Исследование основных характеристик модулей памяти. Часть 22: Модули Patriot DDR2-1000
Мы продолжаем изучение важнейших характеристик высокоскоростных модулей DDR2 на низком уровне с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. Сегодня мы рассмотрим очередное предложение неофициальной скоростной категории «DDR2-1000» двухканальный комплект модулей памяти Patriot суммарным объемом 1 ГБ.
Информация о производителе модуля
Производитель модуля: PDP Systems, Inc.
Производитель микросхем модуля: неизвестен
Сайт производителя модуля: http://www.patriotmem.com/products/index.jsp?source=2
Внешний вид модуля
Фото модуля памяти
Part Number модуля
Расшифровка Part Number модуля
Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR2 на сайте производителя отсутствует. На странице web-сайта производителя, посвященной данным модулям, указывается, что продукт представляет собой комплект из двух модулей объемом 512МБ каждый, рассчитанных на функционирование в режиме DDR2-1000 при таймингах 5-5-5-15 и питающем напряжении до 2.3 В.
Данные микросхемы SPD модуля
Описание общего стандарта SPD:
Описание специфического стандарта SPD для DDR2:
| Параметр |
Байт |
Значение |
Расшифровка |
| Фундаментальный тип памяти |
2 |
08h |
DDR2 SDRAM |
| Общее количество адресных линий строки модуля |
3 |
0Eh |
14 (RA0-RA13) |
| Общее количество адресных линий столбца модуля |
4 |
0Ah |
10 (CA0-CA9) |
| Общее количество физических банков модуля памяти |
5 |
60h |
1 физический банк |
| Внешняя шина данных модуля памяти |
6 |
40h |
64 бит |
| Уровень питающего напряжения |
8 |
05h |
SSTL 1.8V |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X) |
9 |
20h |
2.00 нс (500.0 МГц) |
| Тип конфигурации модуля |
11 |
00h |
Non-ECC |
| Тип и способ регенерации данных |
12 |
82h |
7.8125 мс 0.5x сокращенная саморегенерация |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти |
13 |
08h |
x8 |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля |
14 |
00h |
Не определено |
| Длительность передаваемых пакетов (BL) |
16 |
0Ch |
BL = 4, 8 |
| Количество логических банков каждой микросхемы в модуле |
17 |
04h |
4 |
| Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) |
18 |
30h |
CL = 5, 4 |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) |
23 |
25h |
2.50 нс (400.0 МГц) |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) |
25 |
00h |
Не определено |
| Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) |
27 |
28h |
10.0 нс 5.0, CL = 5 4.0, CL = 4 |
| Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD) |
28 |
1Eh |
7.5 нс 3.75, CL = 5 3.0, CL = 4 |
| Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) |
29 |
28h |
10.0 нс 5.0, CL = 5 4.0, CL = 4 |
| Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) |
30 |
1Eh |
30.0 нс 15.0, CL = 5 12.0, CL = 4 |
| Емкость одного физического банка модуля памяти |
31 |
80h |
512 МБ |
| Период восстановления после записи (tWR) |
36 |
3Ch |
15.0 нс 7.5, CL = 5 6.0, CL = 4 |
| Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR) |
37 |
1Eh |
7.5 нс 3.75, CL = 5 3.0, CL = 4 |
| Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP) |
38 |
1Eh |
7.5 нс 3.75, CL = 5 3.0, CL = 4 |
| Минимальное время цикла строки (tRC) |
41, 40 |
37h, 00h |
55.0 нс 27.5, CL = 5 22.0, CL = 4 |
| Период между командами саморегенерации (tRFC) |
42, 40 |
4Bh, 00h |
75.0 нс 37.5, CL = 5 30.0, CL = 4 |
| Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax) |
43 |
80h |
8.0 нс |
| Номер ревизии SPD |
62 |
00h |
Не определено |
| Контрольная сумма байт 0-62 |
63 |
20h |
32 (верно) |
| Идентификационный код производителя по JEDEC |
64-71 |
7Fh, 7Fh, 7Fh, 7Fh 7Fh, 02h |
PDP Systems |
| Part Number модуля |
73-90 |
|
Не определено |
| Дата изготовления модуля |
93-94 |
00h, 00h |
Не определено |
| Серийный номер модуля |
95-98 |
00h, 00h, 00h, 00h |
Не определено |
Несмотря на нестандартность самого режима DDR2-1000, содержимое SPD рассматриваемых модулей запрограммировано в хорошем соответствии со стандартом JEDEC. Максимальный скоростной режим, на который рассчитаны модули, соответствует заявленному DDR2-1000, т.к. характеризуется временем цикла 2.0 нс (частота 500 МГц). Этому режиму соответствует первое из поддерживаемых значений tCL = 5, а полная схема таймингов записывается в виде 5-5-5-15, что также соответствует заявленным характеристикам модулей. Уменьшенному значению задержки сигнала CAS# (CL X-1 = 4) соответствует период синхросигнала 2.5 нс, т.е. частота 400 МГц (стандартный режим DDR2-800). Полная схема таймингов в этом случае записывается как 4-4-4-12 что можно считать удачным сочетанием абсолютных значений задержек и периодов синхросигнала, не допускающем нецелых конечных значений таймингов. Небольшим отклонением от стандарта можно считать неверный (отсутствующий) номер ревизии SPD (00h) и отсутствие данных о Part Number, серийном номере и дате изготовления модулей, в то время как идентификационный код производителя указан верно.
Конфигурация тестового стенда
- Процессор: Intel Pentium 4 Extreme Edition 3.73 ГГц (Prescott N0, 2 МБ L2)
- Чипсет: Intel 975X
- Материнская плата: ASUS P5WD2-E Premium, версия BIOS 0206 от 12/21/2005
- Память: 2x512 МБ Patriot DDR2-1000
Результаты тестирования
Тесты производительности
В отличие от двух предыдущих исследований высокоскоростных модулей DDR2 (часть 20 и часть 21), в которых использовалась новая версия тестового пакета RMMA 3.65, в настоящем исследовании (выполненном раньше во временном отношении) применялась предыдущая версия 3.62 со «старыми» параметрами подтестов, несколько завышающих результаты измерения пропускной способности памяти вследствие сравнительно большого объема L2-кэша (2 МБ) в соотношении с размером тестируемого блока памяти (16 МБ).
В первой серии тестов использовалась схема таймингов, выставляемая в настройках BIOS по умолчанию (Memory Timings: «by SPD»). Тестирование данных модулей, естественно, планировалось в двух скоростных режимах как стандартном DDR2-800 (при частоте FSB 200 и 266 МГц), так и в нестандартном DDR2-1000 (частота FSB 250 МГц), однако в последнем случае, даже при использовании самой медленной схемы таймингов 5-6-6-18 и питающего напряжения 2.3 В, в тесте стабильности памяти быстро обнаруживались ошибки. Печально, но факт: заявленный режим «DDR2-1000» рассматриваемые модули «не потянули». По крайней мере на данной материнской плате ASUS P5WD2-E Premium с данной версией BIOS (0206).
Для стандартного режима DDR2-800 BIOS материнской платы в качестве значений таймингов по умолчанию выставила схему 5-5-5-12, что, вообще говоря, несколько странно, учитывая наличие данных об этом режиме в микросхеме SPD (тайминги 4-4-4-12).
| Параметр / Режим |
DDR2-800 |
| Частота FSB, МГц |
200 |
266 |
| Тайминги |
5-5-5-12 |
5-5-5-12 |
| Средняя ПСП на чтение, МБ/с |
5624 |
6887 |
| Средняя ПСП на запись, МБ/с |
2328 |
2547 |
| Макс. ПСП на чтение, МБ/с |
6684 |
8729 |
| Макс. ПСП на запись, МБ/с |
4280 |
5686 |
| Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс |
52.5 |
45.5 |
| Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс |
61.5 |
52.9 |
| Минимальная латентность случайного доступа*, нс |
103.1 |
93.6 |
| Максимальная латентность случайного доступа*, нс |
126.7 |
113.0 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки) |
80.2 |
70.3 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки) |
106.2 |
90.2 |
Минимальная латентность случайного доступа*, нс
(без аппаратной предвыборки) |
103.7 |
94.6 |
Максимальная латентность случайного доступа*, нс
(без аппаратной предвыборки) |
131.0 |
114.4 |
*размер блока 16 МБ
Скоростные показатели модулей в режиме DDR2-800 выглядят приемлемо по показателям ПСП и задержек модули не уступают своим аналогам от других производителей (например, Corsair XMS2-8000UL). Как обычно, использование более высокой частоты системной шины (266 МГц) приводит к заметному уменьшению задержек.
Тесты стабильности
Значения таймингов, за исключением tCL, варьировались «на ходу» благодаря встроенной в тестовый пакет RMMA возможности динамического изменения поддерживаемых чипсетом настроек подсистемы памяти. Устойчивость функционирования подсистемы памяти определялась с помощью вспомогательной утилиты RightMark Memory Stability Test, входящей в состав тестового пакета RMMA.
| Параметр / Режим |
DDR2-800 |
| Частота FSB, МГц |
200 |
266 |
| Тайминги |
4-3-2
(2.2 V) |
4-3-2
(2.2 V) |
| Средняя ПСП на чтение, МБ/с |
5696 |
6971 |
| Средняя ПСП на запись, МБ/с |
2460 |
2518 |
| Макс. ПСП на чтение, МБ/с |
6542 |
8567 |
| Макс. ПСП на запись, МБ/с |
4282 |
5686 |
| Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс |
49.1 |
44.6 |
| Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс |
58.9 |
52.0 |
| Минимальная латентность случайного доступа*, нс |
101.1 |
92.5 |
| Максимальная латентность случайного доступа*, нс |
125.5 |
112.4 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки) |
75.0 |
68.5 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки) |
102.7 |
88.2 |
Минимальная латентность случайного доступа*, нс
(без аппаратной предвыборки) |
101.0 |
92.8 |
Максимальная латентность случайного доступа*, нс
(без аппаратной предвыборки) |
127.4 |
113.4 |
*размер блока 16 МБ
Минимальные значения таймингов, которые нам удалось достичь в режиме DDR2-800 при использовании питающего напряжения 2.2 В, выглядят впечатляюще, поскольку не уступают абсолютному рекорду, поставленному модулями Corsair XMS2-5400UL, 4-3-2 (как обычно, последний параметр tRAS не участвует в «разгонной» схеме, т.к. изменение его значения игнорируется). Учитывая это обстоятельство, факт неработоспособности рассматриваемых модулей в более скоростном режиме DDR2-1000 при номинальных (и даже более медленных) таймингах выглядит достаточно странно.
Итоги
Протестированные модули Patriot DDR2-1000 проявили себя в качестве высокоскоростных модулей, способных устойчиво функционировать лишь в официальном режиме DDR2-800 по крайней мере, с участвующей в тестах материнской платой ASUS P5WD2-E Premium (способность функционирования модулях в неофициальных режимах, промежуточных между DDR2-800 и DDR2-1000, не проверялась). В этом режиме модули обладают хорошими скоростными показателями и великолепным «разгоном по таймингам» они способны функционировать при таймингах 4-3-2 (напряжение питания 2.2 В), чем выставляют себя на уровень модулей Corsair XMS2-5400UL, которым до сих пор принадлежал абсолютный рекорд в данной категории.
Средняя текущая цена (количество предложений) в московской рознице:
| Модули памяти Patriot DDR2-1000 2x512МБ |
Н/Д(0) |
|