Исследование основных характеристик модулей памяти. Часть 17: Модули Apacer DDR2-667


Мы продолжаем изучение важнейших характеристик модулей DDR2 на низком уровне с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. В нашем очередном исследовании мы рассмотрим 1-ГБ пару модулей DDR2-667 производства Apacer — на сегодняшний день, можно сказать, вполне обычное предложение среди данной категории.Информация о производителе модуля

Производитель модуля: Apacer Technology Inc.
Производитель микросхем модуля: Elpida Memory, Inc.
Сайт производителя модуля:
www.apacer.com/en/products/Desktop_Memory_DDR2.htm
Сайт производителя микросхем модуля:
www.elpida.com/en/products/ddr2.htmlВнешний вид модуля

Фото модуля памяти

Фото микросхемы памяти

Под стильной золотой крышкой-теплоотводом стандартной конструкции скрывается вполне обычная «планка» памяти, на которой невооруженным глазом можно разглядеть 8 используемых микросхем DDR2-памяти производства Elpida.

Важно заметить, что сам радиатор, по большей части, можно считать просто красивой декорацией, поскольку, как показано на приведенной выше фотографии, клейкая теплопроводящая прослойка вообще не касается большинства микросхем памяти, расположенных по краям модуля — исключение составляют, пожалуй, лишь две, максимум — четыре центрально расположенные микросхемы. Поскольку рассматриваемые модули являются серийными, а не инженерными образцами, мы считаем нужным обратить внимание читателей на этот факт. Проблема связана с достаточно большой шириной теплоотвода, явно рассчитанного для охлаждения микросхем двухбанковых модулей памяти. Решение этой проблемы тривиально — использовать более толстую прослойку (причем не обязательно обладающую высокой теплопроводностью) с тыльной стороны модуля. Тем не менее, по каким-то причинам производитель пока что не потрудился этого сделать. Будем надеяться, что ситуация изменится в дальнейшем.Part Number модуля и микросхемы

Расшифровка Part Number модуля

Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR2, как и какая-либо техническая документация на эту продукцию, на сайте производителя отсутствует. Тем не менее, расшифровка обозначений на модуле достаточно очевидна — рассматриваемый продукт представляет собой 512-МБ небуферизованный модуль памяти скоростной категории PC2-5300 (т.е. DDR2-667), функционирующий при величине задержки CAS# tCL = 5.

Расшифровка Part Number микросхемы

Описание технических характеристик (data sheet) 512-Мбит микросхем памяти DDR2 Elpida: www.elpida.com/pdfs/E0562E61.pdf

ПолеЗначениеРасшифровка
0EПроизводитель: E = Elpida Memory
1 Тип (отсутствует, D = монолитное устройство)
2 Код продукта (отсутствует, E = DDR2)
351Емкость/количество банков: 51 = 512Мбит/4 банка
408Ширина внешнего интерфейса микросхем памяти: 08 = x8
5AПротокол питания: A = SSTL 1.8V
6EРевизия кристалла
7 Код упаковки (отсутствует, SE = FBGA)
86EПараметры быстродействия микросхемы: 6E = DDR2-667 (5-5-5)
9EКод охраны окружающей среды: E = без использования свинца

Маркировка микросхем данного модуля несколько не соответствует официальной спецификации, приведенной в технической документации данного типа микросхем. А именно, отсутствуют поля, характеризующие тип устройства (монолитное, DDR2) и упаковки (FBGA). То же самое наблюдалось ранее и в других модулях памяти DDR2 с микросхемами Elpida, например, модулях бюджетной серии DDR2 Kingston ValueRAM.Данные микросхемы SPD модуля

Описание общего стандарта SPD:

Описание специфического стандарта SPD для DDR2:

ПараметрБайтЗначениеРасшифровка
Фундаментальный тип памяти208hDDR2 SDRAM
Общее количество адресных линий строки модуля30Eh14 (RA0-RA13)
Общее количество адресных линий столбца модуля40Ah10 (CA0-CA9)
Общее количество физических банков модуля памяти560h1 физический банк
Внешняя шина данных модуля памяти640h64 бит
Уровень питающего напряжения805hSSTL 1.8V
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X)930h3.00 нс (333.3 МГц)
Тип конфигурации модуля1100hNon-ECC
Тип и способ регенерации данных1282h7.8125 мс — 0.5x сокращенная саморегенерация
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти1308hx8
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля1400hНе определено
Длительность передаваемых пакетов (BL)160ChBL = 4, 8
Количество логических банков каждой микросхемы в модуле1704h4
Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL)1838hCL = 5, 4, 3
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1)233Dh3.75 нс (266.7 МГц)
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2)2550h5.00 нс (200.0 МГц)
Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP)273Ch15.0 нс
5, CL = 5
4, CL = 4
3, CL = 3
Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD)281Eh7.5 нс
2.5, CL = 5
2.0, CL = 4
1.5, CL = 3
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD)293Ch15.0 нс
5, CL = 5
4, CL = 4
3, CL = 3
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS)302Dh45.0 нс
15, CL = 5
12, CL = 4
9, CL = 3
Емкость одного физического банка модуля памяти3180h512 МБ
Период восстановления после записи (tWR)363Ch15.0 нс
5, CL = 5
4, CL = 4
3, CL = 3
Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR)371Eh7.5 нс
2.5, CL = 5
2.0, CL = 4
1.5, CL = 3
Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP)381Eh7.5 нс
2.5, CL = 5
2.0, CL = 4
1.5, CL = 3
Минимальное время цикла строки (tRC)41, 403Ch, 00h60.0 нс
20, CL = 5
16, CL = 4
12, CL = 3
Период между командами саморегенерации (tRFC)42, 4069h, 00h105.0 нс
35, CL = 5
28, CL = 4
21, CL = 3
Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax)4380h8.0 нс
Номер ревизии SPD6212hРевизия 1.2
Контрольная сумма байт 0-6263DDh221 (верно)
Идентификационный код производителя по JEDEC64-717Fh, 7AhApacer Technology
Part Number модуля73-90FFh…FFhНеверно
Дата изготовления модуля93-94FFh, FFhНеверно
Серийный номер модуля95-98FFh, FFh,
FFh, FFh
Неверно

Содержимое SPD, относящееся к таймингам памяти, выглядит стандартно для модулей типа DDR2-667. Поддерживаются все 3 значения задержки сигнала CAS# — 5, 4 и 3. Первому соответствует период синхросигнала 3.0 нс (частота 333.3 МГц, режим DDR2-667), схема таймингов для этого случая соответствует первому официальному стандарту DDR2-667 — 5-5-5-15 (более поздние версии стандарта допускают существование более скоростной схемы 4-4-4-12). Уменьшенному значению задержки CAS# (CL X-1 = 4) соответствует период синхросигнала 3.75 нс (режим DDR2-533) и тайминги 4-4-4-12, на сегодняшний день также несколько «устаревшие» для этого режима. Наконец, последняя величина задержки CAS# (CL X-2 = 3) связана с периодом синхросигнала 5.0 нс (т.е. режимом DDR2-400) и схемой таймингов 3-3-3-9. Можно отметить также немного увеличенное значение минимального времени цикла регенерации (tRFC = 105 нс), впрочем, весьма согласующегося с общей «консервативностью» таймингов рассматриваемых модулей. Номер ревизии SPD и идентификационный код производителя прописаны верно, в то же время, отсутствуют адекватные данные о Part Number, дате изготовления и серийном номере модуля — все соответствующие поля «забиты» кодами FFh.Конфигурации тестовых стендов

Тестовый стенд №1

  • Процессор: Intel Pentium 4 Extreme Edition 3.73 ГГц (Prescott N0, 2 МБ L2) на частоте 2.8 ГГц (200.0 МГц x14)
  • Чипсет: Intel 975X
  • Материнская плата: ASUS P5WD2-E Premium, версия BIOS 0206 от 12/21/2005
  • Память: 2x512 МБ Apacer DDR2-667

Тестовый стенд №2

  • Процессор: Intel Pentium 4 Extreme Edition 3.73 ГГц (Prescott N0, 2 МБ L2) на частоте 3.73 ГГц (266.7 МГц x14)
  • Чипсет: Intel 975X
  • Материнская плата: ASUS P5WD2-E Premium, версия BIOS 0206 от 12/21/2005
  • Память: 2x512 МБ Apacer DDR2-667
Результаты тестирования

Тесты производительности

В первой серии тестов использовалась схема таймингов, выставляемая в настройках BIOS по умолчанию (Memory Timings: «by SPD»). На используемой для тестов материнской плате ASUS P5WD2-E она выставилась в соответствии с данными, прописанными в SPD.

ПараметрСтенд 1Стенд 2*
Тайминги5-5-5-155-5-5-15
Средняя ПСП на чтение, МБ/с53836400
Средняя ПСП на запись, МБ/с21012296
Макс. ПСП на чтение, МБ/с66338342
Макс. ПСП на запись, МБ/с42825677
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс56.650.1
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс66.157.2
Минимальная латентность случайного доступа**, нс116.2102.9
Максимальная латентность случайного доступа**, нс140.4121.0
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
87.277.8
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
113.096.4
Минимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
117.0104.0
Максимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
143.0123.1

*частота FSB 266 МГц
**размер блока 16 МБ

По приведенным выше результатам видно, что рассматриваемые модули характеризуются достаточно средними скоростными характеристиками (максимально достижимые величины реальной ПСП в настоящих тестах на процессорах с 2-МБ L2-кэшем обычно составляют примерно 6.8 ГБ/с при частоте FSB 200 МГц и порядка 9 ГБ/с при 266 МГц). То же самое можно сказать и о задержках при доступе в память (латентностях), которые оказываются ниже при частоте системной шины 266 МГц, но, тем не менее, все равно выше по сравнению с типичными значениями для производительных модулей DDR2-667 (порядка 70 нс при псевдослучайном обходе с отключением аппаратной предвыборки — что можно считать истинной характеристикой латентности памяти как таковой).

Тесты стабильности

Значения таймингов, за исключением tCL, варьировались «на ходу» благодаря встроенной в тестовый пакет RMMA возможности динамического изменения поддерживаемых чипсетом настроек подсистемы памяти. Устойчивость функционирования подсистемы памяти определялась с помощью вспомогательной утилиты RightMark Memory Stability Test, входящей в состав тестового пакета RMMA.

Параметр*Стенд 1Стенд 2*
Тайминги4-4-44-4-4
Средняя ПСП на чтение, МБ/с54906608
Средняя ПСП на запись, МБ/с23442681
Макс. ПСП на чтение, МБ/с66758464
Макс. ПСП на запись, МБ/с42825684
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс54.547.5
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс64.055.2
Минимальная латентность случайного доступа**, нс110.196.5
Максимальная латентность случайного доступа**, нс134.4115.6
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
83.773.3
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
109.893.1
Минимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
110.997.4
Максимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
137.5116.7

*частота FSB 266 МГц
**размер блока 16 МБ

Как видно из представленной выше таблицы, в этой серии тестов без потери устойчивости нам удалось достичь минимальных значений таймингов 4-4-4 — можно сказать, типичные для производительных модулей DDR2-667 (значение последнего тайминга, tRAS, как обычно, игнорируется — его можно уменьшить вплоть до 4 без видимых изменений). Выставление такой схемы таймингов незначительно сказывается на величинах ПСП (что вполне предсказуемо), но приводит к некоторому снижению задержек при доступе в память (примерно на 3-4 нс при псевдослучайном обходе и 6-7 нс при случайном обходе).Итоги

Протестированные модули памяти Apacer DDR2-667, учитывая их объем и скоростные характеристики, можно считать вполне «средним» решением в данной категории. Минимальные значения таймингов, которые позволяют достичь эти модули в режиме DDR2-667, 4-4-4, выглядят достаточно скромно, поскольку являются нормой для современных высокопроизводительных модулей памяти типа DDR2-667. Более того, рассмотренные серийные образцы модулей не лишены конструктивного недостатка, заключающегося в отсутствии надлежащего контакта теплопроводящей пластины теплоотвода с большинством микросхем памяти, расположенных по краям модуля.

Средняя текущая цена (количество предложений) в московской рознице:

Модули памяти Apacer DDR2-667 512MB CL5 Н/Д(0)




19 апреля 2006 Г.