Сегодня мы рассмотрим модули от компании Chaintech, хорошо известной нашим читателям, как производитель видеокарт и ранее — системных плат. Перед нами комплект небольшого по современным меркам объема — всего 1 ГБ, однако, такой объем все еще актуален для пользователей компьютеров в скромной конфигурации, не торопящихся с переходом на MS Vista, а предпочитающих Windows XP и Linux, вдобавок, модули имеют сниженные тайминги и систему охлаждения, напоминающую запатентованную Corsair DHX, однако без дополнительного контакта с печатной платой модуля, а лишь с поверхностью чипов.
Производитель модуля: Walton Chaintech Corporation
Производитель микросхем модуля: неизвестен
Сайт производителя модуля: Walton ChaintechВнешний вид модуля
Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR2 на сайте производителя отсутствует. Из более чем краткого описания на сайте и по обозначениям на самих модулях, можно заключить, что продукт представляет собой комплект из двух модулей с низкими задержками (CL4) объемом 512 KБ каждый, основанных на 16 микросхемах в BGA-упаковке с конфигурацией 64M x 8. Производитель гарантирует стабильную работу модулей в режиме DDR2-800 при таймингах 4-4-4-12 и питающем напряжении 1,95 В, а также DDR2-900 при таймингах 5-5-5-15 и напряжении 2,1 В. В микросхеме SPD в качестве режима по умолчанию выбран режим DDR2-800 со схемой таймингов 5-5-5-15 и напряжением питания 1,8 В.Данные микросхемы SPD модуля
Описание общего стандарта SPD:
Описание специфического стандарта SPD для DDR2:
| Параметр | Байт | Значение | Расшифровка |
| Фундаментальный тип памяти | 2 | 08h | DDR2 SDRAM |
| Общее количество адресных линий строки модуля | 3 | 0Eh | 14 (RA0-RA13) |
| Общее количество адресных линий столбца модуля | 4 | 0Ah | 10 (CA0-CA9) |
| Общее количество физических банков модуля памяти | 5 | 60h | 1 физический банк |
| Внешняя шина данных модуля памяти | 6 | 40h | 64 бит |
| Уровень питающего напряжения | 8 | 05h | SSTL 1.8V |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X) | 9 | 25h | 2.50 нс (400 МГц) |
| Тип конфигурации модуля | 11 | 00h | Non-ECC |
| Тип и способ регенерации данных | 12 | 02h | Очевидно, «имелось в виду» 82h, что соответствует значению 7.8125 мс — 0.5x сокращенная саморегенерация |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти | 13 | 08h | x8 |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля | 14 | 00h | Не определено |
| Длительность передаваемых пакетов (BL) | 16 | 0Ch | BL = 4, 8 |
| Количество логических банков каждой микросхемы в модуле | 17 | 04h | 4 |
| Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) | 18 | 38h | CL = 5, 4, 3 |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) | 23 | 3Dh | 3.75 нс (266.7 МГц) |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) | 25 | 50h | 5.00 нс (200.0 МГц) |
| Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) | 27 | 32h | 12.5 нс 5, CL = 5 3.33, CL = 4 2.5, CL = 3 |
| Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD) | 28 | 1Eh | 7.5 нс 3, CL = 5 2, CL = 4 1.5, CL = 3 |
| Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) | 29 | 32h | 12.5 нс 5, CL = 5 3.33, CL = 4 2.5, CL = 3 |
| Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) | 30 | 25h | 37.0 нс 15, CL = 5 10, CL = 4 7.4, CL = 3 |
| Емкость одного физического банка модуля памяти | 31 | 80h | 512 МБ |
| Период восстановления после записи (tWR) | 36 | 3Ch | 15.0 нс 6, CL = 5 4, CL = 4 3, CL = 3 |
| Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR) | 37 | 1Eh | 7.5 нс 3, CL = 5 2, CL = 4 1.5, CL = 3 |
| Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP) | 38 | 1Eh | 7.5 нс 3, CL = 5 2, CL = 4 1.5, CL = 3 |
| Минимальное время цикла строки (tRC) | 41, 40 | 39h, 30h | 57.5 нс 23, CL = 5 15.3, CL = 4 11.5, CL = 3 |
| Период между командами саморегенерации (tRFC) | 42, 40 | 69h, 30h | 105.0 нс 42, CL = 5 28, CL = 4 21, CL = 3 |
| Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax) | 43 | 80h | 8.0 нс |
| Номер ревизии SPD | 62 | 12h | Ревизия 1.2 |
| Контрольная сумма байт 0-62 | 63 | D3h | 211 (верно) |
| Идентификационный код производителя по JEDEC | 64-71 | 00h, 00h | Не определено |
| Part Number модуля | 73-90 | — | NU5108E32-800P100 |
| Дата изготовления модуля | 93-94 | 07h, 10h | 2007 год, 16 неделя |
| Серийный номер модуля | 95-98 | F0h, 31h, 0Bh, 14h | 140B31F0h |
В SPD поддерживаются все три возможных значения задержки сигнала CAS# — 5, 4 и 3. Первому (CL X = 5) соответствует режим функционирования DDR2-800 (время цикла 2.5 нс, частота 400 МГц) со схемой таймингов 5-5-5-15 (ровно), второму значению задержки сигнала CAS# (CL X-1 = 4) соответствует режим DDR2-533 (время цикла 3.75 нс, частота 266.7 МГц) с нестандартной схемой таймингов 4-3,27-3,27-10. Наконец, последнему значению задержки сигнала CAS# (CL X-2 = 3) соответствует режим DDR2-400, также с «нецелой» схемой таймингов 3-2,5-2,5-7,4
Довольно странно отсутствие достаточно распространенного режима DDR2-667, тем более, что вручную установить такой режим с типичной схемой таймингов 4-4-4-12 на стандартном напряжении не составило труда.
Номер ревизии SPD и контрольная сумма указаны верно, идентификационный код производителя отсутствует, а серийный номер модуля и Part Number модуля не полностью соответствуют указанному на самих модулях.
Поддержка расширений SPD стандарта EPP в рассматриваемых модулях не предусмотрена.Конфигурация тестового стенда
- Процессор: AMD Athlon 64 X2 4000+ (Socket AM2), 2.0 ГГц (200 x10)
- Чипсет: NVIDIA nForce 590 SLI
- Материнская плата: ASUS M2N32 WS Professional, версия BIOS 1601 от 08/10/2007
Испытание модулей проводилось в двух «направлениях». В первом случае задача состояла в достижении максимальной частоты при использовании минимальной рекомендованной схемы таймингов (4-4-4-12), для чего мы протестировали модули сначала на рекомендованном напряжении 1,95 В, а затем повышали частоту FSB и напряжение, в качестве предельного значения напряжения были установлены 2,3 В, относительно безопасные для современных чипов DDR2 (при условии достаточного теплоотвода). Во втором случае мы установили рекомендованную повышенную частоту, соответствующую DDR2-900 в сочетании со схемой таймингов 5-5-5-15 и напряжением 2,1 и также увеличивали частоту и напряжение (до 2,3 В), чтобы выяснить частотный предел данных модулей.
| Chaintech Apogee GT DDR2-800+ | |||||
| Частота процессора, МГц (частота FSB x FID) | 2000 (200x10) | 2000 (200x10) | 2120 (212x10) | 2250 (225x10) | 2330 (233x10) |
| Частота памяти, МГц (DDR2 МГц) | 400 (800) | 400 (800) | 424 (848) | 450 (900) | 466 (932) |
| Тайминги памяти по умолчанию, напряжение | 5-5-5-15-1T, 1,8 В | 4-4-4-12-1T, 1,95 В | 4-4-4-12-1T, 2,3 В | 5-5-5-15-2T, 2,1 В | 5-5-5-15-2T, 2,3 В |
| Минимальные тайминги памяти, напряжение | (не изучалось) | те же, вплоть до 2,3 В | (не изучалось) | те же, вплоть до 2,3 В | (не изучалось) |
| Средняя ПСП на чтение (МБ/с), 1 ядро | 3494 | 3608 | 3802 | 3857 | 3997 |
| Средняя ПСП на запись (МБ/с), 1 ядро | 1982 | 2053 | 2165 | 2211 | 2295 |
| Макс. ПСП на чтение (МБ/с), 1 ядро | 6605 | 6617 | 6982 | 7198 | 7453 |
| Макс. ПСП на запись (МБ/с), 1 ядро | 5706 | 5717 | 6033 | 6380 | 6607 |
| Средняя ПСП на чтение (МБ/с), 2 ядра | 6315 | 6506 | 6924 | 6778 | 7008 |
| Средняя ПСП на запись (МБ/с), 2 ядра | 3106 | 3197 | 3412 | 3222 | 3347 |
| Макс. ПСП на чтение (w/PF, МБ/с), 2 ядра | 9260 | 9811 | 10367 | 9620 | 9913 |
| Макс. ПСП на запись (NT, МБ/с), 2 ядра | 5184 | 5604 | 5924 | 5762 | 5970 |
| Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 30,4 | 29,0 | 27,5 | 28,4 | 27,4 |
| Минимальная латентность случайного доступа*, нс | 87,8 | 85,2 | 80,7 | 82,1 | 79,3 |
| DOOM III (Low@640×480), fps | 114,8 | 116,2 | 123,1 | 127,2 | 131,7 |
| FarCry (Low@640×480), fps | 166,7 | 170,0 | 178,8 | 182,1 | 188,3 |
*размер блока 32 МБ
Модули памяти порадовали стабильной работой в режиме сниженных таймингов, и не только продемонстрировали разгон до 424 МГц, но и оказались способными работать на такой частоте при установленном в 1T параметре задержек командного интерфейса. В то же время, на частоте 450 МГц, несмотря на установку стандартных таймингов 5-5-5-15, стабильная работа оказалась возможна лишь при значении 2T, да и максимальная частота, достигнутая в разгоне при повышении напряжения, не впечатлила, всего на 16 МГц выше номинальной.
Однако, если обратиться к объективным результатам RMMA, оказывается, что из двух рекомендованных производителем режимов, второй (DDR2-900) по всем параметрам, в том числе с учетом латентности, превосходит первый, несмотря на использование «невыдающихся» таймингов во втором случае. Аналогичные выводы получаются и при сравнении обоих разогнанных режимов.
Вполне естественно, что и тесты в играх подкрепляют этот вывод, поскольку в данном случае дополнительное влияние на результат оказывает повышенная частота процессора в режимах с частотой памяти выше 400 МГц. Итоги
Несмотря на то, что активные пользователи уже вовсю приглядываются к комплектам памяти объемом 2 и даже 4 ГБ, определенный спрос на модули относительно небольшого объема сохраняется, по той простой причине, что большинству использующих компьютер под управлением Windows XP или Linux для работы и, в меньшей степени, игр, по-прежнему вполне достаточно 1 ГБ памяти. Помимо разницы в стоимости, модули небольшого объема, как правило, имеют лучшие характеристики латентности и позволяют задавать на стандартной частоте (DDR2-800) наиболее жесткие тайминги, что порадует тех пользователей, которые не желают повышать частоту процессора выше номинальной, однако, не прочь выжать из памяти весь потенциал. В то же время, для тех, кто не испытывает предубеждение в отношении разгона, более правильной стратегией является максимально возможный подъем частоты памяти, пусть даже при использовании смягченной формулы таймингов.
Средняя текущая цена (количество предложений) в московской рознице:
| Модули памяти Chaintech Apogee GT DDR2-800+ 2x512MБ | Н/Д(0) |
