Главная » Новости » 2015 » 03 » 26 26 марта 2015

NXP и Globalfoundries разработали 40-нанометровую встраиваемую энергонезависимую память

Компании Globalfoundries и NXP Semiconductor объявили о совместной разработке встраиваемой энергонезависимой памяти (eNVM), рассчитанной на выпуск с использованием 40-нанометровой технологической платформы Globalfoundries.

Указанная память используется в разнообразных изделиях, включая микроконтроллеры, микросхемы для смарт-карт и NFC. По словам партнеров, успешные совместные усилия позволили ускорить выпуск микросхем с памятью eNVM.

Серийный выпуск eNVM должен начаться в 2016 году на мощностях Globalfoundries Fab 7 в Сингапуре

Серийный выпуск продукции должен начаться в 2016 году на мощностях Globalfoundries Fab 7 в Сингапуре, рассчитанных на обработку 50 000 пластин диаметром 300 мм в месяц.

Источник: GlobalFoundries

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



март
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2015

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.