Исследование основных характеристик модулей памяти

Часть 22: Модули Patriot DDR2-1000


Мы продолжаем изучение важнейших характеристик высокоскоростных модулей DDR2 на низком уровне с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. Сегодня мы рассмотрим очередное предложение неофициальной скоростной категории «DDR2-1000» — двухканальный комплект модулей памяти Patriot суммарным объемом 1 ГБ.

Информация о производителе модуля

Производитель модуля: PDP Systems, Inc.
Производитель микросхем модуля: неизвестен
Сайт производителя модуля: www.patriotmem.com/products/index.jsp?source=2

Внешний вид модуля

Фото модуля памяти

Part Number модуля

Расшифровка Part Number модуля

Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR2 на сайте производителя отсутствует. На странице web-сайта производителя, посвященной данным модулям, указывается, что продукт представляет собой комплект из двух модулей объемом 512МБ каждый, рассчитанных на функционирование в режиме DDR2-1000 при таймингах 5-5-5-15 и питающем напряжении до 2.3 В.

Данные микросхемы SPD модуля

Описание общего стандарта SPD:

Описание специфического стандарта SPD для DDR2:

Параметр Байт Значение Расшифровка
Фундаментальный тип памяти 2 08h DDR2 SDRAM
Общее количество адресных линий строки модуля 3 0Eh 14 (RA0-RA13)
Общее количество адресных линий столбца модуля 4 0Ah 10 (CA0-CA9)
Общее количество физических банков модуля памяти 5 60h 1 физический банк
Внешняя шина данных модуля памяти 6 40h 64 бит
Уровень питающего напряжения 8 05h SSTL 1.8V
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X) 9 20h 2.00 нс (500.0 МГц)
Тип конфигурации модуля 11 00h Non-ECC
Тип и способ регенерации данных 12 82h 7.8125 мс — 0.5x сокращенная саморегенерация
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти 13 08h x8
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля 14 00h Не определено
Длительность передаваемых пакетов (BL) 16 0Ch BL = 4, 8
Количество логических банков каждой микросхемы в модуле 17 04h 4
Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) 18 30h CL = 5, 4
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) 23 25h 2.50 нс (400.0 МГц)
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) 25 00h Не определено
Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) 27 28h 10.0 нс
5.0, CL = 5
4.0, CL = 4
Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD) 28 1Eh 7.5 нс
3.75, CL = 5
3.0, CL = 4
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) 29 28h 10.0 нс
5.0, CL = 5
4.0, CL = 4
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) 30 1Eh 30.0 нс
15.0, CL = 5
12.0, CL = 4
Емкость одного физического банка модуля памяти 31 80h 512 МБ
Период восстановления после записи (tWR) 36 3Ch 15.0 нс
7.5, CL = 5
6.0, CL = 4
Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR) 37 1Eh 7.5 нс
3.75, CL = 5
3.0, CL = 4
Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP) 38 1Eh 7.5 нс
3.75, CL = 5
3.0, CL = 4
Минимальное время цикла строки (tRC) 41, 40 37h, 00h 55.0 нс
27.5, CL = 5
22.0, CL = 4
Период между командами саморегенерации (tRFC) 42, 40 4Bh, 00h 75.0 нс
37.5, CL = 5
30.0, CL = 4
Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax) 43 80h 8.0 нс
Номер ревизии SPD 62 00h Не определено
Контрольная сумма байт 0-62 63 20h 32 (верно)
Идентификационный код производителя по JEDEC 64-71 7Fh, 7Fh,
7Fh, 7Fh
7Fh, 02h
PDP Systems
Part Number модуля 73-90 Не определено
Дата изготовления модуля 93-94 00h, 00h Не определено
Серийный номер модуля 95-98 00h, 00h,
00h, 00h
Не определено

Несмотря на нестандартность самого режима DDR2-1000, содержимое SPD рассматриваемых модулей запрограммировано в хорошем соответствии со стандартом JEDEC. Максимальный скоростной режим, на который рассчитаны модули, соответствует заявленному DDR2-1000, т.к. характеризуется временем цикла 2.0 нс (частота 500 МГц). Этому режиму соответствует первое из поддерживаемых значений tCL = 5, а полная схема таймингов записывается в виде 5-5-5-15, что также соответствует заявленным характеристикам модулей. Уменьшенному значению задержки сигнала CAS# (CL X-1 = 4) соответствует период синхросигнала 2.5 нс, т.е. частота 400 МГц (стандартный режим DDR2-800). Полная схема таймингов в этом случае записывается как 4-4-4-12 — что можно считать удачным сочетанием абсолютных значений задержек и периодов синхросигнала, не допускающем нецелых конечных значений таймингов. Небольшим отклонением от стандарта можно считать неверный (отсутствующий) номер ревизии SPD (00h) и отсутствие данных о Part Number, серийном номере и дате изготовления модулей, в то время как идентификационный код производителя указан верно.

Конфигурация тестового стенда

  • Процессор: Intel Pentium 4 Extreme Edition 3.73 ГГц (Prescott N0, 2 МБ L2)
  • Чипсет: Intel 975X
  • Материнская плата: ASUS P5WD2-E Premium, версия BIOS 0206 от 12/21/2005
  • Память: 2x512 МБ Patriot DDR2-1000

Результаты тестирования

Тесты производительности

В отличие от двух предыдущих исследований высокоскоростных модулей DDR2 (часть 20 и часть 21), в которых использовалась новая версия тестового пакета RMMA 3.65, в настоящем исследовании (выполненном раньше во временном отношении) применялась предыдущая версия 3.62 со «старыми» параметрами подтестов, несколько завышающих результаты измерения пропускной способности памяти вследствие сравнительно большого объема L2-кэша (2 МБ) в соотношении с размером тестируемого блока памяти (16 МБ).

В первой серии тестов использовалась схема таймингов, выставляемая в настройках BIOS по умолчанию (Memory Timings: «by SPD»). Тестирование данных модулей, естественно, планировалось в двух скоростных режимах — как стандартном DDR2-800 (при частоте FSB 200 и 266 МГц), так и в нестандартном DDR2-1000 (частота FSB 250 МГц), однако в последнем случае, даже при использовании самой медленной схемы таймингов 5-6-6-18 и питающего напряжения 2.3 В, в тесте стабильности памяти быстро обнаруживались ошибки. Печально, но факт: заявленный режим «DDR2-1000» рассматриваемые модули «не потянули». По крайней мере — на данной материнской плате ASUS P5WD2-E Premium с данной версией BIOS (0206).

Для стандартного режима DDR2-800 BIOS материнской платы в качестве значений таймингов по умолчанию выставила схему 5-5-5-12, что, вообще говоря, несколько странно, учитывая наличие данных об этом режиме в микросхеме SPD (тайминги 4-4-4-12).

Параметр / Режим DDR2-800
Частота FSB, МГц 200 266
Тайминги 5-5-5-12 5-5-5-12
Средняя ПСП на чтение, МБ/с 5624 6887
Средняя ПСП на запись, МБ/с 2328 2547
Макс. ПСП на чтение, МБ/с 6684 8729
Макс. ПСП на запись, МБ/с 4280 5686
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс 52.5 45.5
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс 61.5 52.9
Минимальная латентность случайного доступа*, нс 103.1 93.6
Максимальная латентность случайного доступа*, нс 126.7 113.0
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
80.2 70.3
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
106.2 90.2
Минимальная латентность случайного доступа*, нс
(без аппаратной предвыборки)
103.7 94.6
Максимальная латентность случайного доступа*, нс
(без аппаратной предвыборки)
131.0 114.4

*размер блока 16 МБ

Скоростные показатели модулей в режиме DDR2-800 выглядят приемлемо — по показателям ПСП и задержек модули не уступают своим аналогам от других производителей (например, Corsair XMS2-8000UL). Как обычно, использование более высокой частоты системной шины (266 МГц) приводит к заметному уменьшению задержек.

Тесты стабильности

Значения таймингов, за исключением tCL, варьировались «на ходу» благодаря встроенной в тестовый пакет RMMA возможности динамического изменения поддерживаемых чипсетом настроек подсистемы памяти. Устойчивость функционирования подсистемы памяти определялась с помощью вспомогательной утилиты RightMark Memory Stability Test, входящей в состав тестового пакета RMMA.

Параметр / Режим DDR2-800
Частота FSB, МГц 200 266
Тайминги 4-3-2
(2.2 V)
4-3-2
(2.2 V)
Средняя ПСП на чтение, МБ/с 5696 6971
Средняя ПСП на запись, МБ/с 2460 2518
Макс. ПСП на чтение, МБ/с 6542 8567
Макс. ПСП на запись, МБ/с 4282 5686
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс 49.1 44.6
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс 58.9 52.0
Минимальная латентность случайного доступа*, нс 101.1 92.5
Максимальная латентность случайного доступа*, нс 125.5 112.4
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
75.0 68.5
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
102.7 88.2
Минимальная латентность случайного доступа*, нс
(без аппаратной предвыборки)
101.0 92.8
Максимальная латентность случайного доступа*, нс
(без аппаратной предвыборки)
127.4 113.4

*размер блока 16 МБ

Минимальные значения таймингов, которые нам удалось достичь в режиме DDR2-800 при использовании питающего напряжения 2.2 В, выглядят впечатляюще, поскольку не уступают абсолютному рекорду, поставленному модулями Corsair XMS2-5400UL, — 4-3-2 (как обычно, последний параметр tRAS не участвует в «разгонной» схеме, т.к. изменение его значения игнорируется). Учитывая это обстоятельство, факт неработоспособности рассматриваемых модулей в более скоростном режиме DDR2-1000 при номинальных (и даже более медленных) таймингах выглядит достаточно странно.

Итоги

Протестированные модули Patriot DDR2-1000 проявили себя в качестве высокоскоростных модулей, способных устойчиво функционировать лишь в официальном режиме DDR2-800 — по крайней мере, с участвующей в тестах материнской платой ASUS P5WD2-E Premium (способность функционирования модулях в неофициальных режимах, промежуточных между DDR2-800 и DDR2-1000, не проверялась). В этом режиме модули обладают хорошими скоростными показателями и великолепным «разгоном по таймингам» — они способны функционировать при таймингах 4-3-2 (напряжение питания 2.2 В), чем выставляют себя на уровень модулей Corsair XMS2-5400UL, которым до сих пор принадлежал абсолютный рекорд в данной категории.


Средняя текущая цена (количество предложений) в московской рознице:

Модули памяти Patriot DDR2-1000 2x512МБ  Н/Д(0)




Дополнительно

iXBT BRAND 2016

«iXBT Brand 2016» — Выбор читателей в номинации «Процессоры (CPU)»:
Подробнее с условиями участия в розыгрыше можно ознакомиться здесь. Текущие результаты опроса доступны тут.

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.