Исследование основных характеристик модулей памяти

Часть 9: Модули Samsung DDR2-667


Продолжается цикл статей, посвященный изучению важнейших характеристик модулей памяти DDR2 на низком уровне с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. В настоящей статье будут рассмотрены сразу два типа модулей памяти Samsung DDR2-667, представленных парами 256-МБ и 512-МБ образцов.

Информация о производителе модулей

Производитель модулей и микросхем: Samsung Semiconductor
Сайт производителя модулей и микросхем:
www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/DDR2SDRAM/index.htm

Внешний вид модулей

Фото модулей памяти

256-МБ модули

512-МБ модули

Фото микросхем памяти

Микросхемы 256-МБ модулейМикросхемы 512-МБ модулей

Part Number модулей и микросхем

Part Number модулей

Система назначения Part Number модулей памяти Samsung DDR SDRAM:
www.samsung.com/Products/Semiconductor/Support/Label_CodeInfo/
DDR_SDRAM_Module.pdf

256-МБ модули


ПолеЗначениеРасшифровка
1MКод продукта: «M» = модуль памяти
23Конфигурация модуля: «3» = 4/8-байтовый DIMM
3-478Разрядность и тип модуля: «78» = x64, 240-контактный Unbuffered DIMM
5TРазновидность, питающее напряжение: «T» = DDR2, 1.8 V
6-732Глубина модуля: «32» = 32М
85Кол-во банков в микросхемах, интерфейс, период регенерации:
«5» = 4 банка, SSTL(1.8V, 1.8V), 7.8 мкс
93Конфигурация микросхем: «3» = x8
10FПоколение микросхем: «F» = 7-е поколение
11GУпаковка микросхем: «G» = FBGA
120Ревизия и тип PCB: «0» = отсутствует
13(пропуск)
14CМощность: «C» = нормальная, поддерживается саморегенерация
15-16E6Скорость: «E6» = 3.0 нс, CL=5
17-180F (по данным SPD)Особые условия (Customer List Reference)

512-МБ модули


ПолеЗначениеРасшифровка
1MКод продукта: «M» = модуль памяти
23Конфигурация модуля: «3» = 4/8-байтовый DIMM
3-478Разрядность и тип модуля: «78» = x64, 240-контактный Unbuffered DIMM
5TРазновидность, питающее напряжение: «T» = DDR2, 1.8 V
6-764Глубина модуля: «64» = 64М
85Кол-во банков в микросхемах, интерфейс, период регенерации:
«5» = 4 банка, SSTL(1.8V, 1.8V), 7.8 мкс
93Конфигурация микросхем: «3» = x8
10FПоколение микросхем: «F» = 7-е поколение
11GУпаковка микросхем: «G» = FBGA
120Ревизия и тип PCB: «0» = отсутствует
13(пропуск)
14CМощность: «C» = нормальная, поддерживается саморегенерация
15-16E6Скорость: «E6» = 3.0 нс, CL=5
17-180F (по данным SPD)Особые условия (Customer List Reference)

Part Number микросхем

Система назначения Part Number микросхем памяти Samsung DDR2:
www.samsung.com/Products/Semiconductor/Support/Label_CodeInfo/
DDR2_code.pdf

Микросхемы 256/512-МБ модулей

ПолеЗначениеРасшифровка
1KКод продукта: «M» = модуль памяти
24Тип продукта: «4» = DRAM
3TПодтип продукта: «T» = DDR2 SDRAM
4-556Емкость: «56» = 256М
6-708Логическая организация: «08» = x8
83Количество внутренних банков: «3» = 4 банка
9QПитающий интерфейс, VDD, VDDQ: «Q» = SSTL, 1.8V, 1.8V
10FПоколение: «F» = 7-е поколение
11(пропуск)
12GУпаковка: «G» = FBGA
13CТемпературный режим, энергопотребление: «C» = нормальный
14-15E6Скорость: «E6» = DDR2-667 (333 МГц, tCL=5, tRCD=5, tRP=5)
16(пусто)Тип комплектования
17-18(пусто)Особые условия (Customer List Reference)

Расшифровки Part Number рассматриваемых модулей и микросхем (оба модуля комплектуются одними и теми же 32Мx8 микросхемами памяти) выглядят практически безупречно, каких-либо «нестыковок» между расшифровками номеров модулей и микросхем не наблюдается.

Данные микросхемы SPD модуля

Описание общего стандарта SPD:

Описание специфического стандарта SPD для DDR2:

Содержимое SPD 256-МБ модулей

ПараметрБайтЗначениеРасшифровка
Фундаментальный тип памяти208hDDR2 SDRAM
Общее количество адресных линий строки модуля30Dh13 (RA0-RA12)
Общее количество адресных линий столбца модуля40Ah10 (CA0-CA9)
Общее количество физических банков модуля памяти560h1 физический банк
Внешняя шина данных модуля памяти640h64 бит
Уровень питающего напряжения805hSSTL 1.8V
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X)930h3.00 нс (333.3 МГц)
Тип конфигурации модуля1100hNon-ECC
Тип и способ регенерации данных1282h7.8125 мс — 0.5x сокращенная саморегенерация
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти1308hx8
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля1400hНе определено
Длительность передаваемых пакетов (BL)160ChBL = 4, 8
Количество логических банков каждой микросхемы в модуле1704h4
Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL)1838hCL = 3, 4, 5
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1)233Dh3.75 нс (266.7 МГц)
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2)2550h5.00 нс (200.0 МГц)
Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP)273Ch15.0 нс
5, CL = 5
4, CL = 4
3, CL = 3
Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD)281Eh7.5 нс
3, CL = 5
2, CL = 4
1.5, CL = 3
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD)293Ch15.0 нс
5, CL = 5
4, CL = 4
3, CL = 3
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS)3027h39.0 нс
13, CL = 5
10, CL = 4
8, CL = 3
Емкость одного физического банка модуля памяти3140h256 МБ
Период восстановления после записи (tWR)363Ch15.0 нс
5, CL = 5
4, CL = 4
3, CL = 3
Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR)371Eh7.5 нс
3, CL = 5
2, CL = 4
1.5, CL = 3
Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP)381Eh7.5 нс
3, CL = 5
2, CL = 4
1.5, CL = 3
Минимальное время цикла строки (tRC)41, 4036h, 00h54.0 нс
18, CL = 5
14, CL = 4
11, CL = 3
Период между командами саморегенерации (tRFC)42, 404Bh, 00h75.0 нс
25, CL = 5
20, CL = 4
15, CL = 3
Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax)4380h8.0 нс
Номер ревизии SPD6212hРевизия 1.2
Контрольная сумма байт 0-626309h9 (верно)
Идентификационный код производителя по JEDEC64-71CEhSamsung
Part Number модуля73-90M3 78T3253FG0-CE6 0F
Дата изготовления модуля93-9404h, 44h2004 год, 44 неделя
Серийный номер модуля95-9845h, 05h,
B3h, FFh
FFB30545h

Содержимое SPD 512-МБ модулей

ПараметрБайтЗначениеРасшифровка
Фундаментальный тип памяти208hDDR2 SDRAM
Общее количество адресных линий строки модуля30Dh13 (RA0-RA12)
Общее количество адресных линий столбца модуля40Ah10 (CA0-CA9)
Общее количество физических банков модуля памяти561h2 физических банка
Внешняя шина данных модуля памяти640h64 бит
Уровень питающего напряжения805hSSTL 1.8V
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X)930h3.00 нс (333.3 МГц)
Тип конфигурации модуля1100hNon-ECC
Тип и способ регенерации данных1282h7.8125 мс — 0.5x сокращенная саморегенерация
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти1308hx8
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля1400hНе определено
Длительность передаваемых пакетов (BL)160ChBL = 4, 8
Количество логических банков каждой микросхемы в модуле1704h4
Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL)1838hCL = 3, 4, 5
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1)233Dh3.75 нс (266.7 МГц)
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2)2550h5.00 нс (200.0 МГц)
Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP)273Ch15.0 нс
5, CL = 5
4, CL = 4
3, CL = 3
Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD)281Eh7.5 нс
3, CL = 5
2, CL = 4
1.5, CL = 3
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD)293Ch15.0 нс
5, CL = 5
4, CL = 4
3, CL = 3
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS)3027h39.0 нс
13, CL = 5
10, CL = 4
8, CL = 3
Емкость одного физического банка модуля памяти3140h256 МБ
Период восстановления после записи (tWR)363Ch15.0 нс
5, CL = 5
4, CL = 4
3, CL = 3
Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR)371Eh7.5 нс
3, CL = 5
2, CL = 4
1.5, CL = 3
Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP)381Eh7.5 нс
3, CL = 5
2, CL = 4
1.5, CL = 3
Минимальное время цикла строки (tRC)41, 4036h, 00h54.0 нс
18, CL = 5
14, CL = 4
11, CL = 3
Период между командами саморегенерации (tRFC)42, 404Bh, 00h75.0 нс
25, CL = 5
20, CL = 4
15, CL = 3
Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax)4380h8.0 нс
Номер ревизии SPD6212hРевизия 1.2
Контрольная сумма байт 0-626309h9 (верно)
Идентификационный код производителя по JEDEC64-71CEhSamsung
Part Number модуля73-90M3 78T6453FG0-CE6 0F
Дата изготовления модуля93-9404h, 45h2004 год, 45 неделя
Серийный номер модуля95-9845h, 07h,
B7h, FFh
FFB70745h

Данные микросхемы SPD 256-МБ и 512-МБ модулей выглядят практически идентично — единственное значимое различие наблюдается лишь в количестве банков, что полностью соответствует внешнему виду исследуемых образцов (256-МБ модули однобанковые, 512-МБ — двухбанковые, физический банк состоит из восьми микросхем 32М x8). Модули Samsung DDR2-667 способны функционировать при трех различных величинах задержки CAS#: 5, 4 и 3. Соответствующие этим случаям временные (частотные) режимы функционирования модулей — 3.0 нс (333 МГц), 3.75 нс (266 МГц) и 5.0 нс (200 МГц), а соответствующие схемы важнейших таймингов — 5-5-5-13 (значение последнего тайминга tRAS, надо заметить, несколько сокращено по сравнению со «стандартным» значением 15), 4-4-4-10 (при условии округления tRAS в меньшую сторону) и 3-3-3-8 (аналогично). Из «необычностей» следует отметить использование номера новейшей ревизии SPD модулей DDR2 1.2 (еще не представленной документально на сайте JEDEC). Всевозможные номера — Part Number, дата изготовления и серийный номер — полностью прописаны и соответствуют действительности, что говорит о пунктуальности производителя и создает образ высокого качества продукции.

Конфигурации тестовых стендов и ПО

Тестовый стенд №1

  • Процессор: Intel Pentium 4 3.6 ГГц (ядро Prescott E0, 1 МБ L2)
  • Чипсет: Intel 925X
  • Материнская плата: Gigabyte 8ANXP-D, версия BIOS от 06/07/2004
  • Память: 2x256 МБ Samsung DDR2-667; 2x512 МБ Samsung DDR2-667 в режиме DDR2-533
  • Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
  • HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
  • Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.2.1.1001, DirectX 9.0c

Тестовый стенд №2

  • Процессор: Intel Pentium 4 3.6 ГГц (ядро Prescott E0, 1 МБ L2)
  • Чипсет: Intel 925X
  • Материнская плата: MSI 925X Neo, версия BIOS от 12/16/2004
  • Память: 2x256 МБ Samsung DDR2-667; 2x512 МБ Samsung DDR2-667 в режиме DDR2-533
  • Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
  • HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
  • Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.2.1.1001, DirectX 9.0c

Тестовый стенд №3

  • Процессор: Intel Pentium 4 3.6 ГГц (ядро Prescott E0, 1 МБ L2)
  • Чипсет: Intel 925XE
  • Материнская плата: ECS PF21 Extreme, версия BIOS F2 от 12/07/2004
  • Память: 2x256 МБ Samsung DDR2-667; 2x512 МБ Samsung DDR2-667 в режиме DDR2-533
  • Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
  • HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
  • Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.2.1.1001, DirectX 9.0c

Тестовый стенд №4

  • Процессор: Intel Pentium 4 3.6 ГГц (ядро Prescott E0, 1 МБ L2)
  • Чипсет: Intel 925XE
  • Материнская плата: Gigabyte 8AENXP-D, версия BIOS F2 от 01/04/2005
  • Память: 2x256 МБ Samsung DDR2-667; 2x512 МБ Samsung DDR2-667 в режиме DDR2-533
  • Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
  • HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
  • Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.2.1.1001, DirectX 9.0c

Тестовый стенд №5

  • Процессор: Intel Pentium 4 3.6 ГГц (ядро Prescott E0, 1 МБ L2) на частоте 3.73 ГГц (266 МГц x14)
  • Чипсет: Intel 925XE
  • Материнская плата: ECS PF21 Extreme, версия BIOS от 12/07/2004
  • Память: 2x256 МБ Samsung DDR2-667; 2x512 МБ Samsung DDR2-667 в режиме DDR2-533
  • Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
  • HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
  • Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.2.1.1001, DirectX 9.0c

Тестовый стенд №6

  • Процессор: Intel Pentium 4 3.6 ГГц (ядро Prescott E0, 1 МБ L2) на частоте 3.73 ГГц (266 МГц x14)
  • Чипсет: Intel 925XE
  • Материнская плата: Gigabyte 8AENXP-D, версия BIOS F2 от 01/04/2005
  • Память: 2x256 МБ Samsung DDR2-667; 2x512 МБ Samsung DDR2-667 в режиме DDR2-533
  • Видео: Leadtek PX350 TDH, nVidia PCX5900
  • HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
  • Драйверы: nVidia Forceware 62.01, Intel Chipset Utility 6.2.1.1001, DirectX 9.0c

Результаты тестирования

Тесты производительности

Несмотря на отмеченную выше схему таймингов 4-4-4-10 для случая DDR2-533, полученную округлением значения tRAS в меньшую сторону, в первой серии тестов все материнские платы выставили по умолчанию (Memory Timings: «by SPD») схему 4-4-4-11. Как бы там ни было, выставленное в настройках чипсета значение последнего параметра рассматриваемыми модулями памяти, как и большинством других, игнорируется, в чем мы убедились в следующей серии тестов.

Тесты 256-МБ модулей

ПараметрСтенд 1Стенд 2Стенд 3Стенд 4Стенд 5*Стенд 6*
Тайминги4-4-4-114-4-4-114-4-4-114-4-4-114-4-4-114-4-4-11
Средняя ПСП на чтение, МБ/с498755485551557069266840
Средняя ПСП на запись, МБ/с192920171983194622482252
Макс. ПСП на чтение, МБ/с647463766446639482148045
Макс. ПСП на запись, МБ/с428742654256428756945662
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс47.750.150.350.143.043.5
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс54.457.557.757.450.350.8
Минимальная латентность случайного доступа**, нс117.6117.8118.1117.1105.8106.6
Максимальная латентность случайного доступа**, нс135.2135.5136.1134.7123.3124.3
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
77.978.278.577.466.467.2
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
97.996.999.196.287.087.9
Минимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
118.5118.7119.1117.9106.4107.3
Максимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
138.5138.2139.1137.3126.0127.1

*частота FSB 266.7 МГц
**размер блока 16 МБ

Тесты 512-МБ модулей

ПараметрСтенд 1Стенд 2Стенд 3Стенд 4Стенд 5*Стенд 6*
Тайминги4-4-4-114-4-4-114-4-4-114-4-4-114-4-4-114-4-4-11
Средняя ПСП на чтение, МБ/с500155845586560869786949
Средняя ПСП на запись, МБ/с240324182400242427202673
Макс. ПСП на чтение, МБ/с648464426458643382888184
Макс. ПСП на запись, МБ/с428742654256428756955688
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс47.650.050.249.943.043.0
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс54.457.457.557.250.250.2
Минимальная латентность случайного доступа**, нс116.5116.7117.1116.1104.4104.6
Максимальная латентность случайного доступа**, нс134.3134.3135.1133.7122.0121.8
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
77.978.178.377.566.466.3
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
97.896.997.296.386.786.8
Минимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
117.3117.4117.8116.9105.0105.2
Максимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
137.1137.5137.5136.5123.8124.1

*частота FSB 266.7 МГц
**размер блока 16 МБ

Интересно отметить, что двухбанковые 512-МБ модули по большинству параметров (в частности, средней ПСП на чтение и запись) показывают некоторое преимущество перед однобанковыми 256-МБ образцами. Ощутимое отставание системной платы Gigabyte 8ANXP-D (стенд №1) с чипсетом i925X по величинам средней ПСП на чтение по сравнению с другими платами на чипсетах семейства i925X/XE можно объяснить использованием более ранней версией BIOS, которая, по всей вероятности, не включает «режим производительности» (PAT) контроллера памяти. Платы MSI 925X Neo (стенд №2), ECS PF21 Extreme (стенд №3) и Gigabyte 8AENXP-D (стенд №4) при функционировании на штатной частоте FSB 200 МГц показывают примерно равный результат. При функционировании двух последних с частотой системной шины 266 МГц плата ECS PF21 Extreme (стенд №5) демонстрирует небольшое преимущество над Gigabyte 8AENXP-D (стенд №6).

Тесты стабильности

Значения таймингов, за исключением tCL, варьировались «на ходу» благодаря встроенной в тестовый пакет RMMA возможности динамического изменения поддерживаемых чипсетом настроек подсистемы памяти. Устойчивость функционирования подсистемы памяти определялась с помощью специально разработанной нами вспомогательной утилиты, которая вскоре выйдет в свет в виде отдельного приложения, поставляемого вместе с тестовым пакетом RMMA.

Тесты 256-МБ модулей

ПараметрСтенд 1Стенд 2Стенд 3Стенд 4Стенд 5*Стенд 6*
Тайминги3-4-43-3-43-4-43-4-43-4-43-4-4
Средняя ПСП на чтение, МБ/с516956455593567470427003
Средняя ПСП на запись, МБ/с201822542197203224722292
Макс. ПСП на чтение, МБ/с650664266466645382458125
Макс. ПСП на запись, МБ/с428742654256428756945667
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс46.048.548.848.141.341.4
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс52.355.355.654.947.948.2
Минимальная латентность случайного доступа**, нс114.4110.4115.5114.2102.4103.4
Максимальная латентность случайного доступа**, нс131.8129.0132.8131.5119.8121.2
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
76.075.976.875.764.064.2
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
95.495.197.394.283.383.4
Минимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
115.3111.0116.2114.8103.4103.8
Максимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
135.1130.6136.4134.4121.4122.7

*частота FSB 266.7 МГц
**размер блока 16 МБ

Тесты 512-МБ модулей

ПараметрСтенд 1Стенд 2Стенд 3Стенд 4Стенд 5*Стенд 6*
Тайминги3-4-43-3-43-4-43-4-43-4-43-4-4
Средняя ПСП на чтение, МБ/с518856745637568371147009
Средняя ПСП на запись, МБ/с242923692396245227222698
Макс. ПСП на чтение, МБ/с650764306481646583418153
Макс. ПСП на запись, МБ/с428742654256428756955667
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс46.048.548.648.141.041.4
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс52.455.355.555.047.848.2
Минимальная латентность случайного доступа**, нс113.4109.4114.3113.2101.2102.3
Максимальная латентность случайного доступа**, нс130.7127.9131.7130.3118.7119.8
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
76.176.476.775.563.564.2
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
95.195.195.594.182.583.4
Минимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
114.2110.4115.0113.8101.8102.7
Максимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
134.3129.7134.4133.2119.5120.9

*частота FSB 266.7 МГц
**размер блока 16 МБ

Минимальные значения таймингов, достижимые для обоих видов модулей в режиме DDR2-533 на большинстве материнских плат — 3-4-4, являются весьма умеренными, особенно если учесть, что исследуемые модули рассчитаны на режим DDR2-667. Кроме того, на материнской плате MSI 925X Neo (стенд №2) как 256-МБ, так и 512-МБ модули позволили выставить схему таймингов 3-3-4, что незамедлительно сказалось на снижении латентности случайного доступа примерно на 5 нс относительно значений, полученных на других материнских платах при прочих равных условиях (стенды №1, №3 и №4).

Итоги

Протестированные образцы 256-МБ и 512-МБ модулей памяти Samsung DDR2-667 обладают хорошей совместимостью с использованными моделями материнских плат на чипсетах i925X и i925XE, хорошей производительностью (величины ПСП и латентностей типичны для высокопроизводительных модулей, функционирующих в режиме DDR2-533) и умеренным «разгонным потенциалом» по таймингам (функционируют при уменьшении величины tCL на единицу относительно номинала на всех системных платах, принявших участие в исследовании). Кроме того, нельзя не отметить тщательный и пунктуальный подход производителя к маркировкам модулей, микросхем и содержимому микросхемы SPD модулей, что создает образ высокого качества продукции.

Модули памяти Samsung DDR2-667 предоставлены компаниями MERLION и ZEON




30 марта 2005 Г.