Компания Samsung Electronics нацелилась на то, чтобы стать лидером на рынке памяти 3D DRAM. Это объявление было сделано на конференции Memcon 2024, где компания представила ряд новинок.
Поскольку ожидается, что во второй половине этого производство DRAM будет вестись по технологиям ниже 10 нм, современные архитектуры памяти приближаются к пределу масштабирования. Это стимулировало изучение инновационных решений, таких как 3D DRAM, которые обещают значительные преимущества с точки зрения ёмкости и сокращения занимаемой площади.
На выставке Memcon 2024 компания Samsung продемонстрировала две ключевые технологии для 3D DRAM: транзисторы с вертикальным каналом (Vertical Channel Transistors) и многоуровневую DRAM (Stacked DRAM). Транзисторы с вертикальным каналом представляют собой фундаментальный сдвиг в конструкции транзисторов. Перевернув канал тока с горизонтального на вертикальный, Samsung стремится значительно уменьшить занимаемую площадь транзистора. Однако этот подход также требует гораздо более высокой точности процесса травления.
С другой стороны, многоуровневая DRAM ориентирована на максимальное использование пространства. В отличие от традиционной двухмерной DRAM, которая использует только горизонтальную плоскость, Stacked DRAM использует вертикальное измерение (ось Z) для укладки нескольких слоев ячеек памяти в один кристалл. Этот инновационный подход потенциально может увеличить ёмкость одного чипа до более чем 100 ГБ.
По прогнозам, к 2028 году рынок 3D DRAM достигнет 100 миллиардов долларов. Чтобы укрепить своё лидерство в этой гонке, Samsung предприняла активные шаги, создав в начале этого года специальную исследовательскую лабораторию 3D DRAM в Кремниевой долине.