Исследование основных характеристик модулей памяти. Часть 18: Модули Super Talent DDR2-800
Мы продолжаем изучение важнейших характеристик высокоскоростных модулей DDR2 на низком уровне с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. Наши предыдущие исследования в этой категории были посвящены модулям Corsair DDR2-667UL, DDR2-1000 и ADATA DDR2-800, а в настоящей статье мы рассмотрим очередное предложение высокоскоростной категории от Super Talent 2-ГБ пару модулей DDR2-800.
Информация о производителе модуля
Производитель модуля: Super Talent Technology Corporation
Производитель микросхем модуля: неизвестен
Сайт производителя модуля: http://www.supertalent.com/SuperTalentMemory/products/product_guide.php?catlog=Desktop
http://www.supertalent.com/Home/ru.php (русскоязычное зеркало)
Внешний вид модуля
Фото модуля памяти
Part Number модуля
Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR2, как и какая-либо техническая документация на данную серию модулей, на сайте производителя отсутствует. На странице краткого описания продукта указывается, что продукт с Part Number T800UX2GC4 представляет собой двухканальный набор «разогнанных» модулей DDR2-800 суммарным объемом 2 ГБ (2 x 1ГБ) с конфигурацией модулей 128M x 64. Модули функционируют в указанном режиме при таймингах 4-3-4-8, какая-либо информация о питающем напряжении отсутствует, в связи с чем будем подразумевать, что модули способны функционировать в таком режиме при стандартном напряжении 1.8 В.
Данные микросхемы SPD модуля
Описание общего стандарта SPD:
Описание специфического стандарта SPD для DDR2:
| Параметр |
Байт |
Значение |
Расшифровка |
| Фундаментальный тип памяти |
2 |
08h |
DDR2 SDRAM |
| Общее количество адресных линий строки модуля |
3 |
0Eh |
14 (RA0-RA13) |
| Общее количество адресных линий столбца модуля |
4 |
0Ah |
10 (CA0-CA9) |
| Общее количество физических банков модуля памяти |
5 |
61h |
2 физических банка |
| Внешняя шина данных модуля памяти |
6 |
40h |
64 бит |
| Уровень питающего напряжения |
8 |
05h |
SSTL 1.8V |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X) |
9 |
3Dh |
3.75 нс (266.7 МГц) |
| Тип конфигурации модуля |
11 |
00h |
Non-ECC |
| Тип и способ регенерации данных |
12 |
82h |
7.8125 мс 0.5x сокращенная саморегенерация |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти |
13 |
08h |
x8 |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля |
14 |
00h |
Не определено |
| Длительность передаваемых пакетов (BL) |
16 |
0Ch |
BL = 4, 8 |
| Количество логических банков каждой микросхемы в модуле |
17 |
04h |
4 |
| Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) |
18 |
38h |
CL = 5, 4, 3 |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) |
23 |
3Dh |
3.75 нс (266.7 МГц) |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) |
25 |
50h |
5.00 нс (200.0 МГц) |
| Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) |
27 |
3Ch |
15.0 нс 4, CL = 5 4, CL = 4 3, CL = 3 |
| Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD) |
28 |
1Eh |
7.5 нс 2.0, CL = 5 2.0, CL = 4 1.5, CL = 3 |
| Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) |
29 |
3Ch |
15.0 нс 4, CL = 5 4, CL = 4 3, CL = 3 |
| Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) |
30 |
28h |
45.0 нс 10.67, CL = 5 10.67, CL = 4 8, CL = 3 |
| Емкость одного физического банка модуля памяти |
31 |
80h |
512 МБ |
| Период восстановления после записи (tWR) |
36 |
3Ch |
15.0 нс 4, CL = 5 4, CL = 4 3, CL = 3 |
| Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR) |
37 |
1Eh |
7.5 нс 2.0, CL = 5 2.0, CL = 4 1.5, CL = 3 |
| Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP) |
38 |
1Eh |
7.5 нс 2.0, CL = 5 2.0, CL = 4 1.5, CL = 3 |
| Минимальное время цикла строки (tRC) |
41, 40 |
37h, 00h |
55.0 нс 14.67, CL = 5 14.67, CL = 4 11, CL = 3 |
| Период между командами саморегенерации (tRFC) |
42, 40 |
69h, 00h |
105.0 нс 28, CL = 5 28, CL = 4 21, CL = 3 |
| Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax) |
43 |
80h |
8.0 нс |
| Номер ревизии SPD |
62 |
12h |
Ревизия 1.2 |
| Контрольная сумма байт 0-62 |
63 |
B3h |
179 (верно) |
| Идентификационный код производителя по JEDEC |
64-71 |
00h, 43h, 41h, 54h, 44h, 00h, 00h, 00h |
Неверно («CATD») |
| Part Number модуля |
73-90 |
00h...00h |
Не определено |
| Дата изготовления модуля |
93-94 |
06h, 01h |
2006 год, 1 неделя |
| Серийный номер модуля |
95-98 |
00h, 00h, 00h, 00h |
Не определено |
Содержимое SPD модулей выглядит достаточно странно. По этим данным, модули поддерживают три величины задержки сигнала CAS# 5, 4 и 3. Однако и первому (CL X), и второму (CL X-1) значению соответствует одна и та же величина периода синхросигнала, равная 3.75 нс (частота 266.7 МГц, т.е. режим DDR2-533). Т.е. получается, что рассматриваемые модули как бы являются модулями DDR2-533(!) даже не DDR2-667, не говоря уж о DDR2-800. По нашим многочисленным исследованиям модулей памяти DDR2 можно сказать, что такой безответственный подход к программированию содержимого SPD можно встретить нечасто. Тем не менее, вернемся к рассмотрению содержимого SPD модулей Super Talent. Третьему значению задержки сигнала CAS# (CL X-2), как и следовало ожидать, соответствует большая величина периода синхросигнала, равная 5.0 нс (т.е. режим DDR2-400). Схемы основных таймингов для первых двух случаев (режим DDR2-533) могут быть записаны как 5-4-4-11 (с округлением) и 4-4-4-11 (с округлением), соответственно, а для последнего (DDR2-400) 3-3-3-8. Нетрудно заметить, что такие тайминги весьма далеки от заявленных «4-3-4-8» для режима DDR2-800.
Среди прочих особенностей можно отметить немного увеличенное значение минимального времени цикла регенерации (tRFC = 105 нс), более типичное для «обычных», нежели высокоскоростных модулей памяти DDR2. Данные SPD содержат верный номер ревизии SPD (1.2) и даже дату изготовления модулей (1-я неделя 2006 года). В то же время, идентификационный код производителя указан неверно (если рассматривать его «буквенную составляющую» значения 43h, 41h, 54h и 44h, получается некая аббревиатура «CATD», непонятно как относящаяся к реальному производителю), а также отсутствуют данные о Part Number и серийном номере модулей.
Конфигурации тестовых стендов
Тестовый стенд №1
- Процессор: Intel Pentium 4 Extreme Edition 3.73 ГГц (Prescott N0, 2 МБ L2) на частоте 2.8 ГГц (200.0 МГц x14)
- Чипсет: Intel 975X, частота FSB 200.0 МГц
- Материнская плата: ASUS P5WD2-E Premium, версия BIOS 0206 от 12/21/2005
- Память: 2x1024 МБ Super Talent DDR2-800
Тестовый стенд №2
- Процессор: Intel Pentium 4 Extreme Edition 3.73 ГГц (Prescott N0, 2 МБ L2) на частоте 3.73 ГГц (266.7 МГц x14)
- Чипсет: Intel 975X, частота FSB 266.7 МГц
- Материнская плата: ASUS P5WD2-E Premium, версия BIOS 0206 от 12/21/2005
- Память: 2x1024 МБ Super Talent DDR2-800
Результаты тестирования
Тесты производительности
В первой серии тестов использовалась схема таймингов, выставляемая в настройках BIOS по умолчанию (Memory Timings: «by SPD»). В связи с отсутствием в SPD модулей надлежащих данных для режимов DDR2-667 и DDR2-800, в которых проводилось тестирование модулей, используемая для тестов материнская плата ASUS P5WD2-E выставила схемы таймингов, можно сказать, «наугад» 4-5-5-14 в режиме DDR2-667 и 4-6-6-16 в режиме DDR2-800.
| Параметр |
DDR2-667 |
DDR2-800 |
| Стенд 1 |
Стенд 2* |
Стенд 1 |
Стенд 2* |
| Тайминги |
4-5-5-14 |
4-5-5-14 |
4-6-6-16 |
4-6-6-16 |
| Средняя ПСП на чтение, МБ/с |
5484 |
6574 |
5629 |
6913 |
| Средняя ПСП на запись, МБ/с |
2177 |
2414 |
2258 |
2602 |
| Макс. ПСП на чтение, МБ/с |
6797 |
8666 |
6838 |
8955 |
| Макс. ПСП на запись, МБ/с |
4282 |
5672 |
4282 |
5679 |
| Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс |
54.6 |
47.7 |
49.5 |
44.7 |
| Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс |
64.1 |
55.4 |
59.1 |
52.1 |
| Минимальная латентность случайного доступа**, нс |
111.5 |
98.6 |
102.7 |
93.3 |
| Максимальная латентность случайного доступа**, нс |
135.7 |
117.7 |
125.8 |
112.1 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки) |
84.2 |
73.8 |
75.4 |
68.8 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки) |
110.2 |
93.3 |
102.4 |
88.6 |
Минимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки) |
112.0 |
99.8 |
102.9 |
94.2 |
Максимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки) |
137.9 |
119.6 |
130.3 |
114.0 |
*частота FSB 266.7 МГц
**размер блока 16 МБ
Тем не менее, по приведенным выше результатам, рассматриваемые модули имеют достаточно высокие скоростные показатели (максимально достижимые величины реальной ПСП в настоящих тестах на процессорах с 2-МБ L2-кэшем близки к типичным значениям в 6.8 ГБ/с при частоте FSB 200 МГц и 9.0 ГБ/с при 266 МГц). Задержки при доступе в память (латентность памяти) также весьма невысоки легко заметить, что они снижаются при выставлении как более высокой частоты памяти, так и более высокой частоты FSB (в последнем случае эффект ощутимее), в связи с чем наименьшие задержки достигаются в режиме DDR2-800 при частоте системной шины 266 МГц.
Тесты стабильности
Значения таймингов, за исключением tCL, варьировались «на ходу» благодаря встроенной в тестовый пакет RMMA возможности динамического изменения поддерживаемых чипсетом настроек подсистемы памяти. Устойчивость функционирования подсистемы памяти определялась с помощью вспомогательной утилиты RightMark Memory Stability Test, входящей в состав тестового пакета RMMA.
| Параметр |
DDR2-667 |
DDR2-800 |
| Стенд 1 |
Стенд 2* |
Стенд 1 |
Стенд 2* |
| Тайминги |
4-4-3 |
4-4-3 |
4-4-3 |
4-4-3 |
| Средняя ПСП на чтение, МБ/с |
5503 |
6615 |
5693 |
7017 |
| Средняя ПСП на запись, МБ/с |
2294 |
2589 |
2446 |
2827 |
| Макс. ПСП на чтение, МБ/с |
6821 |
8726 |
6848 |
9057 |
| Макс. ПСП на запись, МБ/с |
4282 |
5674 |
4282 |
5684 |
| Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс |
54.5 |
47.5 |
49.0 |
44.2 |
| Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс |
64.0 |
55.1 |
58.5 |
51.5 |
| Минимальная латентность случайного доступа**, нс |
108.5 |
95.3 |
97.2 |
87.6 |
| Максимальная латентность случайного доступа**, нс |
133.0 |
114.4 |
121.2 |
106.3 |
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки) |
84.0 |
72.7 |
75.1 |
68.6 |
Максимальная латентность псевдослучайного доступа, нс
(без аппаратной предвыборки) |
109.8 |
93.0 |
102.4 |
87.8 |
Минимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки) |
109.6 |
96.4 |
98.6 |
88.4 |
Максимальная латентность случайного доступа**, нс
(без аппаратной предвыборки) |
135.8 |
116.2 |
125.1 |
108.1 |
*частота FSB 266.7 МГц
**размер блока 16 МБ
Удивительно, но минимально достижимые тайминги в режиме DDR2-667 оказались сравнительно «средними» всего 4-4-3 (значение последнего тайминга, tRAS, как обычно, игнорируется его можно уменьшить вплоть до 4 без видимых изменений). Заметим, что мы использовали стандартное питающее напряжение модулей 1.8 В, т.к. производитель модулей не указывает на необходимость использования более высокого напряжения. Указанная схема таймингов относится к наилучшему случаю с точки зрения стабильности вообще говоря, настоящие модули в режиме DDR2-667 позволяли использовать и более «жесткие» тайминги вплоть до 3-3-3, но это сопровождалось появлением ошибок в тесте стабильности.
Еще более удивительно то, что в более скоростном режиме DDR2-800 рассматриваемые модули оказались способными устойчиво функционировать при выставлении... той же самой схемы таймингов 4-4-3 (ее эквивалент в режиме DDR2-667 составляет 3.3-3.3-2.5, что все же несколько более консервативно, чем неустойчивая конфигурация 3-3-3).
Как обычно, использование более скоростных схем таймингов позволяет несколько увеличить ПСП и снизить латентности, но нельзя сказать, что этот эффект является столь ощутимым так, максимальное уменьшение латентности наблюдается при случайном обходе и составляет примерно 6 нс, т.е. менее 5%, а увеличение ПСП еще менее заметно, т.к. не превышает 1-2%.
Итоги
Протестированные модули памяти Super Talent DDR2-800 новое предложение на российском рынке можно считать вполне полноправными представителями модулей памяти класса high-end. Эти модули демонстрируют вполне хорошие скоростные характеристики и «разгонный потенциал по таймингам» они способны функционировать в режиме DDR2-800 с использованием номинального питающего напряжения 1.8 В при таймингах вплоть до 4-4-3. Единственным недостатком рассмотренных модулей является явно ненадлежащее качество содержимого SPD, относящегося к неким модулям скоростной категории DDR2-533 неизвестного производителя, что может приводить к определенным трудностям в автоматическом определении параметров их функционирования BIOS-ами материнских плат (теоретически вплоть до полной несовместимости). С другой стороны, то обстоятельство, что модули рассчитаны на энтузиастов, по определению знакомых с ручной настройкой различных параметров системы, включая настройки подсистемы памяти, возможно, смягчает указанный недостаток.
Средняя текущая цена (количество предложений) в московской рознице:
| Модули памяти Super Talent 2048 МБ DDR2-800 |
Н/Д(0) |
Модули памяти Super Talent DDR2-800 предоставлены
мастер-дистрибьютором модулей памяти Super Talent
компанией «MA LABS»
Дмитрий Беседин (dmitri_b@ixbt.com)
Опубликовано 27 апреля 2006 г.
|