Компания Toshiba объявила о выпуске встраиваемых модулей Universal Flash Storage (UFS), в которых используется 64-слойная флэш-память 3D NAND BiCS. Модули предназначены для приложений, где востребована высокая скорость чтения и записи вкупе с низким энергопотреблением. В частности, это смартфоны, планшеты и гарнитуры виртуальной реальности.
Запланирован выпуск модулей объемом 32, 64, 128 и 256 ГБ. Для внешнего оформления выбран корпус, занимающий на плате участок размерами 11,5 x 13 мм. Помимо флэш-памяти, в корпусе находится контроллер, распределяющий нагрузку между блоками, транслирующий логические адреса в физические, корректирующий ошибки и учитывающий поврежденные блоки.
Модули соответствуют спецификациям JEDEC UFS ver. 2.1, включая HS-GEAR3, то есть поддерживают теоретическую скорость до 5,8 Гбит/с в расчете на линию. Фактическая скорость последовательного чтения в случае модуля объемом 64 ГБ достигает 900 МБ/с, скорость последовательной записи — 180 МБ/с. На операциях чтения и записи с произвольным доступом новые модули на 200% и 185% соответственно превосходят модули предыдущего поколения.