Мы продолжаем изучение важнейших характеристик высокоскоростных модулей DDR2 с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. Сегодня мы рассмотрим новое, весьма интересное предложение от компании Kingston (с учетом наметившейся тенденции к увеличению объемов памяти, используемых операционными системами и приложениями) — двухканальный комплект модулей памяти стандарта DDR2-800 high-end серии HyperX суммарным объемом 4 ГБ, обладающих, к тому же, сравнительно низкими задержками (4-4-4-12-2T).Информация о производителе модуля
Производитель модуля: Kingston Technology
Производитель микросхем модуля: неизвестен
Сайт производителя модуля: www.kingston.com/hyperx/products/khx_ddr2.aspВнешний вид модуля
Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR2 на сайте производителя отсутствует. В краткой технической документации модулей, соответствующих Part Number KHX6400D2LLK2/4G указывается, что продукт представляет собой комплект из двух модулей с низкими задержками (Low Latency, «LL») объемом 2 ГБ каждый, имеющих конфигурацию 256M x 64 и основанных на 16 микросхемах с конфигурацией 128M x8. Производитель гарантирует стабильную работу модулей в режиме DDR2-800 при таймингах 4-4-4-12 и сравнительно низком питающем напряжении 1.9 В, однако в микросхеме SPD в качестве режима по умолчанию выбран режим DDR2-667 со схемой таймингов 5-5-5-15 и напряжением питания 1.8 В.Данные микросхемы SPD модуля
Описание общего стандарта SPD:
Описание специфического стандарта SPD для DDR2:
| Параметр | Байт | Значение | Расшифровка |
|---|---|---|---|
| Фундаментальный тип памяти | 2 | 08h | DDR2 SDRAM |
| Общее количество адресных линий строки модуля | 3 | 0Eh | 14 (RA0-RA13) |
| Общее количество адресных линий столбца модуля | 4 | 0Ah | 10 (CA0-CA9) |
| Общее количество физических банков модуля памяти | 5 | 61h | 2 физических банка |
| Внешняя шина данных модуля памяти | 6 | 40h | 64 бит |
| Уровень питающего напряжения | 8 | 05h | SSTL 1.8V |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X) | 9 | 30h | 3.00 нс (333.3 МГц) |
| Тип конфигурации модуля | 11 | 00h | Non-ECC |
| Тип и способ регенерации данных | 12 | 82h | 7.8125 мс — 0.5x сокращенная саморегенерация |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти | 13 | 08h | x8 |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля | 14 | 00h | Не определено |
| Длительность передаваемых пакетов (BL) | 16 | 0Ch | BL = 4, 8 |
| Количество логических банков каждой микросхемы в модуле | 17 | 08h | 8 |
| Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) | 18 | 38h | CL = 5, 4, 3 |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) | 23 | 3Dh | 3.75 нс (266.7 МГц) |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) | 25 | 50h | 5.00 нс (200.0 МГц) |
| Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) | 27 | 3Ch | 15.0 нс 5, CL = 5 4, CL = 4 3, CL = 3 |
| Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD) | 28 | 1Eh | 7.5 нс 2.5, CL = 5 2.0, CL = 4 1.5, CL = 3 |
| Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) | 29 | 3Ch | 15.0 нс 5, CL = 5 4, CL = 4 3, CL = 3 |
| Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) | 30 | 2Dh | 45.0 нс 15, CL = 5 12, CL = 4 9, CL = 3 |
| Емкость одного физического банка модуля памяти | 31 | 01h | 1024 МБ |
| Период восстановления после записи (tWR) | 36 | 3Ch | 15.0 нс 5, CL = 5 4, CL = 4 3, CL = 3 |
| Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR) | 37 | 1Eh | 7.5 нс 2.5, CL = 5 2.0, CL = 4 1.5, CL = 3 |
| Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP) | 38 | 1Eh | 7.5 нс 2.5, CL = 5 2.0, CL = 4 1.5, CL = 3 |
| Минимальное время цикла строки (tRC) | 41, 40 | 3Ch, 06h | 60.0 нс 20, CL = 5 16, CL = 4 12, CL = 3 |
| Период между командами саморегенерации (tRFC) | 42, 40 | 7Fh, 06h | 127.5 нс 42.5, CL = 5 34.0, CL = 4 25.5, CL = 3 |
| Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax) | 43 | 80h | 8.0 нс |
| Номер ревизии SPD | 62 | 12h | Ревизия 1.2 |
| Контрольная сумма байт 0-62 | 63 | 13h | 19 (верно) |
| Идентификационный код производителя по JEDEC | 64-71 | 7Fh, 98h | Kingston |
| Part Number модуля | 73-90 | — | 2G-UDIMM |
| Дата изготовления модуля | 93-94 | 07h, 02h | 2007 год, 2 неделя |
| Серийный номер модуля | 95-98 | 66h, 26h, BEh, 72h | 72BE2666h |
Содержимое SPD выглядит достаточно стандартно. Поддерживаются все три возможных значения задержки сигнала CAS# — 5, 4 и 3. Первому (CL X = 5) соответствует режим функционирования DDR2-667 (время цикла 3.0 нс, частота 333.3 МГц) со схемой таймингов 5-5-5-15 (ровно), что совпадает со значениями, заявленными производителем в документации модулей. Второму значению задержки сигнала CAS# (CL X-1 = 4) соответствует режим DDR2-533 (время цикла 3.75 нс, частота 266.7 МГц) со схемой таймингов 4-4-4-12. Наконец, последнему значению задержки сигнала CAS# (CL X-2 = 3) соответствует режим DDR2-400, также с «целой» схемой таймингов 3-3-3-9.
Из особенностей содержимого SPD можно отметить очень большое (пожалуй, впервые встретившееся нам за все время исследования модулей памяти DDR2) минимальное время цикла регенерации tRFC = 127.5 нс, по всей видимости, связанное с использованием микросхем памяти с 8 логическими банками (типичное значение для большинства микросхем DDR2 — 4 логических банка) для достижения высокой емкости модулей (2 физических банка по 1024 МБ).
Номер ревизии SPD, идентификационный код производителя, дата изготовления и серийный номер модуля указаны верно. Информация о Part Number модуля присутствует («2G-UDIMM»), но не соответствует Part Number, указанному на самих модулях (KHX6400D2LLK2/4G).
Поддержка расширений SPD стандарта EPP в рассматриваемых модулях не предусмотрена.Конфигурация тестового стенда
Стенд №1
- Процессор: AMD Athlon 64 X2 4800+ (Socket AM2), 2.4 ГГц (200 x12)
- Чипсет: NVIDIA nForce 590 SLI
- Материнская плата: ASUS CROSSHAIR, версия BIOS 0502 от 01/02/2007
Испытание модулей проводилось на платформе AMD (процессор Athlon 64 X2 4800+) с материнской платой ASUS CROSSHAIR (стенд №1). Тестирование модулей проводились в двух режимах: «по умолчанию» (автоматическая конфигурация подсистемы памяти согласно данным SPD) и в «оптимальном» режиме (конфигурация подсистемы памяти вручную, согласно рекомендациям производителя).
| Параметр | Стенд №1 | |
|---|---|---|
| Частота процессора, МГц (частота FSB x FID) | 2400 (200x12) | 2400 (200x12) |
| Частота памяти, МГц (DDR2 МГц) | 300 (600) | 400 (800) |
| Тайминги памяти по умолчанию, напряжение | 5-5-5-15-2T, 1.8 В | 4-4-4-12-2T, 1.9 В |
| Минимальные тайминги памяти, напряжение | (не изучалось) | те же, вплоть до 2.3 В |
| Средняя ПСП на чтение (ГБ/с), 1 ядро | 3.44 | 4.08 |
| Средняя ПСП на запись (ГБ/с), 1 ядро | 2.26 | 2.92 |
| Макс. ПСП на чтение (ГБ/с), 1 ядро | 6.98 | 8.04 |
| Макс. ПСП на запись (ГБ/с), 1 ядро | 6.91 | 6.92 |
| Средняя ПСП на чтение (ГБ/с), 2 ядра | 5.73 | 7.11 |
| Средняя ПСП на запись (ГБ/с), 2 ядра | 2.83 | 3.86 |
| Макс. ПСП на чтение (ГБ/с), 2 ядра | 6.92 | 9.47 |
| Макс. ПСП на запись (ГБ/с), 2 ядра | 6.55 | 6.80 |
| Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 33.5 | 26.4 |
| Минимальная латентность случайного доступа*, нс | 85.0 | 66.7 |
*размер блока 32 МБ
В первом случае, частота памяти составила 300 МГц (режим «DDR2-600») ввиду ограничений, налагаемых контроллером памяти процессора (использование целых делителей частоты, в данном случае — 2400/8 = 300 МГц). Схема таймингов, автоматически выставленная BIOS материнской платы, совпала со значениями SPD и составила 5-5-5-15-2T. Скоростные показатели подсистемы памяти в этом режиме выглядят весьма «средне», что, впрочем, является типичным для процессоров AMD «AM2» при низких частотах памяти.
В режиме DDR2-800 изучаемые модули устойчиво функционируют при рекомендованных производителем значениях таймингов 4-4-4-12(-2T) при минимальном увеличении питающего напряжения до 1.9 В. В то же время, рекомендованная схема таймингов оказалась и минимально возможной — любые попытки выставления более «экстремальных» таймингов (за исключением параметра tRAS, изменение которого, как обычно, игнорируется подсистемой памяти) приводили к моментальной неработоспособности системы, даже при поднятии напряжения питания модулей до 2.3 В. Скоростные характеристики подсистемы памяти в этом случае оказываются на весьма высоком уровне, несмотря на ее весьма большой объем.Итоги
Исследованные модули Kingston HyperX DDR2-800 высокой емкости с низкими задержками KHX6400D2LLK2/4G показали надежность при функционировании в условиях, рекомендованных производителем (режим DDR2-800, напряжение питания 1.9 В, тайминги 4-4-4-12-2T). Это первое исследованное нами предложение среди новой категории модулей памяти суммарным объемом 4 ГБ, способное работать в столь высокоскоростном режиме при минимальном повышении питающего напряжения относительно номинала. И хотя в нашем исследовании дальнейшее уменьшение схемы таймингов не удалось (даже при значительном повышении питающего напряжения), выпуск этого продукта на сегодня можно считать серьезным достижением компании Kingston и индустрии памяти DDR2 в целом.
Средняя текущая цена (количество предложений) в московской рознице:
| Модули памяти Kingston DDR2-800 4-4-4-12 2x2ГБ (KHX6400D2LLK2/4G) | Н/Д(0) |
