Главная » Новости » 2015 » 06 » 01 1 июня 2015

Компания sureCore представила IP-ядро встраиваемой памяти SRAM со сверхнизким энергопотреблением

Английская компания sureCore, специализирующаяся на разработке объектов интеллектуальной собственности для интегральных микросхем, представила IP-ядро встраиваемой памяти SRAM со сверхнизким энергопотреблением. Оно рассчитано на выпуск по 28-нанометровой технологии FDSOI и уже опробовано в кремнии. Областью применения памяти названы приложения, где востребовано длительное время автономной работы.

Память рассчитана на работу при напряжении питания 0,7-1,2 В. По сравнению с доступной сейчас встраиваемой памятью SRAM она позволяет сэкономить более 50% энергии в динамическом режиме. Статическое энергопотребление меньше на 35%. Разработчик подчеркивает, что столь существенная экономия энергии достигается ценой незначительного (на 10%) увеличения площади, занимаемого на кристалле.

Это первый продукт sureCore. В планах компании на этот год значится выпуск памяти SRAM со сверхнизким энергопотреблением, рассчитанной на выпуск по 40-нанометровой технологии CMOS, а в перспективе — и по 28-нанометровой технологии CMOS.

Остается добавить, что встроенная память SRAM является одним из ключевых компонентов микроконтроллеров и однокристальных систем.

Источник: sureCore

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



июнь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2015

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.