Исследование основных характеристик модулей памяти. Часть 20: Модули Corsair DDR2-1066 (XMS2-8500)
Мы продолжаем изучение важнейших характеристик высокоскоростных модулей DDR2 на низком уровне с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. Сегодня мы рассмотрим первое предложение максимальной неофициальной скоростной категории DDR2-1066 (PC2-8500) двухканальный комплект модулей памяти Corsair XMS2-8500, являющихся логическим продолжением высокоскоростных решений серии XMS2, предыдущее из которых было представлено ранее исследованными нами модулями XMS2-8000UL класса «DDR2-1000». Справедливости ради следует заметить, что предложения класса «DDR2-1066» (например, от компании A-DATA) номинально известны уже где-то с середины прошлого года, тем не менее, рассматриваемые в настоящей статье модули являются первым предложением на рынке, реально способным функционировать в неофициальном режиме DDR2-1066, т.е. при частоте шины памяти 533 МГц.
Информация о производителе модуля
Производитель модуля: Corsair Memory
Производитель микросхем модуля: неизвестен
Сайт производителя модуля: http://www.corsairmemory.com/corsair/xms2.html
Внешний вид модуля
Фото модуля памяти
Part Number модуля
Расшифровка Part Number модуля
Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR2 серии XMS2 на сайте производителя отсутствует. В брошюре модулей TWIN2X1024-8500 указывается, что продукт представляет собой комплект из двух модулей объемом 512МБ каждый (самим по себе модулям присвоен Part Number CM2X512-8500), основанных на 8 микросхемах 64M x8. Производитель на 100% гарантирует функционирование модулей в максимально скоростном (пока что неофициальном) режиме DDR2-1066 при таймингах 5-5-5-15 и питающем напряжении 2.2 В, однако в микросхеме SPD в качестве режима по умолчанию прописан максимальный стандартный режим DDR2-800 с таймингами 5-5-5-15.
Данные микросхемы SPD модуля
Описание общего стандарта SPD:
Описание специфического стандарта SPD для DDR2:
| Параметр |
Байт |
Значение |
Расшифровка |
| Фундаментальный тип памяти |
2 |
08h |
DDR2 SDRAM |
| Общее количество адресных линий строки модуля |
3 |
0Eh |
14 (RA0-RA13) |
| Общее количество адресных линий столбца модуля |
4 |
0Ah |
10 (CA0-CA9) |
| Общее количество физических банков модуля памяти |
5 |
60h |
1 физический банк |
| Внешняя шина данных модуля памяти |
6 |
40h |
64 бит |
| Уровень питающего напряжения |
8 |
05h |
SSTL 1.8V |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X) |
9 |
30h |
2.50 нс (400.0 МГц) |
| Тип конфигурации модуля |
11 |
00h |
Non-ECC |
| Тип и способ регенерации данных |
12 |
82h |
7.8125 мс 0.5x сокращенная саморегенерация |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти |
13 |
08h |
x8 |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля |
14 |
00h |
Не определено |
| Длительность передаваемых пакетов (BL) |
16 |
0Ch |
BL = 4, 8 |
| Количество логических банков каждой микросхемы в модуле |
17 |
04h |
4 |
| Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) |
18 |
30h |
CL = 5, 4 |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) |
23 |
37h |
3.70 нс (270.3 МГц) |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) |
25 |
00h |
Не определено |
| Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) |
27 |
32h |
12.5 нс 5.0, CL = 5 3.37, CL = 4 |
| Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD) |
28 |
1Eh |
7.5 нс 3.0, CL = 5 2.03, CL = 4 |
| Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) |
29 |
32h |
12.5 нс 5.0, CL = 5 3.37, CL = 4 |
| Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) |
30 |
2Dh |
45.0 нс 18.0, CL = 5 12.16, CL = 4 |
| Емкость одного физического банка модуля памяти |
31 |
80h |
512 МБ |
| Период восстановления после записи (tWR) |
36 |
3Ch |
15.0 нс 6.0, CL = 5 4.05, CL = 4 |
| Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR) |
37 |
1Eh |
7.5 нс 3.0, CL = 5 2.03, CL = 4 |
| Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP) |
38 |
1Eh |
7.5 нс 3.0, CL = 5 2.03, CL = 4 |
| Минимальное время цикла строки (tRC) |
41, 40 |
37h, 00h |
55.0 нс 22.0, CL = 5 14.86, CL = 4 |
| Период между командами саморегенерации (tRFC) |
42, 40 |
69h, 00h |
75.0 нс 30.0, CL = 5 20.27, CL = 4 |
| Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax) |
43 |
80h |
8.0 нс |
| Номер ревизии SPD |
62 |
12h |
Ревизия 1.2 |
| Контрольная сумма байт 0-62 |
63 |
97h |
151 (верно) |
| Идентификационный код производителя по JEDEC |
64-71 |
7Fh, 7Fh, 9Eh |
Corsair |
| Part Number модуля |
73-90 |
|
CM2X512-8500 |
| Дата изготовления модуля |
93-94 |
00h, 00h |
Не определено |
| Серийный номер модуля |
95-98 |
00h, 00h, 00h, 00h |
Не определено |
Содержимое SPD можно назвать пусть и не совсем стандартным, но привычным для модулей Corsair. Максимальный скоростной режим, на который рассчитаны модули, характеризуется временем цикла 2.5 нс (частота 400 МГц, режим DDR2-800). Этому режиму соответствует первое из поддерживаемых значений tCL = 5, а полная схема таймингов записывается в виде 5-5-5-18, что немного не совпадает с характеристиками, заявленными производителем в краткой документации модулей (DDR2-800, тайминги 5-5-5-15). Уменьшенному значению задержки сигнала CAS# (CL X-1 = 4) соответствует нестандартный период синхросигнала 3.7 нс, что соответствует частоте 270 МГц вероятно, под этим имеется в виду режим DDR2-533 с временем цикла 3.75 нс. Тем не менее, не совсем корректное значение периода синхросигнала приводит к нецелым значениям в схеме таймингов, которую можно записать (с округлением до десятых) как 4-3.4-3.4-12.2, которая, скорее всего, округлится большинством BIOS материнских плат до 4-4-4-13 (в сторону больших целых значений). Тем не менее, стоит заметить, что для столь высокоскоростных модулей вряд ли возникнет особая нужда использовать столь низкоскоростной режим работы, как DDR2-533.
Идентификационный код производителя и Part Number модуля указаны верно, тем не менее, как и в остальных модулях Corsair, в микросхеме SPD настоящих модулей отсутствуют данные о дате изготовления и серийном номере модулей.
Конфигурация тестового стенда
- Процессор: Intel Pentium 4 Extreme Edition 3.73 ГГц (Prescott N0, 2 МБ L2)
- Чипсет: Intel 975X
- Материнская плата: ASUS P5WD2-E Premium, версия BIOS 0404 от 03/22/2006
- Память: 2x512 МБ Corsair XMS2-8500 (DDR2-1066, PC2-8500)
Результаты тестирования
Тесты производительности
Начиная с данного исследования, мы переходим на использование новой версии тестового пакета RMMA 3.65, в которой был увеличен максимальный размер выделяемого блока памяти и, соответственно, поменялись параметры большинства подтестов, используемых по умолчанию. В частности, размеры блока памяти в подтестах, применяемых для исследования характеристик подсистемы памяти, возросли до 32 МБ, что позволяет существенно уменьшить влияние большого объема L2-кэша (2 МБ), довольно часто встречающегося в современных процессорах класса Pentium 4/Pentium D. В связи с этим, приведенные ниже характеристики гораздо более достоверно отражают реальные значения пропускной способности подсистемы памяти и не могут быть сопоставлены количественно с характеристиками, приводимыми в более ранних исследованиях.
Как обычно, в первой серии тестов использовалась схема таймингов, выставляемая в настройках BIOS по умолчанию (Memory Timings: «by SPD»). Тестирование осуществлялось в трех скоростных режимах DDR2-667 при частотах FSB 200 и 266 МГц (множители памяти 1.67 и 1.25, соответственно), DDR2-800 при частотах FSB 200 и 266 МГц (множители памяти 2.0 и 1.5) и в неофициальном режиме «DDR2-1066» при частоте системной шины 266 МГц и максимально возможном (для чипсета Intel 975X) множителе памяти 2.0.
Для режима DDR2-667 BIOS материнской платы в качестве значений таймингов по умолчанию выставила схему 5-5-5-15 («наугад», т.к. данный режим не прописан в SPD модулей), для режима DDR2-800 схему 5-5-5-18 (в строгом соответствии с данными SPD) и, наконец, для максимального скоростного режима DDR2-1066 схему 5-6-6-18. Как показывает практика, это наименее скоростная схема, которую способна выставлять по умолчанию материнская плата ASUS P5WD2-E, применяемая нами в тестах высокоскоростных модулей.
| Параметр / Режим |
DDR2-667 |
DDR2-800 |
DDR2-1066 |
| Частота FSB, МГц |
200 |
266 |
200 |
266 |
266 |
| Тайминги |
5-5-5-15 |
5-5-5-15 |
5-5-5-18 |
5-5-5-18 |
5-6-6-18 |
| Средняя ПСП на чтение, МБ/с |
5382 |
6396 |
5614 |
6878 |
7394 |
| Средняя ПСП на запись, МБ/с |
2001 |
2163 |
2175 |
2415 |
2861 |
| Макс. ПСП на чтение, МБ/с |
6468 |
8148 |
6530 |
8527 |
8669 |
| Макс. ПСП на запись, МБ/с |
4282 |
5668 |
4279 |
5685 |
5697 |
| Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс |
56.7 |
50.1 |
52.7 |
45.7 |
39.7 |
| Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс |
66.2 |
57.4 |
61.9 |
53.2 |
46.9 |
| Минимальная латентность случайного доступа*, нс |
118.4 |
105.2 |
105.7 |
95.4 |
84.1 |
| Максимальная латентность случайного доступа*, нс |
143.4 |
123.1 |
130.5 |
114.8 |
102.4 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки) |
87.1 |
77.9 |
80.6 |
70.7 |
60.6 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки) |
114.1 |
97.2 |
106.9 |
91.0 |
80.5 |
Минимальная латентность случайного доступа*, нс
(без аппаратной предвыборки) |
119.2 |
105.9 |
106.1 |
95.9 |
84.3 |
Максимальная латентность случайного доступа*, нс
(без аппаратной предвыборки) |
145.5 |
124.7 |
133.4 |
116.0 |
103.2 |
*размер блока 32 МБ
Скоростные показатели модулей выглядят весьма неплохо максимальные значения ПСП в официальных режимах составляют примерно 6.4-6.5 ГБ/с и 8.2-8.7 ГБ/с при частоте FSB 200 и 266 МГц, соответственно, т.е. практически равны максимальной теоретической ПС 200-МГц и 266-МГц процессорной шины, соответственно (ее некоторое превышение, связанное с влиянием 2-МБ L2-кэша, способного «покрыть» 2МБ/32МБ * 100% = 6.25% обращений к памяти, все же имеет место быть). Заметим, что максимальная реальная ПСП на чтение, как в случае 200-МГц, так и 266-МГц FSB, ощутимо возрастает при переходе от наименее скоростного режима DDR2-667 к максимально скоростному DDR2-1066.
По задержкам модули также не уступают предыдущим высокоскоростным решениям от Corsair и аналогам от других производителей. Одновременно с указанным выше увеличением ПСП, использование как более скоростных режимов (переход от DDR2-667 к DDR2-800 и DDR2-1066), так и более высокой частоты системной шины (переход от 200-МГц к 266-МГц FSB) приводит к ощутимому уменьшению задержек. Соответственно, минимальная латентность памяти наблюдается при функционировании в режиме DDR2-1066 (частота системной шины 266 МГц) и находится в интервале от 39.7 нс (псевдослучайный обход, аппаратная предвыборка включена) до 103.2 нс (случайный обход, аппаратная предвыборка отключена), чем несколько выигрывают как у предыдущих Corsair XMS2-8000UL (DDR2-1000, частота FSB 250 МГц, тайминги 5-6-6-18), так и у рассмотренных в предыдущей статье Kingston HyperX DDR2-900 (DDR2-900, частота FSB 270 МГц, тайминги 5-6-6-18).
Тесты стабильности
Значения таймингов, за исключением tCL, варьировались «на ходу» благодаря встроенной в тестовый пакет RMMA возможности динамического изменения поддерживаемых чипсетом настроек подсистемы памяти. Устойчивость функционирования подсистемы памяти определялась с помощью вспомогательной утилиты RightMark Memory Stability Test, входящей в состав тестового пакета RMMA.
| Параметр / Режим |
DDR2-667 |
DDR2-800 |
DDR2-1067 |
| Частота FSB, МГц |
200 |
266 |
200 |
266 |
266 |
| Тайминги |
3-3-3
(2.2 V) |
3-3-3
(2.2 V) |
4-4-3
(2.2 V) |
4-4-3
(2.2 V) |
5-5-4
(2.2 V) |
| Средняя ПСП на чтение, МБ/с |
5571 |
6825 |
5696 |
6971 |
7446 |
| Средняя ПСП на запись, МБ/с |
2444 |
2519 |
2460 |
2518 |
3193 |
| Макс. ПСП на чтение, МБ/с |
6528 |
8393 |
6542 |
8567 |
8712 |
| Макс. ПСП на запись, МБ/с |
4282 |
5678 |
4282 |
5686 |
5698 |
| Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс |
52.8 |
45.8 |
49.1 |
44.6 |
39.6 |
| Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс |
62.4 |
53.0 |
58.9 |
52.0 |
46.5 |
| Минимальная латентность случайного доступа*, нс |
104.6 |
92.0 |
101.1 |
92.5 |
84.0 |
| Максимальная латентность случайного доступа*, нс |
128.7 |
111.6 |
125.5 |
112.4 |
102.2 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки) |
81.4 |
70.8 |
75.0 |
68.5 |
60.8 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки) |
107.5 |
90.4 |
102.7 |
88.2 |
80.1 |
Минимальная латентность случайного доступа*, нс
(без аппаратной предвыборки) |
104.8 |
92.3 |
101.0 |
92.8 |
84.3 |
Максимальная латентность случайного доступа*, нс
(без аппаратной предвыборки) |
131.6 |
112.8 |
127.4 |
113.4 |
103.0 |
*размер блока 32 МБ
Минимальные значения таймингов, которые нам удалось достичь в режиме DDR2-667 при использовании рекомендованного производителем повышенного питающего напряжения 2.2 В, составляют лишь 3-3-3 (как обычно, последний параметр tRAS не участвует в «разгонной» схеме, т.к. изменение его значения игнорируется). «На ходу» нам удалось выставить схему 3-3-2, но это немедленно приводило к возникновению ошибок. По этому показателю рассматриваемые модули уступают ранее протестированным Kingston HyperX DDR2-900 (тайминги 3-3-2 при напряжении 2.0 В) и, тем более, более ранним Corsair XMS2-5400UL (как показывает практика, наиболее удачным в плане разгона тайминги 3-2-2 при напряжении 2.1 В).
В режиме DDR2-800 рассматриваемые модули способны устойчиво функционировать при схеме таймингов 4-4-3 (напряжение питания также 2.2 В). Заметим, что и здесь нам в принципе удавалось выставить схему 4-3-3, но это немедленно сопровождалось появлением ошибок. И вновь настоящие модули уступают более ранним Corsair XMS2-8000UL (минимально достижимые тайминги в режиме DDR2-800 4-3-3 при 2.2 В) и Corsair XMS2-5400UL (тайминги 4-3-2 при напряжении 2.1 В).
Наконец, в максимально скоростном, можно сказать «родном» режиме DDR2-1066, рассматриваемые модули позволили выставить минимальную схему таймингов 5-5-4, что весьма неплохо, т.к. все-таки немного ниже по сравнению с заявленной производителем схемой 5-5-5(-15). В то же время, следует вновь вспомнить, что предыдущее решение от Corsair модули категории «DDR2-1000» были способны функционировать в указанном режиме при схеме таймингов 5-3-3.
Как обычно, выставление «экстремальных» схем таймингов лишь незначительно увеличивает пропускную способность подсистемы памяти поскольку она по-прежнему «упирается» в пропускную способность процессорной шины. Эффект от такого «разгона по таймингам» наиболее заметен лишь по величинам латентностей, да и то в случае истинно случайного доступа к памяти и «максимально разгоняемого» режима DDR2-667 уменьшение задержек здесь составляет порядка 10%.
Итоги
Протестированные модули Corsair XMS2-8500 проявили себя в качестве высокоскоростных модулей класса high-end, способных функционировать как в официальных режимах DDR2-667 и DDR2-800, так и в неофициальном, но реально поддерживаемом максимально скоростном режиме DDR2-1066 (при умеренно высоком питающем напряжении 2.2 В). Не без преувеличения заметим, что это первые модули, реально рассчитанные на режим DDR2-1066 и реально, устойчиво в нем функционирующие. Модули обладают весьма высокими скоростными показателями, но сравнительно умеренным «разгоном по таймингам» (по сравнению с ранними «топовыми» предложениями от Corsair) в официальных режимах DDR2-667 и DDR2-800 они способны функционировать при таймингах 3-3-3 и 4-4-3 (напряжение питания 2.2 В), тогда как функционирование в наиболее скоростном режиме DDR2-1066 требует увеличения этой схемы до значений 5-5-4, все же несколько меньших по сравнению с рекомендуемой производителем схемой 5-5-5-15.
Средняя текущая цена (количество предложений) в московской рознице:
Модули памяти Corsair TWIN2X1024-8500 (DDR2-1066 XMS2-8500 2x512МБ) |
Н/Д(0) |
|