11 G Упаковка микросхем: «G» = FBGA
12 0 Ревизия и тип PCB: «0» = отсутствует
13 (пропуск)
14 C Мощность: «C» = нормальная, поддерживается саморегенерация
15-16 E6 Скорость: «E6» = 3.0 нс, CL=5
17-18 0F (по данным SPD) Особые условия (Customer List Reference)

Part Number микросхем

Система назначения Part Number микросхем памяти Samsung DDR2:
www.samsung.com/Products/Semiconductor/Support/Label_CodeInfo/
DDR2_code.pdf

Микросхемы 256/512-МБ модулей

Поле Значение Расшифровка
1 K Код продукта: «M» = модуль памяти
2 4 Тип продукта: «4» = DRAM
3 T Подтип продукта: «T» = DDR2 SDRAM
4-5 56 Емкость: «56» = 256М
6-7 08 Логическая организация: «08» = x8
8 3 Количество внутренних банков: «3» = 4 банка
9 Q Питающий интерфейс, VDD, VDDQ: «Q» = SSTL, 1.8V, 1.8V
10 F Поколение: «F» = 7-е поколение
11 (пропуск)
12 G Упаковка: «G» = FBGA
13 C Температурный режим, энергопотребление: «C» = нормальный
14-15 E6 Скорость: «E6» = DDR2-667 (333 МГц, tCL=5, tRCD=5, tRP=5)
16 (пусто) Тип комплектования
17-18 (пусто) Особые условия (Customer List Reference)

Расшифровки Part Number рассматриваемых модулей и микросхем (оба модуля комплектуются одними и теми же 32Мx8 микросхемами памяти) выглядят практически безупречно, каких-либо «нестыковок» между расшифровками номеров модулей и микросхем не наблюдается.

Данные микросхемы SPD модуля

Описание общего стандарта SPD:

Описание специфического стандарта SPD для DDR2:

Содержимое SPD 256-МБ модулей

Параметр Байт Значение Расшифровка
Фундаментальный тип памяти 2 08h DDR2 SDRAM
Общее количество адресных линий строки модуля 3 0Dh 13 (RA0-RA12)
Общее количество адресных линий столбца модуля 4 0Ah 10 (CA0-CA9)
Общее количество физических банков модуля памяти 5 60h 1 физический банк
Внешняя шина данных модуля памяти 6 40h 64 бит
Уровень питающего напряжения 8 05h SSTL 1.8V
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X) 9 30h 3.00 нс (333.3 МГц)
Тип конфигурации модуля 11 00h Non-ECC
Тип и способ регенерации данных 12 82h 7.8125 мс — 0.5x сокращенная саморегенерация
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти 13 08h x8
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля 14 00h Не определено
Длительность передаваемых пакетов (BL) 16 0Ch BL = 4, 8
Количество логических банков каждой микросхемы в модуле 17 04h 4
Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) 18 38h CL = 3, 4, 5
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) 23 3Dh 3.75 нс (266.7 МГц)
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) 25 50h 5.00 нс (200.0 МГц)
Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) 27 3Ch 15.0 нс
5, CL = 5
4, CL = 4
3, CL = 3
Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD) 28 1Eh 7.5 нс
3, CL = 5
2, CL = 4
1.5, CL = 3
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) 29 3Ch 15.0 нс
5, CL = 5
4, CL = 4
3, CL = 3
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) 30 27h 39.0 нс
13, CL = 5
10, CL = 4
8, CL = 3
Емкость одного физического банка модуля памяти 31 40h 256 МБ
Период восстановления после записи (tWR) 36 3Ch 15.0 нс
5, CL = 5
4, CL = 4
3, CL = 3
Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR) 37 1Eh 7.5 нс
3, CL = 5
2, CL = 4
1.5, CL = 3
Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP) 38 1Eh 7.5 нс
3, CL = 5
2, CL = 4
1.5, CL = 3
Минимальное время цикла строки (tRC) 41, 40 36h, 00h 54.0 нс
18, CL = 5
14, CL = 4
11, CL = 3
Период между командами саморегенерации (tRFC) 42, 40 4Bh, 00h 75.0 нс
25, CL = 5
20, CL = 4
15, CL = 3
Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax) 43 80h 8.0 нс
Номер ревизии SPD 62 12h Ревизия 1.2
Контрольная сумма байт 0-62 63 09h 9 (верно)
Идентификационный код производителя по JEDEC 64-71 CEh Samsung
Part Number модуля 73-90 M3 78T3253FG0-CE6 0F
Дата изготовления модуля 93-94 04h, 44h 2004 год, 44 неделя
Серийный номер модуля 95-98 45h, 05h,
B3h, FFh
FFB30545h

Содержимое SPD 512-МБ модулей

Параметр Байт Значение Расшифровка
Фундаментальный тип памяти 2 08h DDR2 SDRAM
Общее количество адресных линий строки модуля 3 0Dh 13 (RA0-RA12)
Общее количество адресных линий столбца модуля 4 0Ah 10 (CA0-CA9)
Общее количество физических банков модуля памяти 5 61h 2 физических банка
Внешняя шина данных модуля памяти 6 40h 64 бит
Уровень питающего напряжения 8 05h SSTL 1.8V
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X) 9 30h 3.00 нс (333.3 МГц)
Тип конфигурации модуля 11 00h Non-ECC
Тип и способ регенерации данных 12 82h 7.8125 мс — 0.5x сокращенная саморегенерация
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти 13 08h x8
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля 14 00h Не определено
Длительность передаваемых пакетов (BL) 16 0Ch BL = 4, 8
Количество логических банков каждой микросхемы в модуле 17 04h 4
Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) 18 38h CL = 3, 4, 5
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) 23 3Dh 3.75 нс (266.7 МГц)
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) 25 50h 5.00 нс (200.0 МГц)
Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) 27 3Ch 15.0 нс
5, CL = 5
4, CL = 4
3, CL = 3
Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD) 28 1Eh 7.5 нс
3, CL = 5
2, CL = 4
1.5, CL = 3
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) 29 3Ch 15.0 нс
5, CL = 5
4, CL = 4
3, CL = 3
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) 30 27h 39.0 нс
13, CL = 5
10, CL = 4
8, CL = 3
Емкость одного физического банка модуля памяти 31 40h 256 МБ
Период восстановления после записи (tWR) 36 3Ch 15.0 нс
5, CL = 5
4, CL = 4
3, CL = 3
Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR) 37 1Eh 7.5 нс
3, CL = 5
2, CL = 4
1.5, CL = 3
Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP) 38 1Eh 7.5 нс
3, CL = 5
2, CL = 4
1.5, CL = 3
Минимальное время цикла строки (tRC) 41, 40 36h, 00h 54.0 нс
18, CL = 5
14, CL = 4
11, CL = 3
Период между командами саморегенерации (tRFC) 42, 40 4Bh, 00h 75.0 нс
25, CL = 5
20, CL = 4
15, CL = 3
Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax) 43 80h 8.0 нс
Номер ревизии SPD 62 12h Ревизия 1.2
Контрольная сумма байт 0-62 63 09h 9 (верно)
Идентификационный код производителя по JEDEC 64-71 CEh Samsung
Part Number модуля 73-90 M3 78T6453FG0-CE6 0F
Дата изготовления модуля 93-94 04h, 45h 2004 год, 45 неделя
Серийный номер модуля 95-98 45h, 07h,
B7h, FFh
FFB70745h

Данные микросхемы SPD 256-МБ и 512-МБ модулей выглядят практически идентично — единственное значимое различие наблюдается лишь в количестве банков, что полностью соответствует внешнему виду исследуемых образцов (256-МБ модули однобанковые, 512-МБ — двухбанковые, физический банк состоит из восьми микросхем 32М x8). Модули Samsung DDR2-667 способны функционировать при трех различных величинах задержки CAS#: 5, 4 и 3. Соответствующие этим случаям временные (частотные) режимы функционирования модулей — 3.0 нс (333 МГц), 3.75 нс (266 МГц) и 5.0 нс (200 МГц), а соответствующие схемы важнейших таймингов — 5-5-5-13 (значение последнего тайминга tRAS, надо заметить, несколько сокращено по сравнению со «стандартным» значением 15), 4-4-4-10 (при условии округления tRAS в меньшую сторону) и 3-3-3-8 (аналогично). Из «необычностей» следует отметить использование номера новейшей ревизии SPD модулей DDR2 1.2 (еще не представленной документально на сайте JEDEC). Всевозможные номера — Part Number, дата изготовления и серийный номер — полностью прописаны и соответствуют действительности, что говорит о пунктуальности производителя и создает образ высокого качества продукции.

Конфигурации тестовых стендов и ПО

Тестовый стенд №1

  • Процессор: Intel Pentium 4 3.6 ГГц (ядро Prescott E0, 1 МБ L2)
  • Чипсет: Intel 925X
  • Материнская плата: Gigabyte 8ANXP-D, версия BIOS от 06/07/2004
  • Память: 2x256 МБ Samsung DDR2-667; 2x512 МБ Samsung DDR2-667 в режиме DDR2-533
  • Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
  • HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
  • Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.2.1.1001, DirectX 9.0c

Тестовый стенд №2

  • Процессор: Intel Pentium 4 3.6 ГГц (ядро Prescott E0, 1 МБ L2)
  • Чипсет: Intel 925X
  • Материнская плата: MSI 925X Neo, версия BIOS от 12/16/2004
  • Память: 2x256 МБ Samsung DDR2-667; 2x512 МБ Samsung DDR2-667 в режиме DDR2-533
  • Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
  • HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
  • Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.2.1.1001, DirectX 9.0c

Тестовый стенд №3

  • Процессор: Intel Pentium 4 3.6 ГГц (ядро Prescott E0, 1 МБ L2)
  • Чипсет: Intel 925XE
  • Материнская плата: ECS PF21 Extreme, версия BIOS F2 от 12/07/2004
  • Память: 2x256 МБ Samsung DDR2-667; 2x512 МБ Samsung DDR2-667 в режиме DDR2-533
  • Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
  • HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
  • Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.2.1.1001, DirectX 9.0c

Тестовый стенд №4

  • Процессор: Intel Pentium 4 3.6 ГГц (ядро Prescott E0, 1 МБ L2)
  • Чипсет: Intel 925XE
  • Материнская плата: Gigabyte 8AENXP-D, версия BIOS F2 от 01/04/2005
  • Память: 2x256 МБ Samsung DDR2-667; 2x512 МБ Samsung DDR2-667 в режиме DDR2-533
  • Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
  • HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
  • Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.2.1.1001, DirectX 9.0c

Тестовый стенд №5

  • Процессор: Intel Pentium 4 3.6 ГГц (ядро Prescott E0, 1 МБ L2) на частоте 3.73 ГГц (266 МГц x14)
  • Чипсет: Intel 925XE
  • Материнская плата: ECS PF21 Extreme, версия BIOS от 12/07/2004
  • Память: 2x256 МБ Samsung DDR2-667; 2x512 МБ Samsung DDR2-667 в режиме DDR2-533
  • Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
  • HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
  • Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.2.1.1001, DirectX 9.0c

Тестовый стенд №6

  • Процессор: Intel Pentium 4 3.6 ГГц (ядро Prescott E0, 1 МБ L2) на частоте 3.73 ГГц (266 МГц x14)
  • Чипсет: Intel 925XE
  • Материнская плата: Gigabyte 8AENXP-D, версия BIOS F2 от 01/04/2005
  • Память: 2x256 МБ Samsung DDR2-667; 2x512 МБ Samsung DDR2-667 в режиме DDR2-533
  • Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
  • HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
  • Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.2.1.1001, DirectX 9.0c

Результаты тестирования

Тесты производительности

Несмотря на отмеченную выше схему таймингов 4-4-4-10 для случая DDR2-533, полученную округлением значения tRAS в меньшую сторону, в первой серии тестов все материнские платы выставили по умолчанию (Memory Timings: «by SPD») схему 4-4-4-11. Как бы там ни было, выставленное в настройках чипсета значение последнего параметра рассматриваемыми модулями памяти, как и большинством других, игнорируется, в чем мы убедились в следующей серии тестов.

Тесты 256-МБ модулей

Параметр Стенд 1 Стенд 2 Стенд 3 Стенд 4 Стенд 5* Стенд 6*
Тайминги 4-4-4-11 4-4-4-11 4-4-4-11 4-4-4-11 4-4-4-11 4-4-4-11
Средняя ПСП на чтение, МБ/с 4987 5548 5551 5570 6926 6840
Средняя ПСП на запись, МБ/с 1929 2017 1983 1946 2248 2252
Макс. ПСП на чтение, МБ/с 6474 6376 6446 6394 8214 8045
Макс. ПСП на запись, МБ/с 4287 4265 4256 4287 5694 5662
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс 47.7 50.1 50.3 50.1 43.0 43.5
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс 54.4 57.5 57.7 57.4 50.3 50.8
Минимальная латентность случайного доступа**, нс 117.6 117.8 118.1 117.1 105.8 106.6
Максимальная латентность случайного доступа**, нс 135.2 135.5 136.1 134.7 123.3 124.3
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
77.9 78.2 78.5 77.4 66.4 67.2
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
97.9 96.9 99.1 96.2 87.0 87.9
Минимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
118.5 118.7 119.1 117.9 106.4 107.3
Максимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
138.5 138.2 139.1 137.3 126.0 127.1

*частота FSB 266.7 МГц
**размер блока 16 МБ

Тесты 512-МБ модулей

Параметр Стенд 1 Стенд 2 Стенд 3 Стенд 4 Стенд 5* Стенд 6*
Тайминги 4-4-4-11 4-4-4-11 4-4-4-11 4-4-4-11 4-4-4-11 4-4-4-11
Средняя ПСП на чтение, МБ/с 5001 5584 5586 5608 6978 6949
Средняя ПСП на запись, МБ/с 2403 2418 2400 2424 2720 2673
Макс. ПСП на чтение, МБ/с 6484 6442 6458 6433 8288 8184
Макс. ПСП на запись, МБ/с 4287 4265 4256 4287 5695 5688
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс 47.6 50.0 50.2 49.9 43.0 43.0
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс 54.4 57.4 57.5 57.2 50.2 50.2
Минимальная латентность случайного доступа**, нс 116.5 116.7 117.1 116.1 104.4 104.6
Максимальная латентность случайного доступа**, нс 134.3 134.3 135.1 133.7 122.0 121.8
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
77.9 78.1 78.3 77.5 66.4 66.3
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
97.8 96.9 97.2 96.3 86.7 86.8
Минимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
117.3 117.4 117.8 116.9 105.0 105.2
Максимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
137.1 137.5 137.5 136.5 123.8 124.1

*частота FSB 266.7 МГц
**размер блока 16 МБ

Интересно отметить, что двухбанковые 512-МБ модули по большинству параметров (в частности, средней ПСП на чтение и запись) показывают некоторое преимущество перед однобанковыми 256-МБ образцами. Ощутимое отставание системной платы Gigabyte 8ANXP-D (стенд №1) с чипсетом i925X по величинам средней ПСП на чтение по сравнению с другими платами на чипсетах семейства i925X/XE можно объяснить использованием более ранней версией BIOS, которая, по всей вероятности, не включает «режим производительности» (PAT) контроллера памяти. Платы MSI 925X Neo (стенд №2), ECS PF21 Extreme (стенд №3) и Gigabyte 8AENXP-D (стенд №4) при функционировании на штатной частоте FSB 200 МГц показывают примерно равный результат. При функционировании двух последних с частотой системной шины 266 МГц плата ECS PF21 Extreme (стенд №5) демонстрирует небольшое преимущество над Gigabyte 8AENXP-D (стенд №6).

Тесты стабильности

Значения таймингов, за исключением tCL, варьировались «на ходу» благодаря встроенной в тестовый пакет RMMA возможности динамического изменения поддерживаемых чипсетом настроек подсистемы памяти. Устойчивость функционирования подсистемы памяти определялась с помощью специально разработанной нами вспомогательной утилиты, которая вскоре выйдет в свет в виде отдельного приложения, поставляемого вместе с тестовым пакетом RMMA.

Тесты 256-МБ модулей

Параметр Стенд 1 Стенд 2 Стенд 3 Стенд 4 Стенд 5* Стенд 6*
Тайминги 3-4-4 3-3-4 3-4-4 3-4-4 3-4-4 3-4-4
Средняя ПСП на чтение, МБ/с 5169 5645 5593 5674 7042 7003
Средняя ПСП на запись, МБ/с 2018 2254 2197 2032 2472 2292
Макс. ПСП на чтение, МБ/с 6506 6426 6466 6453 8245 8125
Макс. ПСП на запись, МБ/с 4287 4265 4256 4287 5694 5667
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс 46.0 48.5 48.8 48.1 41.3 41.4
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс 52.3 55.3 55.6 54.9 47.9 48.2
Минимальная латентность случайного доступа**, нс 114.4 110.4 115.5 114.2 102.4 103.4
Максимальная латентность случайного доступа**, нс 131.8 129.0 132.8 131.5 119.8 121.2
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
76.0 75.9 76.8 75.7 64.0 64.2
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
95.4 95.1 97.3 94.2 83.3 83.4
Минимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
115.3 111.0 116.2 114.8 103.4 103.8
Максимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
135.1 130.6 136.4 134.4 121.4 122.7

*частота FSB 266.7 МГц
**размер блока 16 МБ

Тесты 512-МБ модулей

Параметр Стенд 1 Стенд 2 Стенд 3 Стенд 4 Стенд 5* Стенд 6*
Тайминги 3-4-4 3-3-4 3-4-4 3-4-4 3-4-4 3-4-4
Средняя ПСП на чтение, МБ/с 5188 5674 5637 5683 7114 7009
Средняя ПСП на запись, МБ/с 2429 2369 2396 2452 2722 2698
Макс. ПСП на чтение, МБ/с 6507 6430 6481 6465 8341 8153
Макс. ПСП на запись, МБ/с 4287 4265 4256 4287 5695 5667
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс 46.0 48.5 48.6 48.1 41.0 41.4
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс 52.4 55.3 55.5 55.0 47.8 48.2
Минимальная латентность случайного доступа**, нс 113.4 109.4 114.3 113.2 101.2 102.3
Максимальная латентность случайного доступа**, нс 130.7 127.9 131.7 130.3 118.7 119.8
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
76.1 76.4 76.7 75.5 63.5 64.2
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
95.1 95.1 95.5 94.1 82.5 83.4
Минимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
114.2 110.4 115.0 113.8 101.8 102.7
Максимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
134.3 129.7 134.4 133.2 119.5 120.9

*частота FSB 266.7 МГц
**размер блока 16 МБ

Минимальные значения таймингов, достижимые для обоих видов модулей в режиме DDR2-533 на большинстве материнских плат — 3-4-4, являются весьма умеренными, особенно если учесть, что исследуемые модули рассчитаны на режим DDR2-667. Кроме того, на материнской плате MSI 925X Neo (стенд №2) как 256-МБ, так и 512-МБ модули позволили выставить схему таймингов 3-3-4, что незамедлительно сказалось на снижении латентности случайного доступа примерно на 5 нс относительно значений, полученных на других материнских платах при прочих равных условиях (стенды №1, №3 и №4).

Итоги

Протестированные образцы 256-МБ и 512-МБ модулей памяти Samsung DDR2-667 обладают хорошей совместимостью с использованными моделями материнских плат на чипсетах i925X и i925XE, хорошей производительностью (величины ПСП и латентностей типичны для высокопроизводительных модулей, функционирующих в режиме DDR2-533) и умеренным «разгонным потенциалом» по таймингам (функционируют при уменьшении величины tCL на единицу относительно номинала на всех системных платах, принявших участие в исследовании). Кроме того, нельзя не отметить тщательный и пунктуальный подход производителя к маркировкам модулей, микросхем и содержимому микросхемы SPD модулей, что создает образ высокого качества продукции.

Модули памяти Samsung DDR2-667 предоставлены компаниями MERLION и ZEON




Дополнительно

iXBT BRAND 2016

«iXBT Brand 2016» — Выбор читателей в номинации «Процессоры (CPU)»:
Подробнее с условиями участия в розыгрыше можно ознакомиться здесь. Текущие результаты опроса доступны тут.

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.