На заводе «Ангстрем-Т» освоена технология Trench MOSFET

В настоящий момент в России только «Ангстрем-Т» может выпускать транзисторы такого типа

Российское предприятие «Ангстрем-Т» сообщило об освоении современной технологии полупроводникового производства. Речь идет о технологии силовых транзисторов Trench MOSFET. В настоящий момент в России только «Ангстрем-Т» может выпускать транзисторы такого типа.

На заводе «Ангстрем-Т» освоена технология Trench MOSFET

Транзисторы Trench MOSFET широко используются в электронной технике, будучи ключевыми компонентами преобразователей и регуляторов напряжения в цепях электропитания. Они качественно превосходят планарные силовые транзисторы, позволяя конструировать устройства с большей энергетической эффективностью, меньшей массой и габаритами. Рост рынка электроники и переход к электромобилям обуславливают стабильно растущий спрос на силовые транзисторы.

«Ангстрем-Т» располагает мощностями, на которых можно выпускать полупроводниковые изделия по топологическим нормам 250, 130 и 90 нм.

Автор:

| Источник: «Ангстрем-Т»

Все новости за сегодня

Календарь

январь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс