Исследование основных характеристик модулей памяти

Часть 18: Модули Super Talent DDR2-800


Мы продолжаем изучение важнейших характеристик высокоскоростных модулей DDR2 на низком уровне с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. Наши предыдущие исследования в этой категории были посвящены модулям Corsair DDR2-667UL, DDR2-1000 и ADATA DDR2-800, а в настоящей статье мы рассмотрим очередное предложение высокоскоростной категории от Super Talent — 2-ГБ пару модулей DDR2-800.

Информация о производителе модуля

Производитель модуля: Super Talent Technology Corporation
Производитель микросхем модуля: неизвестен
Сайт производителя модуля:
www.supertalent.com/SuperTalentMemory/products/product_guide.php?catlog=Desktop
www.supertalent.com/Home/ru.php (русскоязычное зеркало)

Внешний вид модуля

Фото модуля памяти

Part Number модуля

Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR2, как и какая-либо техническая документация на данную серию модулей, на сайте производителя отсутствует. На странице краткого описания продукта указывается, что продукт с Part Number T800UX2GC4 представляет собой двухканальный набор «разогнанных» модулей DDR2-800 суммарным объемом 2 ГБ (2 x 1ГБ) с конфигурацией модулей 128M x 64. Модули функционируют в указанном режиме при таймингах 4-3-4-8, какая-либо информация о питающем напряжении отсутствует, в связи с чем будем подразумевать, что модули способны функционировать в таком режиме при стандартном напряжении 1.8 В.

Данные микросхемы SPD модуля

Описание общего стандарта SPD:

Описание специфического стандарта SPD для DDR2:

Параметр Байт Значение Расшифровка
Фундаментальный тип памяти 2 08h DDR2 SDRAM
Общее количество адресных линий строки модуля 3 0Eh 14 (RA0-RA13)
Общее количество адресных линий столбца модуля 4 0Ah 10 (CA0-CA9)
Общее количество физических банков модуля памяти 5 61h 2 физических банка
Внешняя шина данных модуля памяти 6 40h 64 бит
Уровень питающего напряжения 8 05h SSTL 1.8V
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X) 9 3Dh 3.75 нс (266.7 МГц)
Тип конфигурации модуля 11 00h Non-ECC
Тип и способ регенерации данных 12 82h 7.8125 мс — 0.5x сокращенная саморегенерация
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти 13 08h x8
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля 14 00h Не определено
Длительность передаваемых пакетов (BL) 16 0Ch BL = 4, 8
Количество логических банков каждой микросхемы в модуле 17 04h 4
Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) 18 38h CL = 5, 4, 3
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) 23 3Dh 3.75 нс (266.7 МГц)
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) 25 50h 5.00 нс (200.0 МГц)
Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) 27 3Ch 15.0 нс
4, CL = 5
4, CL = 4
3, CL = 3
Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD) 28 1Eh 7.5 нс
2.0, CL = 5
2.0, CL = 4
1.5, CL = 3
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) 29 3Ch 15.0 нс
4, CL = 5
4, CL = 4
3, CL = 3
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) 30 28h 45.0 нс
10.67, CL = 5
10.67, CL = 4
8, CL = 3
Емкость одного физического банка модуля памяти 31 80h 512 МБ
Период восстановления после записи (tWR) 36 3Ch 15.0 нс
4, CL = 5
4, CL = 4
3, CL = 3
Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR) 37 1Eh 7.5 нс
2.0, CL = 5
2.0, CL = 4
1.5, CL = 3
Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP) 38 1Eh 7.5 нс
2.0, CL = 5
2.0, CL = 4
1.5, CL = 3
Минимальное время цикла строки (tRC) 41, 40 37h, 00h 55.0 нс
14.67, CL = 5
14.67, CL = 4
11, CL = 3
Период между командами саморегенерации (tRFC) 42, 40 69h, 00h 105.0 нс
28, CL = 5
28, CL = 4
21, CL = 3
Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax) 43 80h 8.0 нс
Номер ревизии SPD 62 12h Ревизия 1.2
Контрольная сумма байт 0-62 63 B3h 179 (верно)
Идентификационный код производителя по JEDEC 64-71 00h, 43h,
41h, 54h,
44h, 00h,
00h, 00h
Неверно («CATD»)
Part Number модуля 73-90 00h...00h Не определено
Дата изготовления модуля 93-94 06h, 01h 2006 год, 1 неделя
Серийный номер модуля 95-98 00h, 00h,
00h, 00h
Не определено

Содержимое SPD модулей выглядит достаточно странно. По этим данным, модули поддерживают три величины задержки сигнала CAS# — 5, 4 и 3. Однако и первому (CL X), и второму (CL X-1) значению соответствует одна и та же величина периода синхросигнала, равная 3.75 нс (частота 266.7 МГц, т.е. режим DDR2-533). Т.е. получается, что рассматриваемые модули как бы являются модулями DDR2-533(!) — даже не DDR2-667, не говоря уж о DDR2-800. По нашим многочисленным исследованиям модулей памяти DDR2 можно сказать, что такой безответственный подход к программированию содержимого SPD можно встретить нечасто. Тем не менее, вернемся к рассмотрению содержимого SPD модулей Super Talent. Третьему значению задержки сигнала CAS# (CL X-2), как и следовало ожидать, соответствует большая величина периода синхросигнала, равная 5.0 нс (т.е. режим DDR2-400). Схемы основных таймингов для первых двух случаев (режим DDR2-533) могут быть записаны как 5-4-4-11 (с округлением) и 4-4-4-11 (с округлением), соответственно, а для последнего (DDR2-400) — 3-3-3-8. Нетрудно заметить, что такие тайминги весьма далеки от заявленных «4-3-4-8» для режима DDR2-800.

Среди прочих особенностей можно отметить немного увеличенное значение минимального времени цикла регенерации (tRFC = 105 нс), более типичное для «обычных», нежели высокоскоростных модулей памяти DDR2. Данные SPD содержат верный номер ревизии SPD (1.2) и даже дату изготовления модулей (1-я неделя 2006 года). В то же время, идентификационный код производителя указан неверно (если рассматривать его «буквенную составляющую» — значения 43h, 41h, 54h и 44h, получается некая аббревиатура «CATD», непонятно как относящаяся к реальному производителю), а также отсутствуют данные о Part Number и серийном номере модулей.

Конфигурации тестовых стендов

Тестовый стенд №1

  • Процессор: Intel Pentium 4 Extreme Edition 3.73 ГГц (Prescott N0, 2 МБ L2) на частоте 2.8 ГГц (200.0 МГц x14)
  • Чипсет: Intel 975X, частота FSB 200.0 МГц
  • Материнская плата: ASUS P5WD2-E Premium, версия BIOS 0206 от 12/21/2005
  • Память: 2x1024 МБ Super Talent DDR2-800

Тестовый стенд №2

  • Процессор: Intel Pentium 4 Extreme Edition 3.73 ГГц (Prescott N0, 2 МБ L2) на частоте 3.73 ГГц (266.7 МГц x14)
  • Чипсет: Intel 975X, частота FSB 266.7 МГц
  • Материнская плата: ASUS P5WD2-E Premium, версия BIOS 0206 от 12/21/2005
  • Память: 2x1024 МБ Super Talent DDR2-800

Результаты тестирования

Тесты производительности

В первой серии тестов использовалась схема таймингов, выставляемая в настройках BIOS по умолчанию (Memory Timings: «by SPD»). В связи с отсутствием в SPD модулей надлежащих данных для режимов DDR2-667 и DDR2-800, в которых проводилось тестирование модулей, используемая для тестов материнская плата ASUS P5WD2-E выставила схемы таймингов, можно сказать, «наугад» — 4-5-5-14 в режиме DDR2-667 и 4-6-6-16 в режиме DDR2-800.

Параметр DDR2-667 DDR2-800
Стенд 1 Стенд 2* Стенд 1 Стенд 2*
Тайминги 4-5-5-14 4-5-5-14 4-6-6-16 4-6-6-16
Средняя ПСП на чтение, МБ/с 5484 6574 5629 6913
Средняя ПСП на запись, МБ/с 2177 2414 2258 2602
Макс. ПСП на чтение, МБ/с 6797 8666 6838 8955
Макс. ПСП на запись, МБ/с 4282 5672 4282 5679
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс 54.6 47.7 49.5 44.7
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс 64.1 55.4 59.1 52.1
Минимальная латентность случайного доступа**, нс 111.5 98.6 102.7 93.3
Максимальная латентность случайного доступа**, нс 135.7 117.7 125.8 112.1
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
84.2 73.8 75.4 68.8
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
110.2 93.3 102.4 88.6
Минимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
112.0 99.8 102.9 94.2
Максимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
137.9 119.6 130.3 114.0

*частота FSB 266.7 МГц

**размер блока 16 МБ

Тем не менее, по приведенным выше результатам, рассматриваемые модули имеют достаточно высокие скоростные показатели (максимально достижимые величины реальной ПСП в настоящих тестах на процессорах с 2-МБ L2-кэшем близки к типичным значениям в 6.8 ГБ/с при частоте FSB 200 МГц и 9.0 ГБ/с при 266 МГц). Задержки при доступе в память (латентность памяти) также весьма невысоки — легко заметить, что они снижаются при выставлении как более высокой частоты памяти, так и более высокой частоты FSB (в последнем случае эффект ощутимее), в связи с чем наименьшие задержки достигаются в режиме DDR2-800 при частоте системной шины 266 МГц.

Тесты стабильности

Значения таймингов, за исключением tCL, варьировались «на ходу» благодаря встроенной в тестовый пакет RMMA возможности динамического изменения поддерживаемых чипсетом настроек подсистемы памяти. Устойчивость функционирования подсистемы памяти определялась с помощью вспомогательной утилиты RightMark Memory Stability Test, входящей в состав тестового пакета RMMA.

Параметр DDR2-667 DDR2-800
Стенд 1 Стенд 2* Стенд 1 Стенд 2*
Тайминги 4-4-3 4-4-3 4-4-3 4-4-3
Средняя ПСП на чтение, МБ/с 5503 6615 5693 7017
Средняя ПСП на запись, МБ/с 2294 2589 2446 2827
Макс. ПСП на чтение, МБ/с 6821 8726 6848 9057
Макс. ПСП на запись, МБ/с 4282 5674 4282 5684
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс 54.5 47.5 49.0 44.2
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс 64.0 55.1 58.5 51.5
Минимальная латентность случайного доступа**, нс 108.5 95.3 97.2 87.6
Максимальная латентность случайного доступа**, нс 133.0 114.4 121.2 106.3
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
84.0 72.7 75.1 68.6
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки)
109.8 93.0 102.4 87.8
Минимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
109.6 96.4 98.6 88.4
Максимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки)
135.8 116.2 125.1 108.1

*частота FSB 266.7 МГц

**размер блока 16 МБ

Удивительно, но минимально достижимые тайминги в режиме DDR2-667 оказались сравнительно «средними» — всего 4-4-3 (значение последнего тайминга, tRAS, как обычно, игнорируется — его можно уменьшить вплоть до 4 без видимых изменений). Заметим, что мы использовали стандартное питающее напряжение модулей 1.8 В, т.к. производитель модулей не указывает на необходимость использования более высокого напряжения. Указанная схема таймингов относится к наилучшему случаю с точки зрения стабильности — вообще говоря, настоящие модули в режиме DDR2-667 позволяли использовать и более «жесткие» тайминги — вплоть до 3-3-3, но это сопровождалось появлением ошибок в тесте стабильности.

Еще более удивительно то, что в более скоростном режиме DDR2-800 рассматриваемые модули оказались способными устойчиво функционировать при выставлении... той же самой схемы таймингов 4-4-3 (ее эквивалент в режиме DDR2-667 составляет 3.3-3.3-2.5, что все же несколько более консервативно, чем неустойчивая конфигурация 3-3-3).

Как обычно, использование более скоростных схем таймингов позволяет несколько увеличить ПСП и снизить латентности, но нельзя сказать, что этот эффект является столь ощутимым — так, максимальное уменьшение латентности наблюдается при случайном обходе и составляет примерно 6 нс, т.е. менее 5%, а увеличение ПСП еще менее заметно, т.к. не превышает 1-2%.

Итоги

Протестированные модули памяти Super Talent DDR2-800 — новое предложение на российском рынке — можно считать вполне полноправными представителями модулей памяти класса high-end. Эти модули демонстрируют вполне хорошие скоростные характеристики и «разгонный потенциал по таймингам» — они способны функционировать в режиме DDR2-800 с использованием номинального питающего напряжения 1.8 В при таймингах вплоть до 4-4-3. Единственным недостатком рассмотренных модулей является явно ненадлежащее качество содержимого SPD, относящегося к неким модулям скоростной категории DDR2-533 неизвестного производителя, что может приводить к определенным трудностям в автоматическом определении параметров их функционирования BIOS-ами материнских плат (теоретически — вплоть до полной несовместимости). С другой стороны, то обстоятельство, что модули рассчитаны на энтузиастов, по определению знакомых с ручной настройкой различных параметров системы, включая настройки подсистемы памяти, возможно, смягчает указанный недостаток.


Средняя текущая цена (количество предложений) в московской рознице:

Модули памяти Super Talent 2048 МБ DDR2-800  Н/Д(0)


Модули памяти Super Talent DDR2-800 предоставлены мастер-дистрибьютором
модулей памяти Super Talent компанией MA LABS




Дополнительно

iXBT BRAND 2016

«iXBT Brand 2016» — Выбор читателей в номинации «Процессоры (CPU)»:
Подробнее с условиями участия в розыгрыше можно ознакомиться здесь. Текущие результаты опроса доступны тут.

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.