Исследование основных характеристик модулей памяти

Часть 18: Модули Super Talent DDR2-800


Мы продолжаем изучение важнейших характеристик высокоскоростных модулей DDR2 на низком уровне с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. Наши предыдущие исследования в этой категории были посвящены модулям Corsair DDR2-667UL, DDR2-1000 и ADATA DDR2-800, а в настоящей статье мы рассмотрим очередное предложение высокоскоростной категории от Super Talent — 2-ГБ пару модулей DDR2-800.

Информация о производителе модуля

Производитель модуля: Super Talent Technology Corporation
Производитель микросхем модуля: неизвестен
Сайт производителя модуля:
www.supertalent.com/SuperTalentMemory/products/product_guide.php?catlog=Desktop
www.supertalent.com/Home/ru.php (русскоязычное зеркало)

Внешний вид модуля

Фото модуля памяти

Part Number модуля

Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR2, как и какая-либо техническая документация на данную серию модулей, на сайте производителя отсутствует. На странице краткого описания продукта указывается, что продукт с Part Number T800UX2GC4 представляет собой двухканальный набор «разогнанных» модулей DDR2-800 суммарным объемом 2 ГБ (2 x 1ГБ) с конфигурацией модулей 128M x 64. Модули функционируют в указанном режиме при таймингах 4-3-4-8, какая-либо информация о питающем напряжении отсутствует, в связи с чем будем подразумевать, что модули способны функционировать в таком режиме при стандартном напряжении 1.8 В.

Данные микросхемы SPD модуля

Описание общего стандарта SPD:

Описание специфического стандарта SPD для DDR2:

ПараметрБайтЗначениеРасшифровка
Фундаментальный тип памяти208hDDR2 SDRAM
Общее количество адресных линий строки модуля30Eh14 (RA0-RA13)
Общее количество адресных линий столбца модуля40Ah10 (CA0-CA9)
Общее количество физических банков модуля памяти561h2 физических банка
Внешняя шина данных модуля памяти640h64 бит
Уровень питающего напряжения805hSSTL 1.8V
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X)93Dh3.75 нс (266.7 МГц)
Тип конфигурации модуля1100hNon-ECC
Тип и способ регенерации данных1282h7.8125 мс — 0.5x сокращенная саморегенерация
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти1308hx8
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля1400hНе определено
Длительность передаваемых пакетов (BL)160ChBL = 4, 8
Количество логических банков каждой микросхемы в модуле1704h4
Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL)1838hCL = 5, 4, 3
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1)233Dh3.75 нс (266.7 МГц)
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2)2550h5.00 нс (200.0 МГц)
Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP)273Ch15.0 нс
4, CL = 5
4, CL = 4
3, CL = 3
Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD)281Eh7.5 нс
2.0, CL = 5
2.0, CL = 4
1.5, CL = 3
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD)293Ch15.0 нс
4, CL = 5
4, CL = 4
3, CL = 3
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS)3028h45.0 нс
10.67, CL = 5
10.67, CL = 4
8, CL = 3
Емкость одного физического банка модуля памяти3180h512 МБ
Период восстановления после записи (tWR)363Ch15.0 нс
4, CL = 5
4, CL = 4
3, CL = 3
Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR)371Eh7.5 нс
2.0, CL = 5
2.0, CL = 4
1.5, CL = 3
Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP)381Eh7.5 нс
2.0, CL = 5
2.0, CL = 4
1.5, CL = 3
Минимальное время цикла строки (tRC)41, 4037h, 00h55.0 нс
14.67, CL = 5
14.67, CL = 4
11, CL = 3
Период между командами саморегенерации (tRFC)42, 4069h, 00h105.0 нс
28, CL = 5
28, CL = 4
21, CL = 3
Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax)4380h8.0 нс
Номер ревизии SPD6212hРевизия 1.2
Контрольная сумма байт 0-6263B3h179 (верно)
Идентификационный код производителя по JEDEC64-7100h, 43h,
41h, 54h,
44h, 00h,
00h, 00h
Неверно («CATD»)
Part Number модуля73-9000h...00hНе определено
Дата изготовления модуля93-9406h, 01h2006 год, 1 неделя
Серийный номер модуля95-9800h, 00h,
00h, 00h
Не определено

Содержимое SPD модулей выглядит достаточно странно. По этим данным, модули поддерживают три величины задержки сигнала CAS# — 5, 4 и 3. Однако и первому (CL X), и второму (CL X-1) значению соответствует одна и та же величина периода синхросигнала, равная 3.75 нс (частота 266.7 МГц, т.е. режим DDR2-533). Т.е. получается, что рассматриваемые модули как бы являются модулями DDR2-533(!) — даже не DDR2-667, не говоря уж о DDR2-800. По нашим многочисленным исследованиям модулей памяти DDR2 можно сказать, что такой безответственный подход к программированию содержимого SPD можно встретить нечасто. Тем не менее, вернемся к рассмотрению содержимого SPD модулей Super Talent. Третьему значению задержки сигнала CAS# (CL X-2), как и следовало ожидать, соответствует большая величина периода синхросигнала, равная 5.0 нс (т.е. режим DDR2-400). Схемы основных таймингов для первых двух случаев (режим DDR2-533) могут быть записаны как 5-4-4-11 (с округлением) и 4-4-4-11 (с округлением), соответственно, а для последнего (DDR2-400) — 3-3-3-8. Нетрудно заметить, что такие тайминги весьма далеки от заявленных «4-3-4-8» для режима DDR2-800.

Среди прочих особенностей можно отметить немного увеличенное значение минимального времени цикла регенерации (tRFC = 105 нс), более типичное для «обычных», нежели высокоскоростных модулей памяти DDR2. Данные SPD содержат верный номер ревизии SPD (1.2) и даже дату изготовления модулей (1-я неделя 2006 года). В то же время, идентификационный код производителя указан неверно (если рассматривать его «буквенную составляющую» — значения 43h, 41h, 54h и 44h, получается некая аббревиатура «CATD», непонятно как относящаяся к реальному производителю), а также отсутствуют данные о Part Number и серийном номере модулей.

Конфигурации тестовых стендов

Тестовый стенд №1

  • Процессор: Intel Pentium 4 Extreme Edition 3.73 ГГц (Prescott N0, 2 МБ L2) на частоте 2.8 ГГц (200.0 МГц x14)
  • Чипсет: Intel 975X, частота FSB 200.0 МГц
  • Материнская плата: ASUS P5WD2-E Premium, версия BIOS 0206 от 12/21/2005
  • Память: 2x1024 МБ Super Talent DDR2-800

Тестовый стенд №2

  • Процессор: Intel Pentium 4 Extreme Edition 3.73 ГГц (Prescott N0, 2 МБ L2) на частоте 3.73 ГГц (266.7 МГц x14)
  • Чипсет: Intel 975X, частота FSB 266.7 МГц
  • Материнская плата: ASUS P5WD2-E Premium, версия BIOS 0206 от 12/21/2005
  • Память: 2x1024 МБ Super Talent DDR2-800

Результаты тестирования

Тесты производительности

В первой серии тестов использовалась схема таймингов, выставляемая в настройках BIOS по умолчанию (Memory Timings: «by SPD»). В связи с отсутствием в SPD модулей надлежащих данных для режимов DDR2-667 и DDR2-800, в которых проводилось тестирование модулей, используемая для тестов материнская плата ASUS P5WD2-E выставила схемы таймингов, можно сказать, «наугад» — 4-5-5-14 в режиме DDR2-667 и 4-6-6-16 в режиме DDR2-800.

ПараметрDDR2-667DDR2-800
Стенд 1Стенд 2*Стенд 1Стенд 2*
Тайминги4-5-5-144-5-5-144-6-6-164-6-6-16
Средняя ПСП на чтение, МБ/с5484657456296913
Средняя ПСП на запись, МБ/с2177241422582602
Макс. ПСП на чтение, МБ/с6797866668388955
Макс. ПСП на запись, МБ/с4282567242825679
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс54.647.749.544.7
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс64.155.459.152.1
Минимальная латентность случайного доступа**, нс111.598.6102.793.3
Максимальная латентность случайного доступа**, нс135.7117.7125.8112.1
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
84.273.875.468.8
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
110.293.3102.488.6
Минимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
112.099.8102.994.2
Максимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
137.9119.6130.3114.0

*частота FSB 266.7 МГц

**размер блока 16 МБ

Тем не менее, по приведенным выше результатам, рассматриваемые модули имеют достаточно высокие скоростные показатели (максимально достижимые величины реальной ПСП в настоящих тестах на процессорах с 2-МБ L2-кэшем близки к типичным значениям в 6.8 ГБ/с при частоте FSB 200 МГц и 9.0 ГБ/с при 266 МГц). Задержки при доступе в память (латентность памяти) также весьма невысоки — легко заметить, что они снижаются при выставлении как более высокой частоты памяти, так и более высокой частоты FSB (в последнем случае эффект ощутимее), в связи с чем наименьшие задержки достигаются в режиме DDR2-800 при частоте системной шины 266 МГц.

Тесты стабильности

Значения таймингов, за исключением tCL, варьировались «на ходу» благодаря встроенной в тестовый пакет RMMA возможности динамического изменения поддерживаемых чипсетом настроек подсистемы памяти. Устойчивость функционирования подсистемы памяти определялась с помощью вспомогательной утилиты RightMark Memory Stability Test, входящей в состав тестового пакета RMMA.

ПараметрDDR2-667DDR2-800
Стенд 1Стенд 2*Стенд 1Стенд 2*
Тайминги4-4-34-4-34-4-34-4-3
Средняя ПСП на чтение, МБ/с5503661556937017
Средняя ПСП на запись, МБ/с2294258924462827
Макс. ПСП на чтение, МБ/с6821872668489057
Макс. ПСП на запись, МБ/с4282567442825684
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс54.547.549.044.2
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс64.055.158.551.5
Минимальная латентность случайного доступа**, нс108.595.397.287.6
Максимальная латентность случайного доступа**, нс133.0114.4121.2106.3
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
84.072.775.168.6
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
109.893.0102.487.8
Минимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
109.696.498.688.4
Максимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
135.8116.2125.1108.1

*частота FSB 266.7 МГц

**размер блока 16 МБ

Удивительно, но минимально достижимые тайминги в режиме DDR2-667 оказались сравнительно «средними» — всего 4-4-3 (значение последнего тайминга, tRAS, как обычно, игнорируется — его можно уменьшить вплоть до 4 без видимых изменений). Заметим, что мы использовали стандартное питающее напряжение модулей 1.8 В, т.к. производитель модулей не указывает на необходимость использования более высокого напряжения. Указанная схема таймингов относится к наилучшему случаю с точки зрения стабильности — вообще говоря, настоящие модули в режиме DDR2-667 позволяли использовать и более «жесткие» тайминги — вплоть до 3-3-3, но это сопровождалось появлением ошибок в тесте стабильности.

Еще более удивительно то, что в более скоростном режиме DDR2-800 рассматриваемые модули оказались способными устойчиво функционировать при выставлении... той же самой схемы таймингов 4-4-3 (ее эквивалент в режиме DDR2-667 составляет 3.3-3.3-2.5, что все же несколько более консервативно, чем неустойчивая конфигурация 3-3-3).

Как обычно, использование более скоростных схем таймингов позволяет несколько увеличить ПСП и снизить латентности, но нельзя сказать, что этот эффект является столь ощутимым — так, максимальное уменьшение латентности наблюдается при случайном обходе и составляет примерно 6 нс, т.е. менее 5%, а увеличение ПСП еще менее заметно, т.к. не превышает 1-2%.

Итоги

Протестированные модули памяти Super Talent DDR2-800 — новое предложение на российском рынке — можно считать вполне полноправными представителями модулей памяти класса high-end. Эти модули демонстрируют вполне хорошие скоростные характеристики и «разгонный потенциал по таймингам» — они способны функционировать в режиме DDR2-800 с использованием номинального питающего напряжения 1.8 В при таймингах вплоть до 4-4-3. Единственным недостатком рассмотренных модулей является явно ненадлежащее качество содержимого SPD, относящегося к неким модулям скоростной категории DDR2-533 неизвестного производителя, что может приводить к определенным трудностям в автоматическом определении параметров их функционирования BIOS-ами материнских плат (теоретически — вплоть до полной несовместимости). С другой стороны, то обстоятельство, что модули рассчитаны на энтузиастов, по определению знакомых с ручной настройкой различных параметров системы, включая настройки подсистемы памяти, возможно, смягчает указанный недостаток.

Средняя текущая цена (количество предложений) в московской рознице:

Модули памяти Super Talent 2048 МБ DDR2-800 Н/Д(0)


Модули памяти Super Talent DDR2-800 предоставлены мастер-дистрибьютором
модулей памяти Super Talent компанией MA LABS




27 апреля 2006 Г.