Samsung объявила о доступности сразу трех перспективных видов SRAM: QDR II, DDR II и NtRAM (No Turnaround Random Access Memory). Все эти типы SRAM будут выпускаться емкостью 36 Мбит, с использованием 0,15 мкм технологии, пока что чипы доступны лишь в образцах.
QDR II и DDR II - это высокоскоростные виды SRAM с поддержкой HSTL (High Speed Transceiver Logic), рассчитанные на использование в High-end маршрутизаторах и коммутаторах. Работают они на частотах до 250 МГц.
Для самых требовательных многопортовых коммутаторов Samsung предлагает NTRAM, в которой чтение и запись могут производиться синхронно, без запуска нового цикла, что позволяет теоретически достичь 100% эффективности шины памяти. NtRAM доступна в организации x18, x36 и x72, а QDR II и DDR II - в организации х8, х18 и х36. Доступны различные версии всех трех чипов: с рабочими напряжениями в 1,8 В, 2,5 В и 3,3 В, в форм-факторах: QDRII - 165FBGA, DDRII - 153BGA/165FBGA, NtRAM(TM)- 0TQFP/119BGA/165FBGA/209BGA. Массовое производство новых SRAM чипов должно начаться в середине 2002 года.
Нужно отдать должное корейской компании - в этом они действительно первые. Пока что емких чипов такого типа памяти не предлагал никто.