Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией

Этот прорыв необходим для успешного освоения норм 3 нм

На проходящей сейчас конференции SPIE Advanced Lithography Conference институт imec и компания ASML объявили о прорыве в EUV-литографии. Речь идет о формировании линий с шагом 24 нм с применением всего одной экспозиции. Линии с таким шагом соответствуют размерам критически важных металлических слоев технологического узла 3 нм, формируемых на конечной стадии полупроводникового производства.

Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией
Imec и ASML показали получение линий с шагом 24 нм с использованием EUV-литографии с одной экспозицией

Линии с таким шагом с применением передовых материалов, оптимизированных настроек и схем обработки позволяет формировать система ASML NXE: 3400B, установленная в чистой комнате imec для работы с 300-миллметровыми пластинами во втором квартале 2019 года. Она позиционируется как платформа для ранней разработки фоторезистов и шаблонов для будущих узлов техпроцессов, предназначенных для системы EUV следующего поколения ASML — EXE: 5000. Появление ASML EXE: 5000 на рынке ожидается в 2022 году. Эта система будет иметь цифровую апертуру 0,55, что намного выше, чем у 0,33 современных систем EUV, таких как NXE: 3400B.

Автор:

| Источник: CDRinfo

Все новости за сегодня

Календарь

февраль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс