Micron начинает серийное производство первых «монолитных» микросхем памяти LPDDR4x DRAM плотностью 12 Гбит

Микросхемы LPDDR4x DRAM выпускаются по технологии 10-нанометрового класса

Компания Micron Technology объявила о начале серийного производства микросхем памяти LPDDR4x DRAM плотностью 12 Гбит. По словам производителя, это максимальная плотность для «монолитных» микросхем — она вдвое превышает показатель микросхем, выпускавшихся до настоящего момента. К тому же новые микросхемы являются самыми быстрыми и имеют низкое энергопотребление — на 10% меньше по сравнению с предыдущим поколением (при той же скорости передачи данных 4266 Мбит/с).

Micron начинает серийное производство первых «монолитных» микросхем памяти LPDDR4x DRAM плотностью 12 Гбит

Используя микросхемы плотностью 12 Гбит, можно удвоить объем ОЗУ смартфона или планшета, не увеличивая место, занимаемое ими на печатной плате. Увеличенный объем памяти востребован в связи с популяризацией приложений, работающих с большими объемами данных, включая приложения искусственного интеллекта и расширенной реальности. Также мобильные устройства нового поколения часто оснащены камерами из нескольких модулей высокого разрешения, которым тоже необходимо больше ОЗУ. Наконец, ожидается, что развертывание мобильных технологий 5G тоже повысит требования к объему и быстродействию памяти смартфонов.

Микросхемы LPDDR4x DRAM выпускаются по технологии 10-нанометрового класса (1Y-nm).

Автор:

| Источник: Micron Technology

Все новости за сегодня

Календарь

ноябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30