Завершена двухгодичная работа над надстройкой стандарта беспроводной связи 802.15.4. Альянс ZigBee — это открытый некоммерческий проект более 100 компаний, и их разработка предназначена в первую очередь для недорогой широкополосной беспроводной связи в сеть устройств промышленной автоматики, сенсоров и других автономных устройств, которым достаточно небольшой пропускной способности сети, но желательна работа от батарей в течение долгого времени. Также изначально в стандарт закладывается принцип построения mesh-сетей, распределённых сетей равноправных устройств без чётко прописанного маршрута следования сигнала.
Особо связь по новому стандарту позиционируется в «цифровой дом» для подсоединения мышей, клавиатур и «мудрых кофеварок» к домашнему серверу, централизованного управления видео- и аудиоаппаратурой, кондиционерами, воротами и прочим.
Немного технических данных.
Альянс занимается разработкой спецификаций, тестированием оборудования на совместимость с ними и брэндингом. Т.к. спецификации разработаны, следует ждать потока анонсов сертифицированных устройств и развития сетей нового стандарта.
Наиболее активные члены альянса: Ember, Freescale, Honeywell, Invensys, Mitsubishi, Motorola, Philips и Samsung.
Компания Cornice планируется представить на выставке CES (Consumer Electronics Show) в январе будущего года свои новые диски форм-фактора 1 дюйм и объёмом 3 Гб. В настоящий момент миниатюрные жёсткие диски Cornice используются в некоторых цифровых плеерах Creative начального уровня, но компания планирует расширить клиентскую базу при помощи внедрения новой технологии CrashGuard, которая помогает защитить пластины от ударов и минимизировать перерывы в считывании данных при вибрации.
Вибрация плеера – серьёзная проблема для производителей устройств на CD и винчестерах, т.к. в после достижения определённого ускорения считывание с носителя прерывается, и бороться с этим приходится встраиванием в плеера «антишока», т.е. некоторого объёма оперативной памяти, в которой и кэшируются воспроизводимые файлы. Однако при занятии спортом и танцах может не хватать памяти для непрерывного воспроизведения.
Новая технология предназначена для борьбы с этим явлением. Она разработана Hitachi GST в сотрудничестве с IBM и применяется в жёстких дисках, используемых в ноутбуках серии ThinkPad. Встроенные инерционные сенсоры в диске в момент достижения им некоторого порогового ускорения паркуют головки, чтобы предотвратить повреждение пластин, а после снижения уровня повреждающего воздействия процесс чтения данных быстро возобновляется. Конечно же, за счёт этой технологии повышается и устойчивость к летальным повреждениям пластин.
По словам Дэйва Феллера (Dave Feller), вице-президента Cornice по маркетингу, новыми винчестерами уже заинтересовалась Philips, которая намерена выпуском плееров на их основе начать конкурировать с Apple iPod на европейском и североамериканском рынках. И это несмотря на патентные претензии к Cornice со стороны Seagate и Western Digital. Феллера успокаивает то, что патентные претензии будут заслушаны в суде позднее выхода новых винчестеров на рынок. Seagate также выступает с иском против Cornice в Международной Торговой Комиссии, но этот иск будет рассмотрен только в 2006 году.
К январю 2005 года компания CASIO приготовила сюрприз всем, кто любит активный отдых на природе, вечеринки и другие мероприятия, на которых Вам непременно хочется сделать качественный снимок, но долго настраивать камеру нет ни желания ни времени. Модель QV-R62 позиционируется компанией как удобная и простая в обращении, и с высоким уровнем качества.
Основные характеристики камеры CASIO QV-R62:
Некоторые дополнительные детали. Время срабатывания затвора камеры очень низкое — всего 0.01 с. после фокусировки и при выключенном мониторе. Функция Direct On позволяет максимально быстро подготовить камеру к съемке — при нажатии этой кнопки камера готова к съемке уже через 1 секунду. BESTSHOT — насчитывает 23 предустановленных режима съемки. Также камера помогает при съемке в трудных условиях, обеспечивая приемлемый уровень яркости при использовании функции Flash Assist.
Компания SMART Modular Technologies сообщила о расширении линейки регистровых PC3200 DIMM двумя модификациями: с высотой платы 0,72 и 1,2 дюйма – для систем формфактора до 1U и стандартных 1U решений соответственно. Новые модули имеют организацию 512Mx72 и выполнены на 512 Мбит компонентах; напряжение питания низкопрофильных модулей — +2,6 В.
Как соглашаются специалисты, модули с высотой 0,72 дюйма в настоящее время пользуются достаточной популярностью, поскольку позволяют обеспечить 38% экономию места на плате в случае 1U модулей (за счет расположения установки DIMM вертикально, а не под углом).
Полная линейка 4 Гб модулей компании выглядит так:
| OEM-номенклатура | Тип | Высота | Емкость | Организация | Архитектура компонентов |
| SM572124DD8E8FO01 | PC3200 3-3-3 | 0.72" | 4 Гб | 512Mx72 | 128Mx4 |
| SM572124DD8E8FO | 1.2" | ||||
| SM51272RDDR8H4BGLP | 1.2" | ||||
| SM51272RDDR6H4BGLP | PC2700 2.5-3-3 | 1.2" | |||
| SM51272RDDR8H4BGVP | PC3200 3-3-3 | 0.72" | |||
| SM51272RDDR6H4BGVP | PC2700 2.5-3-3 | 0.72" | |||
| SM51272RDDR6H4HP-I | 2.0" | ||||
| SM51272RDDR6H4HP-S | 2.0" |
Компания Renesas Technology сообщила о разработке магниторезистивной RAM (Magnetoresistive Random Access Memory), предназначенной для использования в составе систем-на чипе. Точнее, производитель продемонстрировал прототип 1 Мбит MRAM, выполненной с использованием норм 0,13-мкм CMOS техпроцесса.
По результатам проведенных испытаний инженеры компании сообщили, что тактовая частота работы микросхемы составила 143 МГц при напряжении питания 1,2 В. Количество циклов перезаписи, выдержанных прототипами, составило свыше 1 трлн., (при темпе6ратуре 150°С), при этом ухудшения характеристик не обнаружено; время чтения данных из ячейки составило, согласно результатам тестирования, 5,2 нс.
Напомним, что при производстве MRAM используются магнитный материал (часто используемый в магнитных считывающих головках) и переход с магнитным туннелированием (Magnetic Tunnel Junction, MTJ). Производительность MRAM зависит от структуры и состава MTJ. Исследования, проведенные Renesas совместно с Mitsubishi Electric, заключались в изучении зависимости величины магниторезистивного соотношения от резистивной поверхности перехода.
Продемонстрированные прототипы MRAM имеют архитектуру 1T-1MTJ (1 транзистор и 1 переход на ячейку памяти), размер элемента магниторезистивного туннеля (TMR (tunnel magneto-resistance) element) составляет 0,26x0,44 µм², размер ячейки памяти – 0,81 µм².
Роботизированные транспортные средства, фактически надеваемые на водителя, созданы корпорацией Toyota. Компания видит первые средства передвижения 21 века в двух вариантах: как четырехколесное устройство, похожее на лист, и как яйцеобразный кокон, облаченный в который, человек может передвигаться в вертикальном положении на «ногах».
Оба эти прототипа будут продемонстрированы на выставке Expo 2005 в Японии в марте следующего года. Роботы позиционируются как «устройства личного передвижения» и имеют несколько ограничений.
«Листомобиль», "i-unit", является последней версией разработки концепции, которую компания анонсировала в прошлом году. Созданный при помощи материалов на растительной основе, робот оборудован интеллектуальной транспортной системой, которая позволяет передвижение на автопилоте по специально оборудованным дорогам. Модель также позволяет пассажиру совершать повороты, фактически не трогаясь с места, передвигаться в вертикальном положении на низких скоростях и может быть быстро переведена в откинутую позицию.
Также на выставке будет представлена еще одна разработка Toyota, "i-foot". Это двуногий робот, управляемый при помощи джойстика. Модель высотой чуть более двух метров может передвигаться со скоростью около 1,4 км/ч, а также подниматься и спускаться по лестнице. Подъем осуществляется при помощи похожих на птичьи ног, сгибающихся в обратную сторону.
По материалам PC Watch, Ananova
Еще одно интересное сообщение с проходящей в эти дни конференции IEDM (International Electron Devices Meeting) – Samsung представила детали своей технологии OxRRAM, предназначающейся для создания энергонезависимой памяти нового поколения.
OxRRAM является развитием технологий резистивной памяти. Расшифровывается эта аббревиатура как Oxide Resistive Random Access Memory. Утверждается, что размер ячейки OxRRAM, выполненной с соблюдением норм 0,18-мкм техпроцесса, составляет 0,2 кв. мкм, максимальное количество циклов записи – 100, напряжение питания – до 3 В, ток переключения – 2 мА.
Кроме того, совместно с Infineon Samsung сообщила о выработке новых подходов к созданию оперативной памяти (DRAM) малых размеров с использованием технологий d-finFET (damascene-finFET, неплоские полевые транзисторы). Более того, Samsung утверждает, что смогла создать по 80-нм d-finFET технологии микросхему DRAM плотностью 512 Мбит.
Компания Broadcom объявила сегодня о вступлении в консорциум компаний, посвященный тестированию возможностей взаимодействия сетей через новый стандарт удаленного доступа к памяти RDMA для Ethernet.
Консорциум UNH-IOL iWARP — это поддерживаемая отраслью организация, сотрудничающая с компаниями, проводящая независимые тесты и разрабатывающая методики тестирования протоколов iWARP.
Broadcom будет содействовать процессу тестирования, который является отправной точкой для определения и решения проблем взаимодействия сетей между устройствами различных производителей. Broadcom и другие члены этой организации разрабатывают подробную методику тестирования, что должно повести за собой создание стандартов высокого уровня.
Консорциум RDMA был создан в ответ на растущий спрос памяти высокой пропускной способности, требуемой для поддержки высокопроизводительных и матричных вычислений. iWARP является стандартом для протоколов, поддерживающих RDMA в Ethernet-сетях через TCP/IP.
В консорциум UNH-IOL iWARP входят также такие компании, как Ammaso, Chelsio Communications, EMC, HP, Intel, Lamprey Networks, Microsoft, NetEffect, Network Appliance, S2io, Siliquent Technologies и Sun Microsystems.
После произошедшего превышения средней дневной цены за 30 дней на спотовом рынке энтузиазм трейдеров несколько угас и темпы роста цен компонентов значительно сократились. Напомним, что на протяжении последних дней основными факторами, способствовавшими увеличению цен DDR SDRAM, являлись, во-первых, спрос на память из Китая, а, во-вторых, дефицит печатных плат у тайваньских производителей модулей.
Ограниченный дефицит компонентов, имевший место быть, тоже, похоже, исчезает, поскольку «запоздавшие» заказанные объемы микросхем начали поступать на спотовый рынок вчера в конце дня и продолжают поступать сегодня. Цена нетестированных компонентов сегодня на открытии была чуть выше 3,57-3,58 доллара, маркеры на сегодняшних торгах в среднем стоили 3,64/3,85/4,02 доллара [256 Мбит (32x8) компоненты DDR266/333/400 SDRAM соответственно] (суточный рост – 0/0,44 и 0,09%).
Отсутствие спроса и избыток наличия на складах компонентов SDR SDRAM низкой плотности (16 – 1x16 и 64 – 4x16 Мбит) не дают расти ценам микросхем этих типов, так что наблюдавшийся некоторое время назад рост цен прекратился быстро. Впрочем, по данным аналитиков DRAMeXchange, ряд производителей микросхем сокращает мощности, отведенные под выпуск памяти данного типа, а, поскольку рынок невелик, то ограничение поставок может способствовать началу нового роста. Отметим, впрочем, что в преддверии конца месяца и года, темпы роста (если он случится вообще) будут низкими.
Рынок NAND-флэш стабилен: во-первых, предложения 2 и 8 Гбит микросхем немногочисленны, впрочем, и спрос не столь велик, во-вторых, количество микросхем этих плотностей на спотовом рынке не увеличивается и не уменьшается, так что и цены остаются стабильными с умеренным ростом (в ряде регионов) 0,11% и 1,53% (17,54 и 63,32 доллара) за 2 и 8 Гбит компоненты. По оценкам DRAMeXhange, контрактные цены NAND-флэш за последние 4 месяца медленно снижаются; на сегодняшний день спотовые цены выше контрактных, разница цен в процентном соотношении составляет 11, 1, 3 и 1% для 8, 4, 2 и 1 Гбит компонентов соответственно, то есть, 8 и 2 Гбит микросхемы – основные претенденты на снижение цен за оставшиеся две недели.
До момента обновления контрактных цен спотовые цены как DDR SDRAM, так и SDR SDRAM с большой вероятностью будут оставаться на текущем уровне или даже немного снизиться: судя по графикам, отражающим ситуацию с ценами за разные периоды времени, кривые средней суточной цены и цены за 30 дней идут практически параллельно и с минимальным превышением, в то время как с конца прошлой недели рост кривой среднесуточных цен был выражен более явно. Исходя из этого, можно сделать предположение, что участники торгов займут выжидающую позицию. Им нужно определить, вернутся ли на спотовый рынок OEM-производители ПК, закупавшие модули после недостаточного для них [производителей] снижения контрактных цен в первой половине месяца. Если спрос на память из Китая снизится, то произошедший рост цен станет последним в этом году.
На начавшейся вчера конференции IEDM (International Electron Devices Meeting) Chartered, IBM, Infineon и Samsung рассказали о технологии производства полупроводниковых микросхем с соблюдением норм 65-нм технологического процесса, позволяющей добиться 35% улучшения производительности по сравнению с 90-нм технологиями.
Надо полагать, что разработка 65-нм технологии стала результатом соглашений, подписанных IBM с каждой из участвовавшей в разработке компанией по отдельности – с AMD, Chartered, Infineon и Samsung.
65-нм технология IBM «со товарищи» будет доступна в двух вариантах: базовом и экономичном (с малым энергопотреблением). По новой технологии будут выпускаться логические ИС, статическая оперативная память (SRAM), цифро-аналоговые микросхемы и встраиваемая память.
Если верить представленным данным, размер ячейки SRAM составляет от 0,51 до 0,682 кв. мкм, по новой технологии можно создавать до 10 слоев внутренних соединений, до 9 слоев медных проводников на low-k диэлектрике (с малой диэлектрической проницаемостью), в точности таком же, что IBM использует в 90-нм техпроцессе (Applied Materials).
Утверждается, что толщина затвора (plasma nitrided gate oxide) составляет 12,5 ангстрем, ток утечки в закрытом состоянии составляет от 0,5 до 50 нА (наноампер).
Своим пресс-релизом компания Shuttle сообщила о том, что начала поставки пишущего DVD-привода CR40. Этот привод предназначен для установки в SFF (small form-factor) системы семейства XPC.
Shuttle CR40 обеспечивает скорость записи до 16х на DVD±RW диски и до 4х на двухслойные (DL) носители.
Дизайн и внешний вид привода полностью соответствует SFF-системе XPC SS58G2, как по цветовой гамме, так и по дизайну кнопок на передней панели.
Lexar Media представила на днях новые накопители на флэш-памяти с интерфейсом USB уменьшенных размеров. Причем, можно смело сказать, что размеры накопителей уменьшены до минимума – до размеров разъема USB Type A. Как говорится, ничего лишнего.
Размеры накопителя составляют 12 мм в ширину, 4,5 мм в высоту и 31,75 мм в длину. Lexar планирует выпустить на рынок в будущем году USB FlashCard, поддерживающие USB 1.1, емкостью 16, 32 и 64 Мб, а также накопители, поддерживающие USB 2.0 и обладающие емкостью 64 Мб, 128 Мб, 256 Мб, 512 Мб и 1 Гб. Скорость записи/чтения – до 60 Мб/с.
Отмечается, что помимо компактных размеров, накопители на флэш-памяти, выполненные в цельнометаллических корпусах, обладают повышенной стойкостью к вредным для них воздействиям со стороны окружающей среды.
