Samsung, по данным отраслевых источников, на которые ссылается корейский ресурс The Elec, сделала важный шаг в развитии памяти нового поколения — компания получила рабочие кристаллы DRAM по техпроцессу 10a (9,5-9,7 нм), который считается первым шагом в области памяти ниже 10 нм. Для индустрии это значимое событие: наличие работающего образца означает, что технология не только спроектирована на бумаге, но и уже реально функционирует в кремнии.
Новая DRAM-платформа Samsung Electronics опирается на несколько ключевых технологических изменений. В частности, компания переходит на более компактную структуру ячеек 4F Square вместо прежней 6F Square. Только одно это позволяет увеличить плотность ячеек в каждом интегральном модуле на 30-50%.
Чтобы компенсировать усложнение архитектуры, инженеры применили вертикальный транзисторный канал (VCT), а также использовали материал IGZO в канале транзистора. Такой подход помогает лучше удерживать заряд и снижает утечки, что особенно важно при уменьшении размеров элементов.
Ещё одно важное изменение — разделение логики памяти и периферийных схем. Часть вспомогательных блоков планируется выносить на отдельный слой и соединять с основной пластиной с помощью гибридного соединения wafer-to-wafer (PUC).
Как сообщается, Samsung Electronics планирует завершить разработку 10a DRAM в течение 2026 года года, провести тестирование в 2027 году, а начать массовое производство — к 2028 году. Если график будет выдержан, компания сможет укрепить позиции в сегменте памяти нового поколения и приблизиться к переходу на объёмные (3D) архитектуры DRAM.
