Планы Micron на этот год включают выпуск памяти GDDR6 и 64-слойной флэш-памяти 3D NAND

Micron планирует увеличение числа слоев 3D NAND до 96

ПредыдущаяСледующая

Компания Micron в ходе недавней конференции с аналитиками поделилась своими планами на 2017 год. В частности, производитель намерен наращивать выпуск 64-слойной флэш-памяти 3D NAND второго поколения, начать выпуск памяти DRAM по нормам 1Y нм, представить память GDDR6 и готовые изделия на базе памяти 3D Xpoint.

Micron планирует увеличение числа слоев 3D NAND до 96

Вышеупомянутая 64-слойная флэш-память 3D NAND, ознакомительные образцы которой уже доступны, обеспечивает существенное увеличение объема в расчете на одну пластину (более чем на 80%) при одновременном снижении стоимости в расчете на бит на 30%. Она будет выпускаться плотностью 256 и 512 Гбит. Размер кристалла в первом случае равен 59 мм². Это рекордно маленький чип такой плотности. Маленькие размеры делают его особенно привлекательным для мобильных устройств.

Развивая память 3D NAND, Micron планирует дальнейшее увеличение плотности, соответствующее увеличению числа слоев до 96. Кроме того, запланирован выпуск памяти QLC NAND.

В сегменте DRAM на 2017 год намечено увеличение объема выпуска по нормам 20 нм и начало освоения норм 1x нм (16 нм), включая освоение производства памяти GDDR5 по этой технологии. Одновременно идет разработка техпроцессов, рассчитанных на нормы 1Y и 1Z нм. Память GDDR6 будет представлена в конце этого года или начале следующего.

Источник: CDR info

5 февраля 2017 Г.

17:36

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

Календарь

февраль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс