Главная » Новости » 2015 » 05 » 06 6 мая 2015

В Корнельском университете научились формировать высокооднородные пленки TMD на поверхности 100-миллиметровых подложек

Возможность выращивания тонких пленок полупроводника является основой современной электроники. Уменьшение толщины пленки до нескольких атомов открывает новые возможности, но оно недостижимо при использовании традиционной технологии и таких материалов как кремний. Идеальными материалами для сверхтонких пленок могли бы стать дихалькогениды переходных металлов (TMD), способные формировать слой толщиной три атома с высокой подвижностью носителей заряда. Однако такие пленки сложны в получении.

Пленки TMD толщиной три атома открывают новые перспективы в электронике

Ситуацию может переломить разработка ученых Корнельского университета, о которой рассказано в последнем номере журнала Nature. Исследователи предложили новый способ формирования пленок TMD, опробованный ими на примере дисульфида молибдена и дисульфида вольфрама. Способ обеспечивает высокую однородность пленок в масштабе всей подложки, в роли которой выступает обычная 100-миллиметровая пластина с диэлектрическим покрытием из двуокиси кремния. Используя пластины с пленками TMD для изготовления полевых транзисторов, ученые получили процент выхода годных 99%. Кроме того, было опробовано изготовление многослойных цепей с транзисторами, расположенными друг над другом.

О сроках коммерциализации данных пока нет, но внедрение TMD считается перспективным направлением, которое позволило бы делать электронные приборы тонкими и гибкими, так что работа продолжается.

Источник: Nature

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



май
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2015

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.