Редкий случай, когда крупный производитель чипов сообщает о своих конкретных покупках оборудования: вчера Intel объявила о том, что разместила заказ на поставку EUV литографических инструментов у голландского холдинга ASML для оборудования своих производственных линий с техпроцессом P1266 (0,045 мкм и менее).
По словам представителей Intel, пока что речь идет о «бета-версиях» EUV оборудования от ASML, которое будет поставляться во второй половине 2005 года. Тем не менее, в дальнейшем Intel имеет планы на покупку у ASML первых промышленных установок, ориентировочно, к 2006 году.
Как мы уже сообщали, в прошлом месяце на конференции SPIE Microlithography, ASML представила прототип своей EUV установки для производства чипов с узлами порядка 45 нм (0,045 мкм) и менее, разработанной в рамках европейского проекта Extatic (Extreme UV Alpha Tool Integration Consortium). Первая EUV alpha-установка будет готова в конце 2003 года — начале 2004.
Конечно же, остальная информация о сделке не раскрывается, хотя, аналитики сходятся во мнении, что стоимость одной такой установки будет составлять сумму порядка $40 млн.
По заявлению представителей компании, Intel намерена начать массовое производство чипов с использованием 45 нм элементов в 2007 году. В настоящее время Intel производит чипы с использованием техпроцессов P860/1260, работающих с узлами порядка 0,13 мкм (P860 — работа с 8-дюймовыми, то есть, 200 мм пластинами, 1260 — с 12-дюймовыми). Для критических участков используются 248 нм литографические инструменты от Nikon. В 2003 году Intel намерена перейти на техпроцесс P1262, то есть, 0,090 мкм нормы, где будут задействованы 193 нм и 248 нм сканнеры. Затем, примерно в 2005 году, Intel планирует приступить к выпуску чипов по техпроцессу P1264 с 0,65 мкм нормами и 157 нм сканнерами.
Предположительно, новые EUV инструменты от ASML будут монтироваться на 300 мм фабрике компании в Хиллсборо, Орегон, США.
Надо полагать, что от сегодняшнего заявления не в восторге осталась Nikon, которая рассчитывает на серьезную долю поставок 193 нм инструментов, а в перспективе, и 157 нм, для EUV. Впрочем, сотрудничества Intel и ASML, которые c 1997 года входят в североамериканский форум Extreme Ultraviolet LLC, всяко следовало ожидать. Тем не менее, список поставщиков литографического оборудования и объемы поставок Intel традиционно не разглашает. »Сегодняшний анонс — исключение.» — подчеркнул представитель Intel. »Было бы глупо скрывать имя ASML — единственного на данный момент на рынке поставщика [EUV инструментов]».
В настоящее время на рынке есть еще один разработчик EUV оборудования — Exitech Ltd, продемонстрировавший на SPIE свой прототип установки. EUV LLC принимала участие в этой разработке, а оптику для установки от Exitech изготовила немецкая Carl Zeiss. Известен даже первый заказчик этого оборудования — R&D организация International Sematech, базирующаяся в Остине, Техас, США.
Однако, EUV инструменты от ASML имеют серьезное отличие от установки Exitech или даже EUV LLC. Напомним, что ASML EUV инструмент, предназначенный для работы с узлами размером 50 нм и менее, выполнен на основе архитектуры ASML TwinScan — платформы, используемой компанией в нынешних 193 нм сканнерах для работы с 200 мм и 300 мм пластинами. В основе платформы — шестизеркальная оптическая система MET-2 от Carl Zeiss с числовой апертурой (numerical aperture, NA) равной 0.25. К тому же, в EUV установке будет использоваться лазерный источник мощностью не 5 Вт, как в нынешних установках и даже не 9 Вт, внедрение которых лишь предстоит, а порядка 50 Вт — 100 Вт, для обеспечения производительности установки в 80 пластин/час. Именно такая производительность ожидается у коммерческих установок, ввод в строй которых планируется в 2007 году.
Еще одна немаловажная особенность EUV инструментов — использование мягкого рентгеновского излучения с длиной волны 13,5 нм. Безусловно, это будет серьезный шаг: в настоящее время 157 нм инструменты глубокого ультрафиолета (DUV) лишь готовятся к выпуску, а нынешние сканнеры используют рефракционную оптику.
EUV системы будут использовать зеркала с многослойным покрытием из молибдена и кремния для качественного отражения 13,5 нм излучения.
Предположительно, EUV системы будут использоваться для работы с первыми четырьмя критичными слоями, с узлами порядка 45 нм: изоляторами, затворами, контактами, первым уровнем металлических проводников. С остальными слоями для 45 нм процесса будет использоваться 157 нм литографические инструменты.
Согласно International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), конец оптической литографии наступит ориентировочно в 2010 году. Затем наступит пора новых экзотических инструментов, требующих экзотических источников энергии и систем фокусировки.
Intel не рассматривает в качестве альтернативы EUV инструментам электронно-лучевую проекционную технологию (electron-beam projection lithography, или просто E-Beam), разрабатываемую совместными усилиями IBM и Nikon. »Мы уверены в EUV» — заявили в компании.
Очень интересно представители Intel прокомментировали еще одну альтернативу — технологию low-energy e-beam proximity projection lithography (LEEPL), продвигаемую консорциумом японских компаний.
»Это очень странная e-beam технология… она сочетает в себе трудности использования масок в рентгеновском диапазоне с проблемами самой e-beam технологии». 
