Модули памяти Chaintech Apogee GT DDR2-800+ (PC2-6400) с низкими задержками


Сегодня мы рассмотрим модули от компании Chaintech, хорошо известной нашим читателям, как производитель видеокарт и ранее — системных плат. Перед нами комплект небольшого по современным меркам объема — всего 1 ГБ, однако, такой объем все еще актуален для пользователей компьютеров в скромной конфигурации, не торопящихся с переходом на MS Vista, а предпочитающих Windows XP и Linux, вдобавок, модули имеют сниженные тайминги и систему охлаждения, напоминающую запатентованную Corsair DHX, однако без дополнительного контакта с печатной платой модуля, а лишь с поверхностью чипов.

Информация о производителе модуля

Производитель модуля: Walton Chaintech Corporation
Производитель микросхем модуля: неизвестен
Сайт производителя модуля: Walton Chaintech

Внешний вид модуля

Part Number модуля

Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR2 на сайте производителя отсутствует. Из более чем краткого описания на сайте и по обозначениям на самих модулях, можно заключить, что продукт представляет собой комплект из двух модулей с низкими задержками (CL4) объемом 512 KБ каждый, основанных на 16 микросхемах в BGA-упаковке с конфигурацией 64M x 8. Производитель гарантирует стабильную работу модулей в режиме DDR2-800 при таймингах 4-4-4-12 и питающем напряжении 1,95 В, а также DDR2-900 при таймингах 5-5-5-15 и напряжении 2,1 В. В микросхеме SPD в качестве режима по умолчанию выбран режим DDR2-800 со схемой таймингов 5-5-5-15 и напряжением питания 1,8 В.

Данные микросхемы SPD модуля

Описание общего стандарта SPD:

Описание специфического стандарта SPD для DDR2:

ПараметрБайтЗначениеРасшифровка
Фундаментальный тип памяти208hDDR2 SDRAM
Общее количество адресных линий строки модуля30Eh14 (RA0-RA13)
Общее количество адресных линий столбца модуля40Ah10 (CA0-CA9)
Общее количество физических банков модуля памяти560h1 физический банк
Внешняя шина данных модуля памяти640h64 бит
Уровень питающего напряжения805hSSTL 1.8V
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X)925h2.50 нс (400 МГц)
Тип конфигурации модуля1100hNon-ECC
Тип и способ регенерации данных1202hОчевидно, «имелось в виду» 82h, что соответствует значению 7.8125 мс — 0.5x сокращенная саморегенерация
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти1308hx8
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля1400hНе определено
Длительность передаваемых пакетов (BL)160ChBL = 4, 8
Количество логических банков каждой микросхемы в модуле1704h4
Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL)1838hCL = 5, 4, 3
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1)233Dh3.75 нс (266.7 МГц)
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2)2550h5.00 нс (200.0 МГц)
Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP)2732h12.5 нс
5, CL = 5
3.33, CL = 4
2.5, CL = 3
Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD)281Eh7.5 нс
3, CL = 5
2, CL = 4
1.5, CL = 3
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD)2932h12.5 нс
5, CL = 5
3.33, CL = 4
2.5, CL = 3
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS)3025h37.0 нс
15, CL = 5
10, CL = 4
7.4, CL = 3
Емкость одного физического банка модуля памяти3180h512 МБ
Период восстановления после записи (tWR)363Ch15.0 нс
6, CL = 5
4, CL = 4
3, CL = 3
Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR)371Eh7.5 нс
3, CL = 5
2, CL = 4
1.5, CL = 3
Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP)381Eh7.5 нс
3, CL = 5
2, CL = 4
1.5, CL = 3
Минимальное время цикла строки (tRC)41, 4039h, 30h57.5 нс
23, CL = 5
15.3, CL = 4
11.5, CL = 3
Период между командами саморегенерации (tRFC)42, 4069h, 30h105.0 нс
42, CL = 5
28, CL = 4
21, CL = 3
Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax)4380h8.0 нс
Номер ревизии SPD6212hРевизия 1.2
Контрольная сумма байт 0-6263D3h211 (верно)
Идентификационный код производителя по JEDEC64-7100h, 00hНе определено
Part Number модуля73-90NU5108E32-800P100
Дата изготовления модуля93-9407h, 10h2007 год, 16 неделя
Серийный номер модуля95-98F0h, 31h,
0Bh, 14h
140B31F0h

В SPD поддерживаются все три возможных значения задержки сигнала CAS# — 5, 4 и 3. Первому (CL X = 5) соответствует режим функционирования DDR2-800 (время цикла 2.5 нс, частота 400 МГц) со схемой таймингов 5-5-5-15 (ровно), второму значению задержки сигнала CAS# (CL X-1 = 4) соответствует режим DDR2-533 (время цикла 3.75 нс, частота 266.7 МГц) с нестандартной схемой таймингов 4-3,27-3,27-10. Наконец, последнему значению задержки сигнала CAS# (CL X-2 = 3) соответствует режим DDR2-400, также с «нецелой» схемой таймингов 3-2,5-2,5-7,4

Довольно странно отсутствие достаточно распространенного режима DDR2-667, тем более, что вручную установить такой режим с типичной схемой таймингов 4-4-4-12 на стандартном напряжении не составило труда.

Номер ревизии SPD и контрольная сумма указаны верно, идентификационный код производителя отсутствует, а серийный номер модуля и Part Number модуля не полностью соответствуют указанному на самих модулях.

Поддержка расширений SPD стандарта EPP в рассматриваемых модулях не предусмотрена.

Конфигурация тестового стенда

  • Процессор: AMD Athlon 64 X2 4000+ (Socket AM2), 2.0 ГГц (200 x10)
  • Чипсет: NVIDIA nForce 590 SLI
  • Материнская плата: ASUS M2N32 WS Professional, версия BIOS 1601 от 08/10/2007

Результаты исследования

Испытание модулей проводилось в двух «направлениях». В первом случае задача состояла в достижении максимальной частоты при использовании минимальной рекомендованной схемы таймингов (4-4-4-12), для чего мы протестировали модули сначала на рекомендованном напряжении 1,95 В, а затем повышали частоту FSB и напряжение, в качестве предельного значения напряжения были установлены 2,3 В, относительно безопасные для современных чипов DDR2 (при условии достаточного теплоотвода). Во втором случае мы установили рекомендованную повышенную частоту, соответствующую DDR2-900 в сочетании со схемой таймингов 5-5-5-15 и напряжением 2,1 и также увеличивали частоту и напряжение (до 2,3 В), чтобы выяснить частотный предел данных модулей.

 Chaintech Apogee GT DDR2-800+
Частота процессора, МГц
(частота FSB x FID)
2000
(200x10)
2000
(200x10)
2120
(212x10)
2250
(225x10)
2330
(233x10)
Частота памяти, МГц
(DDR2 МГц)
400
(800)
400
(800)
424
(848)
450
(900)
466
(932)
Тайминги памяти по умолчанию, напряжение5-5-5-15-1T,
1,8 В
4-4-4-12-1T,
1,95 В
4-4-4-12-1T,
2,3 В
5-5-5-15-2T,
2,1 В
5-5-5-15-2T,
2,3 В
Минимальные тайминги памяти, напряжение(не изучалось)те же,
вплоть до 2,3 В
(не изучалось)те же,
вплоть до 2,3 В
(не изучалось)
Средняя ПСП на чтение (МБ/с),
1 ядро
34943608380238573997
Средняя ПСП на запись (МБ/с),
1 ядро
19822053216522112295
Макс. ПСП на чтение (МБ/с),
1 ядро
66056617698271987453
Макс. ПСП на запись (МБ/с),
1 ядро
57065717603363806607
Средняя ПСП на чтение (МБ/с),
2 ядра
63156506692467787008
Средняя ПСП на запись (МБ/с),
2 ядра
31063197341232223347
Макс. ПСП на чтение (w/PF, МБ/с),
2 ядра
926098111036796209913
Макс. ПСП на запись (NT, МБ/с),
2 ядра
51845604592457625970
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс30,429,027,528,427,4
Минимальная латентность случайного доступа*, нс87,885,280,782,179,3
DOOM III (Low@640×480), fps114,8116,2123,1127,2131,7
FarCry (Low@640×480), fps166,7170,0178,8182,1188,3

*размер блока 32 МБ

Модули памяти порадовали стабильной работой в режиме сниженных таймингов, и не только продемонстрировали разгон до 424 МГц, но и оказались способными работать на такой частоте при установленном в 1T параметре задержек командного интерфейса. В то же время, на частоте 450 МГц, несмотря на установку стандартных таймингов 5-5-5-15, стабильная работа оказалась возможна лишь при значении 2T, да и максимальная частота, достигнутая в разгоне при повышении напряжения, не впечатлила, всего на 16 МГц выше номинальной.

Однако, если обратиться к объективным результатам RMMA, оказывается, что из двух рекомендованных производителем режимов, второй (DDR2-900) по всем параметрам, в том числе с учетом латентности, превосходит первый, несмотря на использование «невыдающихся» таймингов во втором случае. Аналогичные выводы получаются и при сравнении обоих разогнанных режимов.

Вполне естественно, что и тесты в играх подкрепляют этот вывод, поскольку в данном случае дополнительное влияние на результат оказывает повышенная частота процессора в режимах с частотой памяти выше 400 МГц.

Итоги

Несмотря на то, что активные пользователи уже вовсю приглядываются к комплектам памяти объемом 2 и даже 4 ГБ, определенный спрос на модули относительно небольшого объема сохраняется, по той простой причине, что большинству использующих компьютер под управлением Windows XP или Linux для работы и, в меньшей степени, игр, по-прежнему вполне достаточно 1 ГБ памяти. Помимо разницы в стоимости, модули небольшого объема, как правило, имеют лучшие характеристики латентности и позволяют задавать на стандартной частоте (DDR2-800) наиболее жесткие тайминги, что порадует тех пользователей, которые не желают повышать частоту процессора выше номинальной, однако, не прочь выжать из памяти весь потенциал. В то же время, для тех, кто не испытывает предубеждение в отношении разгона, более правильной стратегией является максимально возможный подъем частоты памяти, пусть даже при использовании смягченной формулы таймингов.

Средняя текущая цена (количество предложений) в московской рознице:

Модули памяти Chaintech Apogee GT DDR2-800+
2x512MБ
 Н/Д(0)




1 ноября 2007 Г.