Мы продолжаем цикл статей, посвященный изучению важнейших характеристик модулей памяти DDR на низком уровне с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. Сегодня мы рассмотрим уже вторые по счету модули памяти DDR большого объема — пару высокоскоростных модулей G.Skill DDR-500 общим объемом 2 ГБ.Информация о производителе модуля
Производитель модуля: G.Skill
Производитель микросхем модуля: неизвестен
Сайт производителя модуля: www.gskill.com/ddr.htmlВнешний вид модуля
Фото модуля памяти
Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR на сайте производителя отсутствует. В кратком описании модулей на сайте производителя указывается, что продукт представляет собой комплект из двух «подогнанных» друг к другу модулей несертифицированного «стандарта» DDR-500 (PC4000). Это первые модули из серии HZ, имеющие суммарный объем 2 ГБ (объем одного модуля, соответственно, составляет 1 ГБ). В указанном режиме, при сравнительно невысоком напряжении питания 2.6-2.8В, модули способны функционировать при таймингах 3-4-4-8.Данные микросхемы SPD модуля
Описание общего стандарта SPD:
JEDEC Standard No. 21-C, 4.1.2 — SERIAL PRESENCE DETECT STANDARD, General Standard
Описание специфического стандарта SPD для DDR:
JEDEC Standard No. 21-C, 4.1.2.4 — Appendix D, Rev. 1.0: SPD’s for DDR SDRAM
| Параметр | Байты | Значение | Расшифровка |
|---|---|---|---|
| Фундаментальный тип памяти | 2 | 07h | DDR SDRAM |
| Общее количество адресных линий строки модуля | 3 | 0Dh | 13 (RA0-RA12) |
| Общее количество адресных линий столбца модуля | 4 | 0Bh | 11 (CA0-CA10) |
| Общее количество физических банков модуля памяти | 5 | 02h | 2 физических банка |
| Внешняя шина данных модуля памяти | 6, 7 | 40h, 00h | 64 бит |
| Уровень питающего напряжения | 8 | 04h | SSTL 2.5V |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X) | 9 | 50h | 4.0 нс (250.0 МГц) |
| Тип конфигурации модуля | 11 | 00h | Non-ECC |
| Тип и способ регенерации данных | 12 | 82h | 7.8125 мс — 0.5x сокращенная саморегенерация |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти | 13 | 08h | x8 |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля | 14 | 00h | Не определено |
| Длительность передаваемых пакетов (BL) | 16 | 0Eh | BL = 2, 4, 8 |
| Количество логических банков каждой микросхемы в модуле | 17 | 04h | 4 |
| Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) | 18 | 10h | CL = 3.0 |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-0.5) | 23 | 00h | Не определено |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1.0) | 25 | 00h | Не определено |
| Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) | 27 | 3Ch | 15.0 нс 3.75 (4), CL = 3.0 |
| Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD) | 28 | 28h | 10.0 нс 2.5, CL = 3.0 |
| Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) | 29 | 3Ch | 15.0 нс 3.75 (4), CL = 3.0 |
| Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) | 30 | 20h | 32.0 нс 8, CL = 3.0 |
| Емкость одного физического банка модуля памяти | 31 | 80h | 512 МБ |
| Минимальное время цикла строки (tRC) | 41 | 00h | Не определено |
| Период между командами саморегенерации (tRFC) | 42 | 00h | Не определено |
| Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax) | 43 | 00h | Не определено |
| Номер ревизии SPD | 62 | 01h | Ревизия «0.1» |
| Контрольная сумма байт 0-62 | 63 | AEh | 174 (верно) |
| Идентификационный код производителя по JEDEC (показаны только первые значимые байты) | 64-71 | 7Fh, 7Fh, 7Fh, 7Fh, CDh | Corsair |
| Part Number модуля | 73-90 | — | HZ |
| Дата изготовления модуля | 93-94 | 00h, 00h | Не определено |
| Серийный номер модуля | 95-98 | 00h, 00h, 00h, 00h | Не определено |
Содержимое микросхемы SPD выглядит не вполне стандартно (что не удивительно, учитывая «нестандартность» самих модулей). Поддерживается всего одно значение задержки CAS# (CL X) = 3, которому соответствует период синхросигнала 4.0 нс (функционирование модулей в нестандартном режиме DDR-500). Соответствующая этому и единственному случаю схема таймингов в точном виде выглядит несколько странно, ибо содержит нецелые величины tRCD и tRP — 3-3.75-3.75-8. Тем не менее, если учесть, что при настройке подсистемы памяти большинство BIOS-ов, как правило, округляют нецелые значения в большую сторону, мы получим заявленную производителем схему 3-4-4-8. Недостатком можно считать отсутствие в SPD данных по таймингам для стандартного случая DDR-400, необходимый для корректной настройки подсистемы памяти «по умолчанию». Этот вариант следовало бы прописать для случая уменьшенной задержки CAS# (CL X-0.5) — соответствующая схема могла бы выглядеть как 2.5-3-3-6.4 (с учетом округления — 2.5-3-3-7).
Среди прочих особенностей содержимого SPD можно отметить неопределенность абсолютных значений таймингов tRC и tRFC и максимальному временному циклу tCKmax, а также странный номер ревизии SPD «0.1» и отсутствие данных о дате изготовления и серийном номере модулей. Что же касается Part Number, нетрудно видеть, что соответствующее текстовое поле отражает наименование серии «HZ» в целом, но не содержит специфический номер данных модулей.Конфигурация тестового стенда и ПО
- Процессор: AMD Athlon 64 4000+, 2.4 ГГц (ClawHammer rev. SH-CG, 1 МБ L2)
- Чипсет: NVIDIA nForce4 SLI X16
- Материнская плата: MSI K8N Diamond Plus, версия BIOS 080012 от 12/22/2005
- Память: 2x1024 МБ G.Skill PC4000, DDR-500 (в режиме DDR-400)
- Видео: Leadtek PX350 TDH, NVIDIA PCX5900
- HDD: WD Raptor WD360, SATA, 10000 rpm, 36Gb
- Драйверы: NVIDIA Forceware 77.72, NVIDIA nForce4 X16 6.82, DirectX 9.0c
Тесты производительности
Тестирование модулей проводилось в стандартном скоростом режиме DDR-400. В первой серии тестов, как обычно, тайминги памяти выставлялись по умолчанию (в настройках BIOS — Memory Timings: «by SPD»). Одна из рекомендованных производителем модулей и используемая в наших тестах материнская плата MSI K8N Diamond Plus выставила в этом случае схему 3-3-3-7, которая находится «где-то посередине» между заявленной производителем для режима DDR-500 схемой 3-4-4-8 и схемой, которая, как мы писали выше, могла бы относиться к режиму DDR-400 — 2.5-3-3-7.
| Параметр | G.Skill PC4000 | Corsair XMS-3500LLPRO |
|---|---|---|
| Тайминги | 3-3-3-7 | 2-3-2-6 |
| Средняя ПСП на чтение, МБ/с | 3916 | 4344 |
| Средняя ПСП на запись, МБ/с | 2409 | 2555 |
| Макс. ПСП на чтение, МБ/с | 6286 | 6400 |
| Макс. ПСП на запись, МБ/с | 6016 | 6213 |
| Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 38.9 | 31.6 |
| Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 42.2 | 35.3 |
| Минимальная латентность случайного доступа*, нс | 72.7 | 62.8 |
| Максимальная латентность случайного доступа*, нс | 76.5 | 67.0 |
*размер блока 16 МБ
Скоростные характеристики модулей G.Skill выглядят умеренно (для сравнения, в таблице приведены результаты, полученные в нашем предыдущем исследовании высокоскоростных модулей DDR Corsair XMS-3500LLPRO) — величины ПСП уступают примерно на 100-200 МБ/с, задержки при доступе в память на 7-10 нс выше по сравнению с указанными модулями.
Тесты стабильности
Значения таймингов памяти, за исключением tCL, варьировались «на ходу» благодаря встроенной в тестовый пакет RMMA возможности динамического изменения поддерживаемых чипсетом (в данном случае — интегрированным контроллером памяти процессора Athlon 64) настроек подсистемы памяти. Устойчивость функционирования подсистемы памяти определялась с помощью вспомогательной утилиты RightMark Memory Stability Test, входящей в состав тестового пакета RMMA.
| Параметр | G.Skill PC4000 | Corsair XMS-3500LLPRO |
|---|---|---|
| Тайминги | 2.5-3-3-5(-7-10) | 2-3-2-5(-7-10) |
| Средняя ПСП на чтение, МБ/с | 3917 | 4355 |
| Средняя ПСП на запись, МБ/с | 2425 | 2572 |
| Макс. ПСП на чтение, МБ/с | 6298 | 6410 |
| Макс. ПСП на запись, МБ/с | 6106 | 6211 |
| Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 37.7 | 31.5 |
| Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 41.1 | 35.3 |
| Минимальная латентность случайного доступа*, нс | 69.9 | 62.5 |
| Максимальная латентность случайного доступа*, нс | 73.6 | 66.7 |
*размер блока 16 МБ
Минимальная схема таймингов, которую позволили выставить новые 1-ГБ модули памяти на плате MSI K8N Diamond Plus в режиме DDR-400 без потери устойчивости, выглядит весьма скромно — 2.5-3-3-5, т.е. нам удалось лишь снизить величину задержки CAS# до 2.5 (последнее значение, tRAS, не следует воспринимать буквально — большинство модулей, как мы знаем по нашим многочисленным предыдущим исследованиям, равнодушно относятся к его изменению в любую сторону).
Эффект такого «разгона по таймингам» весьма невелик — можно отметить лишь некоторое снижение латентностей псевдослучайного и случайного доступа, на величину порядка 1-3 нс.Итоги
Исследованные модули памяти G.Skill DDR-500 суммарным объемом 2 ГБ обладают умеренными скоростными характеристиками и умеренным разгонным потенциалом по таймингам — минимальные значения таймингов, которые удалось достичь в режиме DDR-400, составляют всего 2.5-3-3-5. Учитывая, что модули памяти DDR большого объема является новым направлением — как для данного производителя, так и для индустрии в целом, можно ожидать, что в дальнейшем мы сможем увидеть модули такого типа, обладающие лучшими характеристиками.
Средняя текущая цена (количество предложений) в московской рознице:
| Модули памяти G.Skill DDR-500 | Н/Д(0) |
