Исследование основных характеристик модулей памяти DDR

Часть 6: Модули G.Skill DDR-500


Мы продолжаем цикл статей, посвященный изучению важнейших характеристик модулей памяти DDR на низком уровне с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. Сегодня мы рассмотрим уже вторые по счету модули памяти DDR большого объема — пару высокоскоростных модулей G.Skill DDR-500 общим объемом 2 ГБ.

Информация о производителе модуля

Производитель модуля: G.Skill
Производитель микросхем модуля: неизвестен
Сайт производителя модуля: www.gskill.com/ddr.html

Внешний вид модуля

Фото модуля памяти

Part Number модуля

Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR на сайте производителя отсутствует. В кратком описании модулей на сайте производителя указывается, что продукт представляет собой комплект из двух «подогнанных» друг к другу модулей несертифицированного «стандарта» DDR-500 (PC4000). Это первые модули из серии HZ, имеющие суммарный объем 2 ГБ (объем одного модуля, соответственно, составляет 1 ГБ). В указанном режиме, при сравнительно невысоком напряжении питания 2.6-2.8В, модули способны функционировать при таймингах 3-4-4-8.

Данные микросхемы SPD модуля

Описание общего стандарта SPD:
JEDEC Standard No. 21-C, 4.1.2 — SERIAL PRESENCE DETECT STANDARD, General Standard

Описание специфического стандарта SPD для DDR:
JEDEC Standard No. 21-C, 4.1.2.4 — Appendix D, Rev. 1.0: SPD’s for DDR SDRAM

ПараметрБайтыЗначениеРасшифровка
Фундаментальный тип памяти207hDDR SDRAM
Общее количество адресных линий строки модуля30Dh13 (RA0-RA12)
Общее количество адресных линий столбца модуля40Bh11 (CA0-CA10)
Общее количество физических банков модуля памяти502h2 физических банка
Внешняя шина данных модуля памяти6, 740h, 00h64 бит
Уровень питающего напряжения804hSSTL 2.5V
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X)950h4.0 нс (250.0 МГц)
Тип конфигурации модуля1100hNon-ECC
Тип и способ регенерации данных1282h7.8125 мс — 0.5x сокращенная саморегенерация
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти1308hx8
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля1400hНе определено
Длительность передаваемых пакетов (BL)160EhBL = 2, 4, 8
Количество логических банков каждой микросхемы в модуле1704h4
Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL)1810hCL = 3.0
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-0.5)2300hНе определено
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1.0)2500hНе определено
Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP)273Ch15.0 нс
3.75 (4), CL = 3.0
Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD)2828h10.0 нс
2.5, CL = 3.0
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD)293Ch15.0 нс
3.75 (4), CL = 3.0
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS)3020h32.0 нс
8, CL = 3.0
Емкость одного физического банка модуля памяти3180h512 МБ
Минимальное время цикла строки (tRC)4100hНе определено
Период между командами саморегенерации (tRFC)4200hНе определено
Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax)4300hНе определено
Номер ревизии SPD6201hРевизия «0.1»
Контрольная сумма байт 0-6263AEh174 (верно)
Идентификационный код производителя по JEDEC (показаны только первые значимые байты)64-717Fh, 7Fh,
7Fh, 7Fh,
CDh
Corsair
Part Number модуля73-90HZ
Дата изготовления модуля93-9400h, 00hНе определено
Серийный номер модуля95-9800h, 00h,
00h, 00h
Не определено

Содержимое микросхемы SPD выглядит не вполне стандартно (что не удивительно, учитывая «нестандартность» самих модулей). Поддерживается всего одно значение задержки CAS# (CL X) = 3, которому соответствует период синхросигнала 4.0 нс (функционирование модулей в нестандартном режиме DDR-500). Соответствующая этому и единственному случаю схема таймингов в точном виде выглядит несколько странно, ибо содержит нецелые величины tRCD и tRP — 3-3.75-3.75-8. Тем не менее, если учесть, что при настройке подсистемы памяти большинство BIOS-ов, как правило, округляют нецелые значения в большую сторону, мы получим заявленную производителем схему 3-4-4-8. Недостатком можно считать отсутствие в SPD данных по таймингам для стандартного случая DDR-400, необходимый для корректной настройки подсистемы памяти «по умолчанию». Этот вариант следовало бы прописать для случая уменьшенной задержки CAS# (CL X-0.5) — соответствующая схема могла бы выглядеть как 2.5-3-3-6.4 (с учетом округления — 2.5-3-3-7).

Среди прочих особенностей содержимого SPD можно отметить неопределенность абсолютных значений таймингов tRC и tRFC и максимальному временному циклу tCKmax, а также странный номер ревизии SPD «0.1» и отсутствие данных о дате изготовления и серийном номере модулей. Что же касается Part Number, нетрудно видеть, что соответствующее текстовое поле отражает наименование серии «HZ» в целом, но не содержит специфический номер данных модулей.

Конфигурация тестового стенда и ПО

  • Процессор: AMD Athlon 64 4000+, 2.4 ГГц (ClawHammer rev. SH-CG, 1 МБ L2)
  • Чипсет: NVIDIA nForce4 SLI X16
  • Материнская плата: MSI K8N Diamond Plus, версия BIOS 080012 от 12/22/2005
  • Память: 2x1024 МБ G.Skill PC4000, DDR-500 (в режиме DDR-400)
  • Видео: Leadtek PX350 TDH, NVIDIA PCX5900
  • HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
  • Драйверы: NVIDIA Forceware 77.72, NVIDIA nForce4 X16 6.82, DirectX 9.0c

Результаты тестирования

Тесты производительности

Тестирование модулей проводилось в стандартном скоростом режиме DDR-400. В первой серии тестов, как обычно, тайминги памяти выставлялись по умолчанию (в настройках BIOS — Memory Timings: «by SPD»). Одна из рекомендованных производителем модулей и используемая в наших тестах материнская плата MSI K8N Diamond Plus выставила в этом случае схему 3-3-3-7, которая находится «где-то посередине» между заявленной производителем для режима DDR-500 схемой 3-4-4-8 и схемой, которая, как мы писали выше, могла бы относиться к режиму DDR-400 — 2.5-3-3-7.

ПараметрG.Skill PC4000Corsair XMS-3500LLPRO
Тайминги3-3-3-72-3-2-6
Средняя ПСП на чтение, МБ/с39164344
Средняя ПСП на запись, МБ/с24092555
Макс. ПСП на чтение, МБ/с62866400
Макс. ПСП на запись, МБ/с60166213
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс38.931.6
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс42.235.3
Минимальная латентность случайного доступа*, нс72.762.8
Максимальная латентность случайного доступа*, нс76.567.0

*размер блока 16 МБ

Скоростные характеристики модулей G.Skill выглядят умеренно (для сравнения, в таблице приведены результаты, полученные в нашем предыдущем исследовании высокоскоростных модулей DDR Corsair XMS-3500LLPRO) — величины ПСП уступают примерно на 100-200 МБ/с, задержки при доступе в память на 7-10 нс выше по сравнению с указанными модулями.

Тесты стабильности

Значения таймингов памяти, за исключением tCL, варьировались «на ходу» благодаря встроенной в тестовый пакет RMMA возможности динамического изменения поддерживаемых чипсетом (в данном случае — интегрированным контроллером памяти процессора Athlon 64) настроек подсистемы памяти. Устойчивость функционирования подсистемы памяти определялась с помощью вспомогательной утилиты RightMark Memory Stability Test, входящей в состав тестового пакета RMMA.

ПараметрG.Skill PC4000Corsair XMS-3500LLPRO
Тайминги2.5-3-3-5(-7-10)2-3-2-5(-7-10)
Средняя ПСП на чтение, МБ/с39174355
Средняя ПСП на запись, МБ/с24252572
Макс. ПСП на чтение, МБ/с62986410
Макс. ПСП на запись, МБ/с61066211
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс37.731.5
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс41.135.3
Минимальная латентность случайного доступа*, нс69.962.5
Максимальная латентность случайного доступа*, нс73.666.7

*размер блока 16 МБ

Минимальная схема таймингов, которую позволили выставить новые 1-ГБ модули памяти на плате MSI K8N Diamond Plus в режиме DDR-400 без потери устойчивости, выглядит весьма скромно — 2.5-3-3-5, т.е. нам удалось лишь снизить величину задержки CAS# до 2.5 (последнее значение, tRAS, не следует воспринимать буквально — большинство модулей, как мы знаем по нашим многочисленным предыдущим исследованиям, равнодушно относятся к его изменению в любую сторону).

Эффект такого «разгона по таймингам» весьма невелик — можно отметить лишь некоторое снижение латентностей псевдослучайного и случайного доступа, на величину порядка 1-3 нс.

Итоги

Исследованные модули памяти G.Skill DDR-500 суммарным объемом 2 ГБ обладают умеренными скоростными характеристиками и умеренным разгонным потенциалом по таймингам — минимальные значения таймингов, которые удалось достичь в режиме DDR-400, составляют всего 2.5-3-3-5. Учитывая, что модули памяти DDR большого объема является новым направлением — как для данного производителя, так и для индустрии в целом, можно ожидать, что в дальнейшем мы сможем увидеть модули такого типа, обладающие лучшими характеристиками.

Средняя текущая цена (количество предложений) в московской рознице:

Модули памяти G.Skill DDR-500 Н/Д(0)




10 марта 2006 Г.