Toshiba выпускает 24-нанометровые микросхемы флэш-памяти SLC NAND плотностью до 4 Гбит для встраиваемых систем

Новые микросхемы флэш-памяти Toshiba оснащены последовательным интерфейсом

Компания Toshiba представила новую серию микросхем флэш-памяти типа SLC NAND, предназначенных для встраиваемых систем. Общей особенностью изделий является совместимость с последовательным интерфейсом SPI. К областям применения новой флэш-памяти производитель относит промышленную и бытовую электронику, включая телевизоры носимые устройства.

Новые микросхемы флэш-памяти Toshiba оснащены последовательным интерфейсом

Плюсом SPI является малое число выводов, позволяющее выпускать микросхемы большой плотности в миниатюрных корпусах. В серию вошли микросхемы плотностью 1, 2 и 4 Гбит, выпускаемые по 24-нанометровой технологии, для внешнего оформления которых выбраны корпуса типа SOP размерами 10,3 x 7,5 мм и WSON размерами 6,0 x 8,0 мм. Запланирована разработка аналогичных микросхем в корпусах типа BGA размерами 6,0 х 8,0 мм. Кроме того, память типа SLC NAND с последовательным интерфейсом характеризуется меньшей удельной стоимостью в расчете на бит по сравнению флэш-памятью NOR, традиционно используемой во встраиваемых системах.

Новые микросхемы флэш-памяти Toshiba оснащены последовательным интерфейсом

Новые микросхемы выпускаются в разновидностях, рассчитанных на напряжение питания 1,8 или 3,3 В. Они выдерживают эксплуатацию в диапазоне температур от -40°С до +85°C. Поставки ознакомительных образцов начнутся в этом месяце, а к серийному выпуску производитель рассчитывает приступить в декабре.

Источник: Toshiba

21 октября 2015 в 14:18

Автор:

Все новости за сегодня

Календарь

октябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс