Компания Toshiba Memory представила память XL-FLASH, которая «устраняет разрыв» между DRAM и NAND

Изначально XL-FLASH будет использоваться в SSD, но возможен и выпуск устройств с подключением к шине DRAM

Компания Toshiba Memory объявила о выпуске новой памяти для систем хранения (Storage Class Memory или SCM). Память называется XL-FLASH. Она основана на технологии флеш-памяти BiCS FLASH 3D, в которой каждая ячейка хранит один бит. Как утверждается, низкая задержка и высокая производительность делают память XL-FLASH подходящей для использования в центрах обработки данных и корпоративных хранилищах. Поставки образцов начнутся в сентябре, а массовое производство ожидается в 2020 году.

Компания Toshiba Memory представила память XL-FLASH, которая «устраняет разрыв» между DRAM и NAND

Память XL-FLASH является энергонезависимой, как и флеш-память NAND, но превосходит ее по производительности. По словам Toshiba Memory, память XL-FLASH устраняет разрыв в производительности, который существует между DRAM и NAND. Энергозависимая память DRAM обеспечивает высокую скорость доступа, но эта производительность обходится дорого. Память NAND дешевле, но уступает DRAM по скорости. Находясь между ними, XL-FLASH обеспечивает повышенную скорость, уменьшенную задержку и более высокую емкость хранения при меньших затратах, чем DRAM.

Изначально XL-FLASH будет использоваться в SSD, но возможен и выпуск устройств, рассчитанных на подключение к шине DRAM, например, энергонезависимых модулей памяти (NVDIMM).

Один кристалл новой памяти имеет плотность 128 Гбит. В корпусе микросхемы может быть два, четыре или восемь кристаллов. Для повышения эффективности операций чтения и записи размер страницы сделан равным 4 КБ. Эффективное распараллеливание обеспечивает 16-плоскостная архитектура. Задержка чтения не превышает 5 мкс, что примерно в 10 раз меньше, чем у памяти TLC NAND.

Автор:

| Источник: Toshiba Memory

Все новости за сегодня

Календарь

август
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс