Главная » Новости » 2015 » 03 » 26 26 марта 2015

NXP и Globalfoundries разработали 40-нанометровую встраиваемую энергонезависимую память

Компании Globalfoundries и NXP Semiconductor объявили о совместной разработке встраиваемой энергонезависимой памяти (eNVM), рассчитанной на выпуск с использованием 40-нанометровой технологической платформы Globalfoundries.

Указанная память используется в разнообразных изделиях, включая микроконтроллеры, микросхемы для смарт-карт и NFC. По словам партнеров, успешные совместные усилия позволили ускорить выпуск микросхем с памятью eNVM.

Серийный выпуск eNVM должен начаться в 2016 году на мощностях Globalfoundries Fab 7 в Сингапуре

Серийный выпуск продукции должен начаться в 2016 году на мощностях Globalfoundries Fab 7 в Сингапуре, рассчитанных на обработку 50 000 пластин диаметром 300 мм в месяц.

Источник: GlobalFoundries

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



Sorry, temp error.
март
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2015
Sorry, temp error.
Sorry, temp error.

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.