Исследование основных характеристик модулей памяти
Часть 29: Модули памяти GeIL DDR2-1160 PC2-9280 Ultra Plus Dual Channel kit
Мы продолжаем изучение важнейших характеристик высокоскоростных модулей DDR2 с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. Сегодня мы исследуем очередные модули памяти DDR2 высокоскоростной категории — 2-ГБ комплект модулей DDR2-1160 Ultra Plus от GeIL.
Информация о производителе модуля
Производитель модуля: Golden Emperor International Ltd. (GeIL)
Производитель микросхем модуля: неизвестен
Сайт производителя модуля: www.geil.com.tw/products/category/id/1
Внешний вид модулей
Part Number модуля
Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR2 на сайте производителя отсутствует. На странице описания продукта указывается, что он представляет собой двухканальный комплект модулей памяти DDR2 неофициальной скоростной категории PC2-9280 со схемой таймингов 4-4-4-12, доступный в ограниченном количестве в виде 1-ГБ и 2-ГБ вариантов. Модули основаны на FBGA DDR2-микросхемах 64Mx8, сертифицированных для оверклокинга («GeIL OC Certified»). Питающее напряжение модулей выбрано рекордно высоким — 2.45 В.
Данные микросхемы SPD модулей
Описание общего стандарта SPD:
Описание специфического стандарта SPD для DDR2:
| Параметр | Байт | Значение | Расшифровка |
|---|---|---|---|
| Фундаментальный тип памяти | 2 | 08h | DDR2 SDRAM |
| Общее количество адресных линий строки модуля | 3 | 0Eh | 14 (RA0-RA13) |
| Общее количество адресных линий столбца модуля | 4 | 0Ah | 10 (CA0-CA9) |
| Общее количество физических банков модуля памяти | 5 | 61h | 2 физических банка |
| Внешняя шина данных модуля памяти | 6 | 40h | 64 бит |
| Уровень питающего напряжения | 8 | 05h | SSTL 1.8V |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X) | 9 | 25h | 2.50 нс (400.0 МГц) |
| Тип конфигурации модуля | 11 | 00h | Non-ECC |
| Тип и способ регенерации данных | 12 | 82h | 7.8125 мс — 0.5x сокращенная саморегенерация |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти | 13 | 08h | x8 |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля | 14 | 00h | Не определено |
| Длительность передаваемых пакетов (BL) | 16 | 0Ch | BL = 4, 8 |
| Количество логических банков каждой микросхемы в модуле | 17 | 04h | 4 |
| Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) | 18 | 38h | CL = 5, 4, 3 |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) | 23 | 3Dh | 3.75 нс (266.7 МГц) |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) | 25 | 50h | 5.00 нс (200.0 МГц) |
| Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) | 27 | 32h | 12.5 нс 5.0, CL = 5 3.3, CL = 4 2.5, CL = 3 |
| Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD) | 28 | 1Eh | 7.5 нс 3.0, CL = 5 2.0, CL = 4 1.5, CL = 3 |
| Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) | 29 | 32h | 12.5 нс 5.0, CL = 5 3.3, CL = 4 2.5, CL = 3 |
| Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) | 30 | 2Dh | 45.0 нс 18.0, CL = 5 12.0, CL = 4 9.0, CL = 3 |
| Емкость одного физического банка модуля памяти | 31 | 80h | 512 МБ |
| Период восстановления после записи (tWR) | 36 | 3Ch | 15.0 нс 6.0, CL = 5 4.0, CL = 4 3.0, CL = 3 |
| Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR) | 37 | 1Eh | 7.5 нс 3.0, CL = 5 2.0, CL = 4 1.5, CL = 3 |
| Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP) | 38 | 1Eh | 7.5 нс 3.0, CL = 5 2.0, CL = 4 1.5, CL = 3 |
| Минимальное время цикла строки (tRC) | 41, 40 | 39h, 00h | 57.0 нс 22.8, CL = 5 15.2, CL = 4 11.4, CL = 3 |
| Период между командами саморегенерации (tRFC) | 42, 40 | 69h, 00h | 105.0 нс 42.0, CL = 5 28.0, CL = 4 21.0, CL = 3 |
| Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax) | 43 | 80h | 8.0 нс |
| Номер ревизии SPD | 62 | 12h | Ревизия 1.2 |
| Контрольная сумма байт 0-62 | 63 | 28h | 40 (верно) |
| Идентификационный код производителя по JEDEC | 64-71 | 7Fh, 7Fh, 7Fh, 13h | Golden Empire |
| Part Number модуля | 73-90 | — | «CL4-4-4DDR2-1160» |
| Дата изготовления модуля | 93-94 | 06h, 27h | 2006 год, 39 неделя |
| Серийный номер модуля | 95-98 | 00h, 00h, 00h, 00h | Не определено |
Содержимое SPD модулей выглядит без особенностей. Поддерживается три значения задержки сигнала CAS# — 5, 4 и 3. Первому из них (CL X) соответствует режим DDR2-800 (время цикла 2.5 нс) со схемой таймингов 5-5-5-18, второму (CL X-1) — режим DDR2-533 (время цикла 3.75 нс) со схемой таймингов 4-4-4-12, третьему (CL X-2) — режим DDR2-400 (время цикла 5.0 нс) со схемой таймингов 3-3-3-9. Идентификационный код производителя и дата изготовления продукта указаны верно, Part Number представляет собой строку вида «CL4-4-4DDR2-1160», отражающую неофициальный режим работы модулей, данные о серийном номере изделия отсутствуют.
Расширения EPP, представляющие собой «нестандартную» часть SPD, представленную байтами 99-127, в рассматриваемых модулях отсутствуют.
Конфигурация тестового стенда
Стенд №1
- Процессор: AMD Athlon 64 X2 5200+ (Socket AM2), номинальная частота 2.6 ГГц (200 x13)
- Чипсет: NVIDIA nForce 590 SLI
- Материнская плата: ASUS CROSSHAIR, версия BIOS 0702 от 20.06.2007
Результаты исследования
Исследование модулей проводилось на платформе AMD с процессором AMD Athlon 64 X2 5200+ и материнской платой ASUS CROSSHAIR (стенд №1). Исследование проводилось в двух режимах — номинальном DDR2-800 (частота процессора 2.4 ГГц, частота шины памяти 400 МГц) и с максимальным разгоном по частоте для достижения режима DDR2-1160, рекомендованного производителем (частота процессора 2.9 ГГц, частота шины памяти 580 МГц).
| Параметр | Стенд №1 | |
|---|---|---|
| Частота процессора, МГц (частота FSB x FID) | 2400 (200x12) | 2900 (290x10) |
| Частота памяти, МГц (DDR2 МГц) | 400 (800) | 580 (1160) |
| Тайминги памяти по умолчанию, напряжение | 5-5-5-18-2T, 1.8 В | 5-5-5-18-2T, 2.45 В |
| Минимальные тайминги памяти, напряжение | 3-3-3-2T, 2.45 В | 4-4-4-2T, 2.45 В |
| Средняя ПСП на чтение, ГБ/с, 1 ядро | 3.93 (4.10) | 4.98 (5.07) |
| Средняя ПСП на запись, ГБ/с, 1 ядро | 3.30 (3.45) | 4.16 (4.28) |
| Макс. ПСП на чтение, ГБ/с, 1 ядро | 7.78 (8.08) | 9.68 (9.79) |
| Макс. ПСП на запись, ГБ/с, 1 ядро | 6.73 (6.76) | 8.11 (8.11) |
| Средняя ПСП на чтение, ГБ/с, 2 ядра | 6.62 (6.83) | 8.45 (8.67) |
| Средняя ПСП на запись, ГБ/с, 2 ядра | 4.06 (4.27) | 5.51 (5.70) |
| Макс. ПСП на чтение, ГБ/с, 2 ядра | 8.56 (9.10) | 11.37 (11.71) |
| Макс. ПСП на запись, ГБ/с, 2 ядра | 6.46 (6.67) | 7.92 (8.07) |
| Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 28.1 (26.2) | 21.7 (20.9) |
| Минимальная латентность случайного доступа*, нс | 79.8 (73.8) | 62.3 (60.0) |
*размер блока 32 МБ
Схема таймингов, используемая материнской платой ASUS CROSSHAIR в режиме DDR2-800 по умолчанию, совпадает со значениями SPD 5-5-5-18 (при величине задержек командного интерфейса 2T, типичной для 2-ГБ комплекта). Минимально возможная схема таймингов, которую нам удалось установить при увеличении напряжения питания модулей памяти до значения 2.45 В, рекомендованного производителем — 3-3-3 (т.е. совпадает с минимально возможной для данной платформы; варьирование значение параметра tRAS, как обычно, не оказывает какого-либо влияния на функционирование подсистемы памяти). Использование такой схемы приводит к некоторому увеличению пропускной способности подсистемы памяти (до 6%) и снижению задержек (до 8%).
В неофициальном режиме «DDR2-1160», достигаемом за счет увеличения частоты FSB до 290 МГц (частота процессора 2.9 ГГц), используемая по умолчанию схема таймингов также составляет 5-5-5-18. В наших тестах, ее удалось уменьшить лишь до значений 4-4-4, соответствующих заявленным производителем модулей для этого режима, попытки их дальнейшего уменьшения приводили к немедленному сбою системы. Тем не менее, такое уменьшение схемы таймингов оказывает незначительный эффект на пропускную способность (прирост до 2%) и задержки (снижение до 4%), который оказывается меньшим, чем уменьшение таймингов с 5-5-5 до 3-3-3 в штатном режиме DDR2-800. Таким образом, достижение минимально возможной схемы таймингов в обоих случаях, по крайней мере, на рассматриваемой платформе AMD, представляет скорее теоретический, нежели практический интерес.
Итоги
Рассмотренные в настоящей статье модули памяти GeIL DDR2-1160 PC2-9280 Ultra Plus Dual Channel kit проявили себя в качестве высокоскоростных модулей памяти DDR2, обладающих хорошей совместимостью с используемой в наших тестах платформой AMD «AM2». Величины производительности подсистемы памяти и задержек при доступе в память типичны для модулей памяти данной скоростной категории. Разгонный потенциал модулей по таймингам в штатном режиме DDR2-800 на сегодняшний день выглядит, скорее, привычным — минимально возможная схема таймингов 3-3-3 при увеличении питающего напряжения до рекомендованных 2.45 В. В максимальном скоростном режиме, заявленном производителем — DDR2-1160, модули оказались работоспособными при схеме таймингов 4-4-4, рекомендованной производителем для данного режима работы.
Средняя текущая цена (количество предложений) в московской рознице:
| Модули памяти GeIL DDR2-1160 PC2-9280 Ultra Plus Dual Channel kit 2 x 1ГБ (GX22GB9280PDC) | Н/Д(0) |
