Глоссарий терминов, имеющих отношение к компьютерной памяти


A   B   C   D   E   F   G   H   I   J   K   L   M   N   O   P   Q   R   S   T   U   V   W   X   Y   Z  

Введение

Данный глоссарий представляет собой набор терминов и сокращений, имеющих отношение к компьютерной памяти (с упором на DRAM как оперативную память). Все термины даны так, как они пришли к нам — а именно по-английски. Такая форма представляется правильной, ибо большинство русских терминов являются кальками с английского или вообще не имеют перевода. Кроме того, компетентные статьи на русском языке чаще всего используют английскую терминологию. Не исключено, что в будущем к глоссарию добавится небольшая "таблица соответствия" русских и английских терминов.

Глоссарий не претендует на абсолютную техническую достоверность и полноту. Предполагается, что информация дана в объеме, требуемом пользователю, нуждающемуся в понимании технического текста по данной проблеме или в общем повышении уровня знаний. Приведены также основные сведения о производстве и продаже модулей памяти. Более подробная информация может содержаться в других документах принадлежащего автору сайта, а также на сайтах производителей.

Названия статей выделены жирным, после аббревиатуры в скобках дается ее дешифровка. Далее (если есть) в кавычках курсивом дается "русская версия" (в варианте, либо наиболее распространенном, либо привычном автору). Если термин может иметь несколько различных значений, после части статьи, общей для всех значений, идет нумерованный список. Знаком равенства обозначается синонимичный (для данного значения) термин, английский или русский. Знаком *** выделены небольшие дополнительные статьи по терминам, окруженным наибольшим количеством легенд. В тексте статей даны гиперссылки на статьи по родственным терминам, которые могут быть необходимы для понимания. Ссылки даются в основном на русские термины, в то время как названия статей английские — это может причинить определенные неудобства, но лучшей идеи пока нет. Навигация может также осуществляться с помощью алфавитного указателя в начале документа.

Настоящий документ основан на опыте работы автора в данной области и представляет собой его личное мнение. Автор не несет ответственности за последствия, вызванные применением информации, содержащейся в данном документе. При обнаружении в тексте ошибок и неточностей просьба связаться с автором по адресу .

A

access cycleцикл обращения — последовательность (иногда ее длительность) операций устройства памяти между двумя последовательными актами чтения либо записи. Включает в себя, в частности, все операции, связанные с указанием адреса информации.

access timeвремя доступа (иногда ошибочно именуется скоростью) — время, необходимое на полный цикл обращения к информации, хранящейся по случайному адресу в чипе или модуле. Нужно иметь в виду, что в реальных условиях обращение чаще всего происходит не по случайному адресу, что позволяет использовать сокращенный цикл.

address depthглубина адресного пространства — количество бит, которые могут быть сохранены на каждой линии ввода/вывода чипа или модуля.

address lineадресная линия — одна из линий, используемых для указания адреса запрашиваемой или сохраняемой информации. Поскольку информация организована в виде матрицы, адресные линии за полный цикл доступа используются дважды — для указания номера строки (RAS) и столбца (CAS). Поэтому число необходимых адресных линий равно 1/2log2A, где A — размер адресного пространства (например, 10 для 1 мегабит), при условии, что матрица квадратная, что не всегда верно.

AGP (Accelerated Graphic Port)- технология, позволяющая графическому процессору получить доступ к оперативной памяти, минуя основной процессор. В отличие от unified memory у видеоподсистем с AGP в качестве буфера кадров по-прежнему используется высокоскоростная видеопамять.

architectureархитектура — совокупность характеристик модуля памяти (включая тип памяти, емкость, время доступа, электрическую и логическую схему, разводку контактов и форм-фактор), полностью этот модуль определяющих. Теоретически два модуля одинаковой архитектуры должны быть полностью взаимозаменяемыми. Иногда под архитектурой понимают организацию модуля, что не совсем корректно (скажем, организация далеко не всегда однозначно определяет тип модуля).

asynchronousасинхронный. Термин применяется к устройствам памяти, цикл обращения к которым состоит из стадий, имеющих разную длительность, что не позволяет оптимизировать совместную работу подсистемы памяти и процессора. В настоящее время происходит вытеснение асинхронных устройств синхронными.

audio RAM — термин, иногда применяемый в индустрии для партий микросхем, имеющих серьезные производственные дефекты (например, не работает одна из линий ввода-вывода). Нередко такие микросхемы реализуются по низким ценам для применения в устройствах бытовой электроники, в частности, в качестве буферов в проигрывателях компакт-дисков (отсюда название). К сожалению, имеются прецеденты изготовления модулей памяти на основе таких микросхем. Косвенные признаки таких модулей — отсутствие маркировки либо явная перемаркировка чипов, а также их необычное число.

B

bandwidthпропускная способность, т.е. объем информации, который может пройти через систему в единицу времени. Применительно к подсистеме памяти — произведение пропускной способности линии ввода-вывода на ширину шины. Поскольку изменение последней в рамках принятой архитектуры "поколения" компьютеров невозможно, большинство новых технологий памяти имеют целью увеличение первой, которая фактически обратна времени доступа (с учетом сокращенного цикла).

bankбанк

  1. = slot
  2. Группа модулей памяти одинаковой емкости, которые должны быть установлены одновременно, чтобы система могла работать. Количество модулей равняется отношению ширины системной шины к ширине шины модуля (умноженному на коэффициент interleave). Некоторые компьютеры способны работать с неполным банком памяти, но ценой значительного падения быстродействия.
  3. Логическая единица внутри модуля памяти, см. dual-bank. Поскольку адресное пространство организовано в виде квадратной (как правило) матрицы, увеличения чила адресных линий на 1 (т.е. максимально возможного адреса — вдвое) приводит к 4-кратному увеличению адресного пространства (поэтому емкость 30-контактных SIMM росла с инкрементом 4). Для 72-контактных SIMM была введена возможность увеличения емкости модуля вдвое путем монтажа на одной плате двух комплектов чипов, причем обращение ко второму комплекту просиходит за счет дополнительных RAS. Это, в частности, 8 и 32 MB SIMM, которые в отличие от 4 и 16 MB называются "двухбанковыми"
  4. Часть чипа SDRAM, доступ к которой возможен независимо от другой части. Эта возможность используется для interleave на уровне чипа.

BEDO (Burst EDO) — более быстрая (в тактах, а не наносекундах) разновидность EDO RAM. О поддержке этого стандарта производители чипсетов заявляли уже давно, однако BEDO RAM так и не появилась на рынке, и, судя по всему, уже никогда не появится, проиграв более быстрой SDRAM.

bitбит. Мельчайшая единица хранения и передачи информации, соответствует логическому устройству, имеющему только два возможных состояния — 0 или 1. Обозначается строчной буквой b.

brand-name

  1. для чипов и/или модулей = major или major/major
  2. для модулей — подразумевает то, что модуль сделан известным (соблюдающим стандарты и высокое качество) производителем и имеет его маркировку. Единого мнения о том, каких производителей считать известными, не существует.
  3. для систем — тот факт, что система произведена крупным производителем компьютерной техники, который специально продает модули расширения памяти со своей маркировкой и рекомендует использовать именно их. Можно применить термин и к самим модулям, однако как правило они представляют собой совершенно стандартные (или, изредка, произведенные по субконтракту) устройства с дополнительной маркировкой (чаще всего при этом являясь brand-name в определениях 1 или 2).

bufferedбуферизованный (модуль). Из-за высокой совокупной электрической емкости современных модулей памяти большой собственно емкости время их "зарядки" становится недопустимо большим, что приводит к потере тактов. Чтобы избежать этого, некоторые модули (как правило, 168-контактные DIMM) снабжаются специальной микросхемой (буфером), которая сохраняет поступившие данные относительно быстро, что освобождает контроллер. Буферизованные DIMM, как правило, несовместимы с небуферизованными, поэтому эти два типа DIMM имеют разное положение одного из ключей.

burst modeпакетный режим, в отличие от обычного режима, при котором запрос по адресу возвращает только данные по этому адресу, в этом режиме такой запрос возвращает пакет данных по этому и последующим адресам.

busшина. Совокупность линий ввода-вывода, по которым информация передается одновременно. Ширина и частота шины естественным образом влияет на пропускную способность. Под главной, или системной шиной понимается шина между процессором и подсистемой памяти.

bus frequencyчастота шины. Как правило, термин применяется к главной шине компьютера, т.е. той, на частоте которой работает память. Для современных процессоров и чипсетов Intel пока официально не превышает 66MHz, однако ожидается увеличение. Иногда называется внешней частотой.

bus widthширина шины — количество линий ввода-вывода, т.е. число бит, которое может быть передано одновременно (для устройств с контролем четности из этого количества иногда исключают линии, "отвечающие" за четность, как не передающие информации). Для системной шины определяется в первую очередь типом процессора. Увеличение ширины системной шины — простой способ увеличить общую производительность системы, однако это требует коренной перестройки программного обеспечения и периферии. Все процессоры, начиная с Pentium, имеют ширину шины 64 бит. Размер одного банка памяти кратен (как правило, равняется) ширине системной шины.

byteбайт — единица информации, состоящая из 8 бит, широко используется для практического измерения объемов данных (например, размера файла, а также, что важно для нас, объема оперативной памяти). Обозначается заглавной буквой B.

C

cacheкэш

  1. Буфер обмена между медленным устройством хранения данных и более быстрым. Принцип его действия основан на том, что простой более быстрого устройства сильно влияет на суммарную производительность, а также — что с наибольшей вероятностью запрашиваются данные, сохраненные сравнительно недавно. Поэтому между устройствами помещают небольшой (по сравнению со всеми хранимыми данными) буфер быстрой памяти, что позволяет снизить потери быстрого устройства как на записи, так и на чтении.
  2. = L2 cache

capacityемкость

  1. Электрическая емкость устройства DRAM (влияет на быстродействие и энергопотребление).
  2. Емкость модуля памяти в MB (в отличие от плотности чипа).

CAS (Column Access Strobe) — регистр обращения к столбцу. Сигнал, поданный на линию CAS чипа, означает, что через адресные линии вводится адрес столбца.

checksumконтрольная сумма, применяется при контроле четности. Бит, представляющий собой сумму значений всех бит, входящих в контрольную сумму (как правило это 8 бит) с отбрасыванием старших разрядов.

chipчип, микросхема.

chipsetчипсет, набор микросхем материнской платы, реализующих архитектуру компьютера. Как правило, контроллер памяти входит в состав чипсета, поэтому зная, какой именно чипсет применен в компьютере, можно сделать выводы о применяемой памяти.

clock

  1. = timerтаймер, системные часы.
  2. = clock cycleтакт, длительность одной операции синхронного (управляемого таймером) устройства.
  3. = clock frequencyтактовая частота, величина, обратная длительности такта, измеряется в мегагерцах.
  4. см. SDRAM clock

clock multiplyingумножение частоты — принцип, применяемый в компьютерах начиная с 486-го поколения для согласования растущей тактовой частоты процессора и остальной системы. В результате системная шина (а вместе с ней и подсистема памяти) работают на частоте, в фиксированное число раз меньшее, чем частота процессора. В то время, как процессоры Intel давно превысили частоту 200MHz, частота шины до недавнего времени не превышала 66MHz. Надо отметить, что реальное быстродействие системы зависит от обеих частот.

CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)

  1. Широко распространенная технология полупроводникового производства, применяемая, в частности, при производстве DRAM.
  2. Энергозависимая память, применяемая для хранения установок BIOS.

COASt (Cache On A Stick) — "стандартные" модули расширения кэша, некоторое время (одновременно с появлением EDO) применялись довольно широко. Поскольку EDO первоначально рассматривалась в качестве дешевой альтернативы кэшу, введение данного стандарта легко устанавливаемого (и наоборот) кэша должно было предоставить максимальную возможность выбора конфигурации. В действительности под этим названием существует немалое количество типов и стандартов кэша, совместимых между собой зачастую лишь по разъемам. Устанавливаются вертикально и ничем, кроме трения, не фиксируются.

compositeкомпозитный (модуль). Модуль памяти, собранный из чипов с меньшей глубиной адресного пространства, чем у самого модуля. Как правило, это происходит на ранней стадии производства модулей памяти большой емкости, когда соответствующие чипы редки и дороги. Дополнительная адресная линия модуля при этом эмулируется с помощью линии RAS чипа. Естественно, такой метод не способствуют ни быстродействию, ни совместимости, поэтому применять композитные модули следует с осторожностью. Композитный модуль, как правило, имеет дополнительную микросхему для конверсии адресного бита в RAS и необычно большое количество чипов. Само по себе большое количество чипов не является критерием композитности, но надо иметь в виду, что оно увеличивает электрическую емкость и энергопотребление, что также не улучшает работу модуля.

CPU frequencyчастота процессора — рабочая частота процессора, называемая иногда также "внутренней" частотой. Равняется произведению частоты шины на фактор умножения частоты.

cycle organizationорганизация цикла - последовательность "элементарных" операций между двумя актами чтения/записи (как-то: зарядка RAS, ввод адреса строки, зарядка CAS, ввод адреса столбца, открытие линии данных и т.д.), а также допустимые "сокращенные" варианты такой последовательности (например, CAS-before-RAS). Типы памяти, такие, как fast page или EDO, различаются как раз допустимой сокращенной организацией цикла, поэтому иногда говорят о "цикле, организованном по типу fast page" и т. п.

cycle timeдлительность цикла (имеется в виду цикл обращения к памяти). При использовании термина необходимо указание, о какой организации цикла идет речь. По умолчанию термин совпадает со временем доступа.

D

DDR (Double Data Rate) = SDRAM II

densityплотностьемкость чипа в мегабитах. Помимо единицы измерения, отличается от емкости модуля еще и тем, что имеет отдельное значение "уровня технологии", по которой изготовлен данный чип. В настоящее время технология 16Mb является "основной", 64Mb также постепенно перестает быть дорогой диковиной. Надо отметить, что в виде опытных образцов существуют микросхемы плотностью 1Gb.

double-sideдвусторонний — термин, вообще говоря, не несущий особой смысловой нагрузки, т.к. в общем случае расположение чипов по одну или две стороны модуля памяти имеет отношение к дизайну или технологии производства, но не к архитектуре (хотя существует, конечно, ряд систем с таким расположением разъемов, которое позволяет устанавливать модули с чипами, расположенными только с одной стороны). Как правило, термин ошибочно применяется вместо двухбанковый (который и сам по себе окружен путаницей).

dual-bankдвухбанковый. Поскольку адресное пространство организовано в виде квадратной (как правило) матрицы, увеличение числа адресных линий на 1 (т.е. максимально возможного адреса — вдвое) приводит к 4-кратному увеличению адресного пространства (поэтому емкость 30-контактных SIMM росла с инкрементом 4). Для 72-контактных SIMM была введена возможность увеличения емкости модуля вдвое путем монтажа на одной плате двух комплектов чипов, причем обращение ко второму комплекту просиходит за счет дополнительных RAS. Это, в частности, 2, 8, 32 и 128MB SIMM, которые в отличие от 1, 4, 16 и 64MB называются двухбанковыми (иногда те же две группы модулей называют 2-х и 4-х банковыми соответственно, поскольку первая использует 2 RAS, а вторая — 4). Аналогично для 168-контактных DIMM, с той разницей, что для их производства часто используются чипы с "неквадратным" адресным пространством (организации типа 2х8), поэтому двухбанковые модули 64 и 256MB имеют также и однобанковый вариант. Некоторые контроллеры не могут работать с двухбанковыми модулями памяти (для 72-контактных SIMM это большая редкость, для 168-контактных DIMM — довольно часто).
***Иногда встречаются 8MB 72-контактные однобанковые SIMM (у этих модулей обращение ко "второму" банку происходит не через линию RAS, а через дополнительную адресную линию, т.е. с точки зрения контроллера это 16MB SIMM, у которого не работает "верхняя половина" всех страниц. Многие контроллеры отказываются работать с такими SIMM, особенно в комплекте с другими, "нормальными". В свое время произошел массовый выброс на рынок таких SIMM, что привело к распространению легенд о существовании "неправильных" одно- или двух-сторонних или -банковых SIMM безотносительно к их емкости. К сожалению, авторы многих мануалов к материнским платам разделяли это недоумение.

DIMM (Dual In-Line Memory Module) — наиболее современная разновидность форм-фактора модулей памяти. Отличается от SIMM тем, что контакты с двух сторон модуля независимы (dual), что позволяет увеличить соотношение ширины шины к геометрическим размерам модуля. Наиболее распространены 168-контактные DIMM (ширина шины 64 бит), устанавливаемые в разъем вертикально и фиксируемые защелками. В портативных устройствах широко применяются SO DIMM.

DIP (Dual In-line Package) — микросхемы с двумя рядами контактов, расположенными вдоль длинных сторон чипа и загнутых "вниз". Чрезвычайно распространенная упаковка во времена "до" модулей памяти.

DRAM (Dynamic RAM) — динамическая память — разновидность RAM, единичная ячейка которой представляет собой конденсатор с диодной конструкцией. Наличие или отсутствие заряда конденсатора соответствует единице или нулю. Основной вид, применяемый для оперативной памяти, видеопамяти, а также различных буферов и кэшей более медленных устройств. По сравнению со SRAM заметно более дешевая, хотя и более медленная по двум причинам — емкость заряжается не мгновенно, и, кроме того, имеет ток утечки, что делает необходимой периодическую подзарядку.

DRAM moduleмодуль памяти — устройство, представляющее собой печатную плату с контактами, на которой расположены чипы памяти (иногда заключенное в корпус), и представляющее собой единую логическую схему. Помимо чипов памяти может содержать и другие микросхемы, в том числе шунтирующие резисторы и конденсаторы, буферы, logic parity и т.п.

E

ECC (Error Checking and Correction) — выявление и исправление ошибок (возможны другие дешифровки того же смысла) — алгоритм, пришедший на смену "контролю четности". В отличие от последнего каждый бит входит более чем в одну контрольную сумму, что позволяет в случае возникновения ошибки в одном бите восстановить адрес ошибки и исправить ее. Как правило, ошибки в двух битах также детектируются, хотя и не исправляются. ECC поддерживают практически все современные серверы, а также некоторые чипсеты "общего назначения". Надо отметить, что ECC не является панацеей от дефективной памяти и применяется для исправления случайных ошибок.

ECC DIMM — для 168-контактных DIMM термин идентичен понятию "DIMM с четностью", т.е. 72-битный.

ECC-on-SIMMSIMM с интегрированным контроллером ECC, применявшиеся в некоторых моделях серверов IBM, Digital и HP. Распространения не получили.

ECC SIMM — термин не корректен, поскольку может обозначать разные объекты, которые имеют между собой общего только то, что являются SIMM и предназначены к использованию в контроллерах, которые позволяют с их помощью реализовать ECC. В частности, помимо указанных ниже, под это определение подпадают некоторые SIMM, не удовлетворяющие JEDEC, в частности ECC-on-SIMM, а также стандартные SIMM с четностью, которые могут быть использованы для поддержки ECC в большинстве устройств сравнительно недавнего производства. Непосредственно ECC SIMM — это:

  1. SIMM стандарта JEDEC x39 или x40 — 39- или 40-битные 72-контактные SIMM, применявшиеся в ранних реализациях ECC.
  2. SIMM x36 (то есть 36-битные, как и "обычные" SIMM с четностью). Главное отличие — SIMM с четностью логически имеет жесткое соответствие одного бита четности каждым 8 бит "основной" памяти, выраженное в том, что эти 9 бит имеют одну общую линию CAS. Физически как правило на каждые 2 чипа "основной" памяти приходится 1 бит четности — всего 8+4=12 чипов для, например, 16MB. ECC SIMM состоит из 36 равнозначных бит, все на одной линии CAS. Физически это 9 идентичных чипов для тех же 16MB. Надо отметить, что SIMM с четностью как правило работают (и обеспечивают ECC) в системах, предназначенных для данного класса ECC SIMM, в то время как последние неспособны работать в системах с "обычной" четностью.

EDO (Extended Data Out) — разновидность асинхронной DRAM, очень широко применявшаяся в последние 2 года. Представляет собой дальнейшее развитие метода fast page по "конвейерной" схеме — линии ввода-вывода остаются какое-то время открытыми для чтения данных в процессе обращения к следующему адресу, что позволяет организовать цикл доступа более оптимально.

F

fast page — дословно быстрый страничный (режим). Очень старая схема оптимизации работы памяти, которая основана на предположении, что доступ, как правило, осуществляется по последовательным адресам. Позволяет наряду с обычным циклом (RAS, затем CAS), использовать сокращенный, при котором RAS фиксирован, и соответственно его зарядка не требует времени. На сегодняшний день fast page — наиболее медленная из реально применяемых организаций памяти, однако еще сравнительно недавно это был единственный выбор для систем с контролем четности.

flash — разновидность энергонезависимой памяти с низким (сопоставимым с DRAM) временем доступа по чтению и относительно высоким временем записи. Используется для компактных внешних запоминающих устройств, а также для хранения редко перезаписываемых программных компонент (например, BIOS или операционной системы некоторых узкофункциональных устройств). Существует, в частности, в виде форм-фактора SIMM.

FPM (Fast Page Mode) — см. fast page.

G

generic — термин, противоположный brand-name (в каждом из смыслов). В наиболее общем виде — нечто, лишенное признаков либо производства известным производителем, либо предназначения конкретно для системы известного же производителя. В последнем смысле близок понятию "стандартный".

Gigabitгигабит, Gb — 1024 мегабит, т.е. 1,073,741,824 бит.

Gigabyteгигабайт, GB — 1024 мегабайт, т.е. 1,073,741,824 байт.

gold leadзолоченые контакты — разновидность покрытия контактов модуля. В SIMM в настоящее время применяется редко, для DIMM — практически обязательно.

H

hyper page mode — то же, что EDO.

I

IC (Integral Circuit) — интегральная схема — более умное название для чипа.

interleaveчередование — способ ускорения работы подсистемы памяти, основанный, как и многие другие, на предположении, что доступ происходит к последовательным адресам. Реализуется аппаратно на уровне контроллера и требует организации банка памяти таким образом, что суммарная ширина шины модулей превосходит ширину системной шины в k=2n раз (это число называется коэффициентом interleave и иногда записывается в виде k:1). Таким образом, каждый банк состоит из k "нормальных" банков. Контроллер распределяет "нормальное" адресное пространство подсистемы так, что каждый из k последовательных адресов физически находится в разном банке. Обращение к банкам организовано со сдвигом по фазе (напомним, что отдельный цикл обращения может требовать 5 тактов шины и более). В результате при последовательном обращении к данным за один обычный цикл обращения можно получить до k обращений в режиме interleave. Реальный выигрыш, разумеется, меньше, кроме того, interleave заметно увеличивает минимальный размер банка (как в числе модулей, так и в емкости). В SDRAM interleave реализован на уровне чипа.

I/O line (Input/Output Line)- линия ввода-вывода — каждая из линий, в совокупности составляющих шину, и способных пропустить один бит "за раз".

J

JEDEC (Joint Electronic Device Engineering Council) — организация, разрабатывающая стандарты на электронные устройства, в том числе на модули памяти.

JEIDA (Japanese Electronics Industry Development Association) — как следует из названия, японская организация, имеющая отношение к разработке стандартов на электронное оборудование.

K

keyключ — вырез в модуле памяти, который вместе с выступом в разъеме предотвращает неправильную установку модуля. 30- и 72-контактные SIMM имели вырез в углу со стороны 1-го контакта, последний, кроме этого — вырез посередине (интересно, что японские компьютеры имели более высокий выступ посредине разъема SIMM, соответственно, "чужие" SIMM туда не устанавливались, а в обратную сторону совместимость была). У 72-контактных SO DIMM высота выреза была использована для контроля рабочего напряжения (опять же, невозможно было установить модули с рабочим напряжением 5 вольт в разъемы с напряжением 3.3 вольт, но не наоборот). Для 168-контактных DIMM было применено другое решение — ключи (и соответствующие выступы) стали смещать вдоль, что сделало невозможным установку "неправильного" модуля памяти, хотя и заметно осложнило производство. Такие DIMM имеют 2 ключа, задающие напряжение питания и буферизованность.

kilobitкилобит, kb — 1024 бит. Надо отметить, что при подсчете объемов информации для введения высших разрядов вместо привычной тысячи используется 1024=210, что иногда порождает путаницу.

kilobyteкилобайт, kB — 1024 байт.

L

L2 cache (Level 2 cache) — кэш 2-го уровнякэш между процессором и подсистемой памяти. Работает, как правило, на частоте шины и смонтирован на материнской плате (хотя в старших процессорах Intel его начали устанавливать в одной микросборке или модуле с процессором, а также увеличили частоту). Для кэша 2-го уровня практически всегда используется SRAM. Характерные емкости — от 256kB до 1MB на процессор. Объем и быстродействие кэша 2-го уровня оказывают значительное воздействие на быстродействие системы в целом. Следует иметь в виду, что иногда установка в систему дополнительной памяти (как правило, свыше 64MB) может заметно замедлить ее работу, если контроллер не поддерживает кэширование этой памяти.

lead finishпокрытие контактов — термин, относящийся к модулям памяти. Контакты бывают "золоченые" (gold-lead) и "луженые" (tin-lead), причем на цене модуля материал покрытия никак не отражается. Производители компьютеров, как правило, рекомендуют уделять особое внимание соответствию материалов контактов модулей и разъемов, хотя, по мнению некоторых независимых источников, опасения по поводу гальванической коррозии, которую могут вызвать разные покрытия контактов, сильно преувеличены.

logic parity (bridge parity, fake parity, parity emulation etc) — ложная четность — техническое решение, позволяющее сэкономить на чипах четности, стоимость которых составляет заметную часть стоимости модуля памяти. Вместо чипов четности на модуль устанавливается логическая микросхема, которая при чтении данных вычисляет контрольную сумму и предъявляет ее контроллеру, как если бы она хранилась в модуле. Поскольку никакого контроля четности реально места не имеет, рекомендовать такие модули можно в единственном случае — если вы имеете материнскую плату, в которой невозможно отключить контроль четности, но не хотите за четность платить (скорее всего — это 486-я плата выпуска 1994 года и раньше). Следует также опасаться случаев, когда память с логической четностью выдается за память с четностью истинной — в частности, память вообще может не заработать в вашем компьютере (например, потому что он использует ECC, и вообще любые логические схемы понижают совместимость модуля), да и бескорыстным этот обман вряд ли будет, наконец, в самом лучшем случае вы будете пребывать в ложной уверенности, что ваша система выполняет контроль четности, когда это не так. Ложную четность иногда можно отличить, учитывая, что "логический" чип часто выпускается в упаковке TQFP. Косвенным признаком для 72-контактных SIMM также является наличие лишь одного чипа четности (двух для двухбанковых SIMM), хотя это может быть и Quad-CAS. Надо остерегаться и чипов с необычной (для микросхем памяти) маркировкой, хотя в наиболее неприятных случаях маркировка может быть подделана.

long DIMMдлинный DIMM — термин, как правило обозначающий 168-контактный DIMM, в более общем случае — противоположный SO DIMM.

low gradeнизкосортный — термин применяется к чипам, не выдержавшим тестов на соответствие стандартам. В отличие от audio RAM, как правило, они не имеют "объемных" дефектов, но демонстрируют ухудшение характеристик (например, времени доступа) при допустимых стандартами отклонениях внешних параметров (температуры, напряжения питания). Как правило, "низкосортные" чипы продаются производителями со специальной маркировкой или в виде кремниевых пластин и предназначены изначально для некомпьютерного применения. Тем не менее, к сожалению, на рынок часто попадают модули памяти, изготовленные из таких чипов, что приводит к нестабильной работе компьютеров, в которые они установлены.

low profileнизкий (модуль) — модули памяти относительно низкой (по сравнению с допускаемой стандартами) высоты. В некоторые материнские платы (особенно если разъемы расширения памяти находятся на дополнительных картах) могут быть установлены только такие модули.

M

main memory = system memory

major — принятое в индустрии название 10-20 крупнейших производителей чипов DRAM, а также выпущенных ими чипов. Модули, произведенные этими производителями из собственных чипов и имеющие их маркировку, носят название major/major и считаются эталонными по качеству.

MDRAM (Multibank DRAM) — многобанковая DRAM — разновидность DRAM с interleave, организованным на уровне чипа, применяется преимущественно в графических подсистемах.

Megabitмегабит, Mb — 1024 килобит, т.е. 1,048,576 бит.

Megabyteмегабайт, MB — 1024 килобайт, т.е. 1,048,576 байт.

Megahertzмегагерц, MHz — 106 герц, т.е. операций в секунду. Единица измерения частоты, характерная для современных компьютеров, таймеры различных подсистем которых имеют частоты от нескольких мегагерц (шина ISA) до нескольких сотен мегагерц (процессоры). Системные шины имеют частоту от нескольких десятков до 100 мегагерц, до недавнего времени максимальная официальная частота для чипсетов Intel составляла 66 мегагерц.

memoryпамять

  1. = запоминающее устройство (ЗУ) — вообще говоря, любое устройство, предназначенное для записи (по крайней мере один раз), хранения и считывания информации. В этом смысле термин в основном употребляли в эпоху нестандартных решений. Сейчас его можно встретить в сочетании ROM, а также flash memory.
  2. = RAM
  3. = system memory

memory card

  1. Часто применяемое (особенно в портативных компьютерах) решение для нестандартного модуля памяти. Внешне очень напоминает карту PCMCIA, однако предназначена к установке в специальный разъем. Насколько можно судить, единый стандарт отсутствует, соответственно, совместимость наблюдается максимум в близких семействах моделей одного производителя.
  2. Иногда так называются применяемые в некоторых компьютерах (особенно серверного класса и поддерживающих interleave) "карты расширения памяти", устанавливаемые в материнскую плату и несущие на себе разъемы для модулей.

memory controllerконтроллер памяти — промежуточное устройство между системной шиной и модулями памяти. Контроллер определяет возможные тип и рабочий режим используемой памяти (в стандартных решениях зачастую и форм-фактор), организует interleave, контроль четности или ECC и т.п. Иногда имеется возможность настройки ряда параметров из BIOS Setup, в других случаях определение типа памяти и режима работы происходит автоматически. В настоящее время, как правило, контроллер памяти является частью чипсета, поэтому пара чипсет-BIOS нередко однозначно определяет возможности контроллера (хотя иногда, особенно в материнских платах высшего уровня, применяется специфический контроллер).

memory subsystemподсистема памяти — понимаемая как единое целое (обычно с целью обсуждения, например, вопросов быстродействия) совокупность системной шины, контроллера памяти и модулей. В зависимости от постановки вопроса может включать либо не включать кэш 2-го уровня.

N

nanosecondнаносекунда, ns — 10-9 сек. Характерное время цикла или такта для современных компьютеров — от единиц до сотен наносекунд, что соответствует частотам от сотен до единиц мегагерц. Используется для измерения времени доступа.

no-nameбезымянныйчипы либо модули памяти, не имеющих маркировки (известного) производителя. Очень широко (особенно модули) представлены на рынке. Явным недостатком "безымянной" памяти является то, что никто, вообще говоря, не гарантирует ее качества (производителям качественной памяти нет ни малейшего резона скрывать свое имя).

non-volatileэнергонезависимая (память) — устройство памяти, сохраняющее информацию при выключенном питании, например, flash и различные виды EPROM.

O

operation modeрабочий режиморганизация цикла, при которой данная память работает (или способна работать), т.е. например fast page или EDO.

organizationорганизация — информация об устройстве чипа/модуля памяти, записываемая в виде произведения глубины адресного пространства на количество линий ввода/вывода. Кстати, для чипа это произведение дает его плотность, для модуля (если отбросить линии контроля четности и разделить результат на 8) — емкость. Организация не является исчерпывающим описанием логической схемы (см. для чипов например Quad-CAS или refresh).

P

packageупаковка — тип корпуса и расположения контактов чипа (например, SOJ, TSOP и т.п.).

pageстраница. Довольно условный термин, чаще всего под страницей понимается набор доступных адресов при фиксированном адресе строки, иными словами, размер страницы равен числу столбцов. Надо учитывать, что строка, как правило, длинее из соображений refresh.

parityчетность, также контроль четности. Довольно старый принцип проверки целостности данных, передаваемых по любой шине (в том числе сохраняемых в памяти). Суть метода в том, что для некоторого количества (как правило, 8) бит данных на стадии записи вычисляется контрольная сумма, которая сохраняется как специальный бит четности. При чтении данных контрольная сумма вычисляется снова и сравнивается с битом четности. Если они совпали, данные считаются аутентичными, в противном случае генерируется сообщение об ошибке четности (как правило, приводящее к остановке системы). Метод активно применялся в прошлом, когда подсистема памяти являлась одной из самых ненадежных в компьютере. К явным недостаткам метода относятся дороговизна памяти, требующейся для хранения лишних бит четности, незащищенность от двойных ошибок (а также ложное срабатывание при ошибке в бите четности), остановка системы даже при непринципиальной ошибке (скажем, в видеокадре). В настоящее время, учитывая возросшее качество памяти и низкую вероятность ошибок, применяется все реже — в системах низкого уровня используется более дешевая память без контроля четности, в системах высокого — более результативная схема ECC.

parity bitбит четности — дополнительный бит для контрольной суммы, а также линия ввода/вывода для его передачи.

parity chipчип четностичип, предназначенный для хранения бита четности в соответствующем SIMM, как правило однобитный (организации х1), хотя встречаются чипы типа Quad-CAS, объединяющие несколько независимых однобитных чипов в одной упаковке.

parity SIMMSIMM с четностью. Для 30-контактного SIMM — с организацией x9, т.е. 8 основных бит плюс бит четности. Для 72-контактного SIMM, как правило, имеется в виду SIMM организации x36, причем на каждом из 4-х CAS находится 8 основных бит плюс бит четности. Такая организация отличает его от ECC SIMM x36. Никакого принципиального значения это разделение на группы по 9 бит не имеет, поскольку в подавляющем большинстве случаев доступ по отдельному CAS невозможен. Скорее всего, этот принцип идет от тех времен, когда 72-контактные SIMM только приходили на смену 30-контактным, чтобы сымитировать 4 30-контактных модуля и облегчить переход без значительной переработки контроллера. В принципе, под определение подпадают и довольно редкие модули x18 и x33.

PCB (Printed Circuit Board) — печатная плата. Качество дизайна и изготовления печатной платы может сильно повлиять на качество модуля памяти. В частности, считается, что предназначенная для модулей памяти печатная плата должна состоять как минимум из 4 слоев (для предотвращения "наводок").

PC Card — более современное, хотя так окончательно и не прижившееся, название для стандарта PCMCIA. Не путать с memory card.

PCMCIA (Personal Computer Memory Card International Association) — в противовес своему названию имеет мало отношения к памяти как таковой. Стандарт шины и разъема расширения для подключения внешних устройств (в том числе хранения информации, но отнюдь не оперативной памяти) к портативным компьютерам. Не путать с memory card.

pinoutразводка — соответствие между контактами чипа или модуля и его логической схемой. Внешне совершенно стандартный модуль может по той или иной причине иметь необычную разводку (и, следовательно, архитектуру).

pinконтакт, для пайки или установки в разъем, не обязательно в виде проволочки.

pipelineконвейер — метод доступа к данным, при котором можно продолжать чтение по предыдущему адресу в процессе запроса по следующему.

POST (Power-On Self Test) — процесс определения системой своей конфигурации при загрузке (тестом фактически не является). В принципе, память с серьезными дефектами не будет распознана как таковая уже на этой стадии. Следует иметь в виду, что на результат POST могут повлиять установки BIOS Setup.

PRD (Presence Detect) — информация о типе, емкости и времени доступа модуля памяти, закодированная с помощью заземления или незаземления специально предназначенных для этой цели контактов. В частности, контакты с 67-го по 70-й 72-контактного SIMM, будучи электрически соединены (или наоборот) с 72-м контактом, обеспечивают 4 бит информации, в которых может быть записана емкость и время доступа SIMM. Контактные площадки под нулевые резисторы для заземления можно видеть с правой стороны SIMM, если смотреть на него, расположенного горизонтально с ключом в левом нижнем углу. PRD описано в JEDEC. Тем не менее подавляющее большинство контроллеров памяти PRD не использует, соответственно, в SIMM, произведенных "безымянными" изготовителями, PRD зачастую отсутствует, что может повлечь несовместимость с системами, которым PRD требуется. Старые модели IBM (эпохи PS/2) также использовали PRD, причем нестандартное. JEDEC описывает также PRD для DIMM. В последнее время (в частности, для SDRAM DIMM) применяется SPD.

profileформ-фактор — в наиболее общем виде — тип разъема и геометрические размеры (включая размеры ключей, выступающих частей и т.д.) модуля памяти. Некоторые системы по причинам, происходящим из геометрии, работают с модулями стандартной архитектуры, но с некоторыми ограничениями форм-фактора (см. low profile).

proprietary — термин, обратный понятию "стандартный", т.е. предназначенный для конкретной системы и только для нее.

Q

Quad-CASмикросхема четности, предназначенная для 72-контактных SIMM и как бы объединяющая в себе 4 независимых однобитных чипа четности, доступ к каждому из которых идет по отдельной линии CAS. Как правило, речь идет о чипе организации 1х4 (сумма четырех 1х1). Выпускались, в частности, Micron. SIMM с таким чипом являются "истинными" SIMM с четностью, и их следует отличать от SIMM с "ложной четностью", имеющих то же количество чипов. В принципе, существовали и чипы Double-CAS (в частности, OKI), представлявшие собой сумму 2-х чипов.

R

Rambus DRAM — технология DRAM, разработанная компанией Rambus и позволяющая создавать память с высокой пропускной способностью (несколько сотен Mb/сек). Поскольку технология официально поддержана компанией Intel, высока вероятность того, что эта память будет основной в компьютерах будущего. Тем не менее, поскольку стандарт не является открытым, а защищен патентом и как следствие подлежит лицензированию, консорциум major-производителей ведет разработку конкурирующего стандарта SLDRAM. В настоящее время уже применяется в видеоподсистемах высокого уровня.

RAM (Random Access Memory) — память со случайным доступом

  1. Любое устройство памяти, для которого время доступа по случайному адресу равняется времени доступа по последовательным адресам. В этом смысле термин практически утратил свое значение, так как современные технологии RAM используют методы оптимизации последовательного доступа, но в прошлом это действительно было критерием для отличения устройств, предназначенных для оперативного хранения небольших объемов данных (в русской традиции — оперативное запоминающее устройство, ОЗУ) от устройств для постоянного хранения больших массивов (постоянное или программное ЗУ, ПЗУ). Сейчас очевидно, что реальным критерием является энергозависимость.
  2. = volatile RAM = ОЗУ (см. выше) — устройство памяти, предназначенное для оперативного хранения данных, необходимых для работы компьютера. Фактически разделяется на SRAM и DRAM.
  3. = system memory

RAS (Row Access Strobe) — регистр обращения к строке. Сигнал, поданный на линию RAS чипа, означает, что через адресные линии вводится адрес строки.

RDRAM = Rambus DRAM

ROM (Read-Only Memory) — память без перезаписи — вообще говоря, любое запоминающее устройство, перезапись информации на котором невозможна в принципе. В настоящее время термин самостоятельной ценности не имеет, применяясь иногда в аббревиатурах (CD-ROM), в том числе и для описания устройств, допускающих перезапись, хотя в основном предназначенных для чтения (EEPROM).

refreshподзарядка. Как известно, состоянием ячейки памяти DRAM является наличие/отсутствие заряда на конденсаторе. Этот заряд подвержен утечке, поэтому для сохранения данных конденсатор необходимо время от времени подзаряжать. Это достигается подачей на него время от времени напряжения (несложная диодная конструкция обеспечивает refresh только тех конденсаторов, на которых уже есть заряд). Нормальный цикл подзарядки происходит при фиксации адреса столбца и циклическом изменении адреса строки. Поэтому вообще говоря чип с меньшим количеством строк подзаряжается быстрее.
*** Часто встречаются упоминания о чипах, скажем 2k refresh, 4k refresh и т.п. Число nk здесь означает "длину строки", т.е. количество столбцов. История здесь следующая. Нормальное количество столбцов (как и строк) для чипа организации 4х4 (16-мегабитный чип с адресным пространством 4Mb, именно такие чипы используются для SIMM 16 и 32MB) равняется 2k (квадратный корень из 4M как размера квадратной матрицы). Однако с целью повышения быстродействия путем уменьшения времени refresh были разработаны чипы с "неквадратной" адресной матрицей, имевшие 1к строк и соответственно 4к столбцов (4к refresh, см. выше). К сожалению, стандартные контроллеры памяти PC того времени (к Mac, например, это не относилось) оказались не способны работать с такими чипами, кроме того, на их основе практически невозможно было создать память с четностью (из-за "квадратности" чипов четности). В результате словосочетание 4k refresh приобрело в массовом сознании абсолютно ругательный смысл (в частности, насколько мне известно, большинство Pentium-контроллеров прекрасно способны были работать с чипами 4k, но рынок отказывался их потреблять). Появление DIMM, которые использовали четность не "в манере" SIMM с четностью, а просто как дополнительные 8 бит, сняло ограничения, и сечас чипы 16Mb 4x4 4k refresh активно применяются.

registered — аналог понятию buffered для SDRAM DIMM, пока еще не нашло широкого употребления.

remarkперемаркировка

  1. Вообще говоря, любое изменение уже нанесенной на чип маркировки. Как правило, выполняется изготовителем в том случае, когда уже промаркированная партия чипов показала несоответствующие маркировке (возможно, и более высокие) результаты на тестах. Может выполняться в виде изменения уже указанного на чипе времени доступа (как правило, следы этого изменения хорошо видны, поскольку никто не пытается их скрыть). Такого рода партии перемаркированных чипов обычно выпускаются на рынок с сответствующими сертификатами и ничего дурного собой не представляют. Другой вариант - когда партия чипов не выдержала теста на соответствие стандартам высшего качества, однако пригодня для использования как low grade или audio RAM. В этом случае верхний слой пластика с первоначальной маркировкой снимается и наносится low grade маркировка. Такие чипы также являются полноценными (если это слово применимо к low grade).
  2. К несчастью, имелись случаи (в последнее время, к счастью, реже) "злоумышленной" перемаркировки чипов, когда не соответствующая неким стандартам память выдавалась за стандартную с целью извлечения прибыли (как правило, делали это не производители). Характерным признаком такой подделки являются следы снятия верхней поверхности чипа (которые редко удается скрыть) под маркировкой известного производителя. Рекомендуется не применять модулей, собранных из таких чипов, ни в коем случае.

S

SDRAM (Synchronous DRAM) — синхронная DRAM — название синхронной памяти "первого поколения", широко применяющейся в настоящее время и имеющей пропускную способность порядка 100Mb/сек.

SDRAM clock — можно встретить указание, что те или иные чипы или модули SDRAM являются 2 clock или 4 clock. Под clock здесь понимается линия ввода сигнала таймера. Насколько можно судить, 4 clock чипы поддерживают внутричиповый interleave более высокого уровня (4-банковый?), т.е. являются вообще говоря более передовыми. Достоверной информации о совместимости этих двух типов SDRAM с разными чипсетами и реальных выигрышах в скорости пока нет.

SDRAM II — находящийся в стадии разработки SDRAM следующего поколения, который должен будет поддерживать вдвое большую (200Mb/сек) пропускную способность. Реальных шин с такой высокой частотой пока не существует.

SGRAM (Synchronous Graphic RAM) — разновидность синхронной видеопамяти.

SIMM (Single In-line Memory Module) — наиболее распространенный в течение долгого времени форм-фактор для модулей памяти. Представляет собой прямоугольную плату с контактной полосой вдоль одной из сторон, фиксируется в разъеме поворотом с помощью защелок. Контакты с двух сторон платы на деле являются одним и тем же контактом (single). Наиболее распространены 30- и 72-контактные SIMM (ширина шины 8 и 32 бит соответственно).

single-bankоднобанковый — см. dual-bank.

single-sideодносторонний — см. double-side.

SIP (Single In-Line Package) — разновидность форм-фактора модулей памяти, вытеснены SIMM и в настоящее время почти не встречаются. Проще всего описать их как SIMM, у которого контакты не "наклеены" на плату, а имеют форму иголок (pin в первоначальном значении этого слова) и торчат в виде гребенки.

SLDRAM (SyncLink DRAM) — условное название высокоскоростной памяти, разрабатываемой консорциумом производителей в качестве открытого стандарта в противовес Rambus DRAM.

slotразъем. Как правило, это название используется для разъемов, куда "вставляются" платы расширения, в том числе модули типа SIMM и DIMM. Разъемы, куда "втыкаются" ножки (чипов либо разъемов "противоположного пола"), называются socket.

SMT (Surface Mount Technology) — технология поверхностного монтажа, основной способ изготовления модулей памяти и многих других устройств на основе печатных плат. Смысл метода в том, что вместо пайки каждого контакта по отдельности все чипы "приклеиваются" на печатную плату, заранее покрытую припоем по трафарету, после чего плата прогревается в специальной печи, в результате чего припой плавится и чипы оказываются припаянными.

SO DIMM (Small Outline DIMM) — разновидность DIMM малого размера (small outline), предназначенных в первую очередь для портативных компьютеров. Наиболее часто встречаются 72- и 144-контактные модули (32 и 64 бит соответственно). Способ установки аналогичен SIMM.

SOJ (Small Outline J-shaped) — разновидность микросхем, одна из наиболее широко применяемых для упаковки DRAM. Контакты микросхемы изогнуты в форме буквы J коротким концом под микросхему.

SPD (Serial Presence Detect)- разновидность PRD у 168-контактных DIMM (как правило, небуферизованных). Выполнена не в виде набора резисторов на контактных площадках, а в виде единой микросхемы EPROM, причем записанная в ней информация не описана в databook производителей (и, предположительно, является предметом отдельного соглашения и включает "необычную" информацию наподобие имени производителя). Модули "безымянного" производства SPD, как правило, не имеют. По крайней мере некоторые платы на чипсете 440LX требуют от модулей наличия SPD. По разным версиям это предпринято либо для того, чтобы отсечь от рынка "безымянных" производителей, либо с целью обеспечить автоматическое определение времени доступа, что будет актуально для грядущих скоростных модулей и шин.

specificспецифический — в общем виде — модуль памяти, предназначенный для использования в конкретной системе (или классе систем) конкретного производителя. Термин несколько более мягкий, чем proprietary, так как не отрицает возможности того, что указанная система может расширяться и стандартными модулями.

speedскорость или быстродействие — некорректный термин, может обозначать либо тактовую частоту, либо время доступа.

SRAM (Static RAM) — статическая память — разновидность RAM, единицей хранения информации в которой является состояние "открыто-закрыто" в транзисторной сборке. Используется приемущественно в качестве кэш-памяти 2-го уровня. Ячейка SRAM более сложна по сравнению с ячейкой DRAM, поэтому более высокое быстродействие SRAM компенсируется высокой ценой. Несмотря на низкое энергопотребление, является энергозависимой.

standardстандартный — то есть соответствующий неким общеизвестным техническим спецификациям (для модулей памяти, как правило, JEDEC), и, следовательно, имеющий широкую область применения, не ограниченную конкретной системой.

static columnстатический столбец. Память со статическим столбцом — выпускавшаяся некоторое время, но не получившая распространения из-за высокой цены более быстрая разновидность fast page.

synchronousсинхронный — устройство памяти, цикл обращения к которому состоит из операций, имеющих одинаковую длительность, что позволяет синхронизировать его с системным таймером для оптимального взаимодействия между устройством и шиной. Синхронные устройства являются более передовыми по отношению к асинхронным, и в настоящее время идет процесс полного перехода к ним.

system memoryоперативная памятьпамять (в подавляющем большинстве случаев — DRAM), использующаяся для хранения активных программ и данных. Количество и быстродействие оперативной памяти оказывают чрезвычайно серьезное воздействие на быстродействие современных компьютеров. Работает на частоте системной шины. Доступ процессора к оперативной памяти происходит через кэш 2-го уровня. Некоторые подсистемы компьютера способны обращаться к оперативной памяти напрямую, минуя процессор.

T

timing diagramвременная диаграмма — количества тактов системной шины, необходимых для доступа к случайно выбранному адресу и следующим за ним адресам. Характерные диаграммы для разных типов памяти (в предположении, что они достаточно быстры, чтобы оптимально взаимодействовать с шиной) — 5-3-3-3 (fast page), 5-2-2-2 (EDO), 5-1-1-1 (SDRAM).

tin-leadлуженые контакты — разновидность покрытия контактов модуля, по непроверенным данным, с добавлением палладия. Большинство выпускаемых сейчас SIMM и разъемов для них имеют именно это покрытие.

TQFP (Thin Quad Flat Package) — разновидность микросхем плоской квадратной формы с контактами вдоль всех четырех сторон. Применяется в основном для многоконтактных чипов, в частности кэша.

TSOP (Thin Small Outline Package) — разновидность микросхем плоской формы. В настоящее время в области DRAM применяется довольно широко, особенно для упаковки низковольтных микросхем.

U

unbufferedнебуферизованный (модуль). Термин применяется к "обычным" 168-контактным DIMM, чтобы отличить их от буферизованных.

unified memoryобъединенная память — технология, при которой видеоадаптеру выделяется часть системной памяти, так что нет необходимости устанавливать для него отдельную видеопамять. При всей своей экономичности и возможности программно менять количество видеопамяти технология является компромиссной, так как видеопамять должна, вообще говоря, быть более быстрой, чем "стандартная".

V

volatileэнергозависимая (память) — устройство памяти, теряющее информацию при отключении напряжения питания. К ним относятся, в частности, DRAM и SRAM.

voltageнапряжение питания. Современные чипы памяти имеют напряжение питания 3.3 или 5 вольт (последние пока еще более распространены). Как правило, напряжение питания модулей памяти предопределено конструкцией материнской платы и не может быть изменено для одного типа модулей. Плата, поддерживающая разные типы модулей (например, SIMM и DIMM), может поддерживать разное напряжение питания для каждого типа, но при этом необязательно оба сразу. Надо также отметить, что модули памяти являются одним из наиболее энергопотребляющих устройств компьютера, поэтому снижение их напряжение питания представляется естественным путем к системам с большим объемом памяти.

video RAMвидеопамять

  1. вообще говоря, любая память, используемая в графической подсистеме (как правило, в качестве буфера кадров).
  2. разновидность памяти, специально созданная для применения в графических подсистемах, например, VRAM, WRAM, SGRAM и т.п. Чаще всего оптимизирована по отношению к "обычной" памяти с использованием того факта, что буфер кадров по умолчанию не требует хранения уже однажды использованной информации, т.е. одновременно с чтением можно (и нужно) производить запись.
  3. =VRAM

VRAM (Video RAM) — одна из первых разновидностей видеопамяти, позволяет производить чтение и запись информации за один цикл обращения.

W

WRAM (Window RAM)- разновидность видеопамяти, примененная, в частности, в видеокартах Matrox.

Z

ZIP (Zig-Zag In-Line Package) — разновидность упаковки микросхем, в частности, применявшаяся для видеопамяти. Контакты расположены вдоль одной из длинных сторон чипа в зигзагообразном порядке.

© Все права в отношении данного документа принадлежат автору. При воспроизведении обязательно сохранение данного уведомления и указание имени и координат автора. Коммерческое использование допускается только с письменного разрешения автора. Документ приведен с небольшими сокращениями, оригинал под названием Глоссарий терминов и сокращений, имеющих отношение к памяти находится на сайте Paul's Den.




Дополнительно

iXBT BRAND 2016

«iXBT Brand 2016» — Выбор читателей в номинации «Процессоры (CPU)»:
Подробнее с условиями участия в розыгрыше можно ознакомиться здесь. Текущие результаты опроса доступны тут.

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.