Мы продолжаем изучение важнейших характеристик высокоскоростных модулей DDR2 на низком уровне с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. Сегодня мы рассмотрим очередное предложение неофициальной скоростной категории «DDR2-1000» — двухканальный комплект модулей памяти Patriot суммарным объемом 1 ГБ.Информация о производителе модуля
Производитель модуля: PDP Systems, Inc.
Производитель микросхем модуля: неизвестен
Сайт производителя модуля: www.patriotmem.com/products/index.jsp?source=2Внешний вид модуля
Фото модуля памяти
Расшифровка Part Number модуля
Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR2 на сайте производителя отсутствует. На странице web-сайта производителя, посвященной данным модулям, указывается, что продукт представляет собой комплект из двух модулей объемом 512МБ каждый, рассчитанных на функционирование в режиме DDR2-1000 при таймингах 5-5-5-15 и питающем напряжении до 2.3 В.Данные микросхемы SPD модуля
Описание общего стандарта SPD:
Описание специфического стандарта SPD для DDR2:
| Параметр | Байт | Значение | Расшифровка |
|---|---|---|---|
| Фундаментальный тип памяти | 2 | 08h | DDR2 SDRAM |
| Общее количество адресных линий строки модуля | 3 | 0Eh | 14 (RA0-RA13) |
| Общее количество адресных линий столбца модуля | 4 | 0Ah | 10 (CA0-CA9) |
| Общее количество физических банков модуля памяти | 5 | 60h | 1 физический банк |
| Внешняя шина данных модуля памяти | 6 | 40h | 64 бит |
| Уровень питающего напряжения | 8 | 05h | SSTL 1.8V |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X) | 9 | 20h | 2.00 нс (500.0 МГц) |
| Тип конфигурации модуля | 11 | 00h | Non-ECC |
| Тип и способ регенерации данных | 12 | 82h | 7.8125 мс — 0.5x сокращенная саморегенерация |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти | 13 | 08h | x8 |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля | 14 | 00h | Не определено |
| Длительность передаваемых пакетов (BL) | 16 | 0Ch | BL = 4, 8 |
| Количество логических банков каждой микросхемы в модуле | 17 | 04h | 4 |
| Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) | 18 | 30h | CL = 5, 4 |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) | 23 | 25h | 2.50 нс (400.0 МГц) |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) | 25 | 00h | Не определено |
| Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) | 27 | 28h | 10.0 нс 5.0, CL = 5 4.0, CL = 4 |
| Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD) | 28 | 1Eh | 7.5 нс 3.75, CL = 5 3.0, CL = 4 |
| Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) | 29 | 28h | 10.0 нс 5.0, CL = 5 4.0, CL = 4 |
| Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) | 30 | 1Eh | 30.0 нс 15.0, CL = 5 12.0, CL = 4 |
| Емкость одного физического банка модуля памяти | 31 | 80h | 512 МБ |
| Период восстановления после записи (tWR) | 36 | 3Ch | 15.0 нс 7.5, CL = 5 6.0, CL = 4 |
| Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR) | 37 | 1Eh | 7.5 нс 3.75, CL = 5 3.0, CL = 4 |
| Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP) | 38 | 1Eh | 7.5 нс 3.75, CL = 5 3.0, CL = 4 |
| Минимальное время цикла строки (tRC) | 41, 40 | 37h, 00h | 55.0 нс 27.5, CL = 5 22.0, CL = 4 |
| Период между командами саморегенерации (tRFC) | 42, 40 | 4Bh, 00h | 75.0 нс 37.5, CL = 5 30.0, CL = 4 |
| Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax) | 43 | 80h | 8.0 нс |
| Номер ревизии SPD | 62 | 00h | Не определено |
| Контрольная сумма байт 0-62 | 63 | 20h | 32 (верно) |
| Идентификационный код производителя по JEDEC | 64-71 | 7Fh, 7Fh, 7Fh, 7Fh 7Fh, 02h | PDP Systems |
| Part Number модуля | 73-90 | — | Не определено |
| Дата изготовления модуля | 93-94 | 00h, 00h | Не определено |
| Серийный номер модуля | 95-98 | 00h, 00h, 00h, 00h | Не определено |
Несмотря на нестандартность самого режима DDR2-1000, содержимое SPD рассматриваемых модулей запрограммировано в хорошем соответствии со стандартом JEDEC. Максимальный скоростной режим, на который рассчитаны модули, соответствует заявленному DDR2-1000, т.к. характеризуется временем цикла 2.0 нс (частота 500 МГц). Этому режиму соответствует первое из поддерживаемых значений tCL = 5, а полная схема таймингов записывается в виде 5-5-5-15, что также соответствует заявленным характеристикам модулей. Уменьшенному значению задержки сигнала CAS# (CL X-1 = 4) соответствует период синхросигнала 2.5 нс, т.е. частота 400 МГц (стандартный режим DDR2-800). Полная схема таймингов в этом случае записывается как 4-4-4-12 — что можно считать удачным сочетанием абсолютных значений задержек и периодов синхросигнала, не допускающем нецелых конечных значений таймингов. Небольшим отклонением от стандарта можно считать неверный (отсутствующий) номер ревизии SPD (00h) и отсутствие данных о Part Number, серийном номере и дате изготовления модулей, в то время как идентификационный код производителя указан верно.Конфигурация тестового стенда
- Процессор: Intel Pentium 4 Extreme Edition 3.73 ГГц (Prescott N0, 2 МБ L2)
- Чипсет: Intel 975X
- Материнская плата: ASUS P5WD2-E Premium, версия BIOS 0206 от 12/21/2005
- Память: 2x512 МБ Patriot DDR2-1000
Тесты производительности
В отличие от двух предыдущих исследований высокоскоростных модулей DDR2 (часть 20 и часть 21), в которых использовалась новая версия тестового пакета RMMA 3.65, в настоящем исследовании (выполненном раньше во временном отношении) применялась предыдущая версия 3.62 со «старыми» параметрами подтестов, несколько завышающих результаты измерения пропускной способности памяти вследствие сравнительно большого объема L2-кэша (2 МБ) в соотношении с размером тестируемого блока памяти (16 МБ).
В первой серии тестов использовалась схема таймингов, выставляемая в настройках BIOS по умолчанию (Memory Timings: «by SPD»). Тестирование данных модулей, естественно, планировалось в двух скоростных режимах — как стандартном DDR2-800 (при частоте FSB 200 и 266 МГц), так и в нестандартном DDR2-1000 (частота FSB 250 МГц), однако в последнем случае, даже при использовании самой медленной схемы таймингов 5-6-6-18 и питающего напряжения 2.3 В, в тесте стабильности памяти быстро обнаруживались ошибки. Печально, но факт: заявленный режим «DDR2-1000» рассматриваемые модули «не потянули». По крайней мере — на данной материнской плате ASUS P5WD2-E Premium с данной версией BIOS (0206).
Для стандартного режима DDR2-800 BIOS материнской платы в качестве значений таймингов по умолчанию выставила схему 5-5-5-12, что, вообще говоря, несколько странно, учитывая наличие данных об этом режиме в микросхеме SPD (тайминги 4-4-4-12).
| Параметр / Режим | DDR2-800 | |
|---|---|---|
| Частота FSB, МГц | 200 | 266 |
| Тайминги | 5-5-5-12 | 5-5-5-12 |
| Средняя ПСП на чтение, МБ/с | 5624 | 6887 |
| Средняя ПСП на запись, МБ/с | 2328 | 2547 |
| Макс. ПСП на чтение, МБ/с | 6684 | 8729 |
| Макс. ПСП на запись, МБ/с | 4280 | 5686 |
| Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 52.5 | 45.5 |
| Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 61.5 | 52.9 |
| Минимальная латентность случайного доступа*, нс | 103.1 | 93.6 |
| Максимальная латентность случайного доступа*, нс | 126.7 | 113.0 |
| Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 80.2 | 70.3 |
| Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 106.2 | 90.2 |
| Минимальная латентность случайного доступа*, нс (без аппаратной предвыборки) | 103.7 | 94.6 |
| Максимальная латентность случайного доступа*, нс (без аппаратной предвыборки) | 131.0 | 114.4 |
*размер блока 16 МБ
Скоростные показатели модулей в режиме DDR2-800 выглядят приемлемо — по показателям ПСП и задержек модули не уступают своим аналогам от других производителей (например, Corsair XMS2-8000UL). Как обычно, использование более высокой частоты системной шины (266 МГц) приводит к заметному уменьшению задержек.
Тесты стабильности
Значения таймингов, за исключением tCL, варьировались «на ходу» благодаря встроенной в тестовый пакет RMMA возможности динамического изменения поддерживаемых чипсетом настроек подсистемы памяти. Устойчивость функционирования подсистемы памяти определялась с помощью вспомогательной утилиты RightMark Memory Stability Test, входящей в состав тестового пакета RMMA.
| Параметр / Режим | DDR2-800 | |
|---|---|---|
| Частота FSB, МГц | 200 | 266 |
| Тайминги | 4-3-2 (2.2 V) | 4-3-2 (2.2 V) |
| Средняя ПСП на чтение, МБ/с | 5696 | 6971 |
| Средняя ПСП на запись, МБ/с | 2460 | 2518 |
| Макс. ПСП на чтение, МБ/с | 6542 | 8567 |
| Макс. ПСП на запись, МБ/с | 4282 | 5686 |
| Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 49.1 | 44.6 |
| Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 58.9 | 52.0 |
| Минимальная латентность случайного доступа*, нс | 101.1 | 92.5 |
| Максимальная латентность случайного доступа*, нс | 125.5 | 112.4 |
| Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 75.0 | 68.5 |
| Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс (без аппаратной предвыборки) | 102.7 | 88.2 |
| Минимальная латентность случайного доступа*, нс (без аппаратной предвыборки) | 101.0 | 92.8 |
| Максимальная латентность случайного доступа*, нс (без аппаратной предвыборки) | 127.4 | 113.4 |
*размер блока 16 МБ
Минимальные значения таймингов, которые нам удалось достичь в режиме DDR2-800 при использовании питающего напряжения 2.2 В, выглядят впечатляюще, поскольку не уступают абсолютному рекорду, поставленному модулями Corsair XMS2-5400UL, — 4-3-2 (как обычно, последний параметр tRAS не участвует в «разгонной» схеме, т.к. изменение его значения игнорируется). Учитывая это обстоятельство, факт неработоспособности рассматриваемых модулей в более скоростном режиме DDR2-1000 при номинальных (и даже более медленных) таймингах выглядит достаточно странно.Итоги
Протестированные модули Patriot DDR2-1000 проявили себя в качестве высокоскоростных модулей, способных устойчиво функционировать лишь в официальном режиме DDR2-800 — по крайней мере, с участвующей в тестах материнской платой ASUS P5WD2-E Premium (способность функционирования модулях в неофициальных режимах, промежуточных между DDR2-800 и DDR2-1000, не проверялась). В этом режиме модули обладают хорошими скоростными показателями и великолепным «разгоном по таймингам» — они способны функционировать при таймингах 4-3-2 (напряжение питания 2.2 В), чем выставляют себя на уровень модулей Corsair XMS2-5400UL, которым до сих пор принадлежал абсолютный рекорд в данной категории.
Средняя текущая цена (количество предложений) в московской рознице:
| Модули памяти Patriot DDR2-1000 2x512МБ | Н/Д(0) |
