Модули памяти Qimonda DDR2-800 4 ГБ (HYS64T512020EU-25F-A)
Немецкая компания Qimonda — один из крупнейших производителей чипов памяти, имеет на сегодняшний день, пожалуй, самую широкую линейку этого типа продукции, включая и память для мобильных устройств, и весь спектр оперативной памяти для компьютеров, и видеопамять. Последняя, кстати, — вплоть до GDDR5, причем в официальном списке значатся уже две модели таких чипов — емкостью 512 и 1024 мегабита, а в графе готовности к поставкам стоит характерное «под заказ», и мы, конечно, знаем, для чего в настоящее время используются такие чипы.
Однако конечной продукцией, которая могла бы заинтересовать не только отраслевых потребителей, но и широкие пользовательские массы, являются не чипы памяти, а модули, процесс изготовления которых гораздо проще с технической точки зрения, но, тем не менее, не лишен своих особенностей. Именно поэтому под маркой производителей чипов (это равно касается не только Qimonda, но и Samsung, и Hynix), как правило, продаются лишь непритязательные внешне изделия, способные работать на штатных частотах, причем стабильно и надежно, но представляющие крайне ограниченный интерес в качестве объекта исследования. Мы, однако, решили познакомиться с именно такой парой модулей от Qimonda суммарным объемом 8 ГБ, и, собственно, выяснить: насколько сильно повлияет на скоростные характеристики увеличение плотности микросхем в сочетании с двухбанковой организацией модуля.
Рассуждать на тему: нужен ли кому-то, и зачем столь большой объем памяти, в рамках этой статьи мы не будем. Но если не касаться профессиональных запросов, для которых вполне может быть необходим и больший объем, а ограничиться исключительно впечатлениями «простого пользователя», не интересующегося даже результатами тестов, а лишь собственными ощущениями. То в таком случае, разительно бросающимся в глаза отличием, по сравнению с 4-гигабайтным объемом, является значительно сокращающееся время переключения между приложениями. Например, переключение из любой современной игры в интернет-браузер вместо десятков секунд занимает всего несколько секунд. Это, как минимум, приятно, а насколько необходимо, и стоит ли за это каким-либо образом платить (сами модули дороже, имеют менее высокие характеристики в разгоне по сравнению с распространенными модулями меньшего объема, также необходима установка 64-битной ОС) - решать пользователю.
Информация о производителе модуля
Производитель модуля: Qimonda AG
Производитель микросхем модуля: Qimonda AG
Сайт производителя модуля: http://www.qimonda.ru/
Внешний вид модуля
Part Number модуля
Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти имеется в брошюре на сайте, где также перечислено большинство выпускаемых на данный момент модулей и описание характеристик. Впрочем, именно таких модулей, какие оказались в нашем распоряжении, в списке не оказалось (есть такие же 4-гигабайтные с поддержкой ECC, тогда как наши модули коррекцию ошибок не поддерживают).
Модули объемом 4 ГБ основаны на 16 микросхемах в BGA-упаковке в конфигурации 512M x 64. Производитель гарантирует стабильную работу модулей в режиме DDR2-800 при таймингах 5-5-5 (значение RAS в описании не упомянуто, а по SPD равно 18) и питающем напряжении 1,8 В, этот режим и выбран в микросхеме SPD в качестве режима по умолчанию. Продаются модули в OEM-варианте поставки, соответственно, никакого отбора и объединения в 2-канальные комплекты производитель не предлагает.
Данные микросхемы SPD модуля
Описание общего стандарта SPD:
Описание специфического стандарта SPD для DDR2:
| Параметр |
Байт |
Значение |
Расшифровка |
| Фундаментальный тип памяти |
2 |
08h |
DDR2 SDRAM |
| Общее количество адресных линий строки модуля |
3 |
0Fh |
15 (RA0-RA14) |
| Общее количество адресных линий столбца модуля |
4 |
0Ah |
10 (CA0-CA9) |
| Общее количество физических банков модуля памяти |
5 |
61h |
2 физических банка |
| Внешняя шина данных модуля памяти |
6 |
40h |
64 бит |
| Уровень питающего напряжения |
8 |
05h |
SSTL 1.8V |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X) |
9 |
25h |
2.50 нс (400 МГц) |
| Тип конфигурации модуля |
11 |
00h |
Non-ECC |
| Тип и способ регенерации данных |
12 |
82h |
Очевидно, «имелось в виду» 82h, что соответствует значению 7.8125 мс — 0.5x сокращенная саморегенерация |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти |
13 |
08h |
x8 |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля |
14 |
00h |
Не определено |
| Длительность передаваемых пакетов (BL) |
16 |
0Ch |
BL = 4, 8 |
| Количество логических банков каждой микросхемы в модуле |
17 |
08h |
8 |
| Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) |
18 |
70h |
CL = 6, 5, 4 |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) |
23 |
25h |
2,5 нс (400 МГц) |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) |
25 |
3Dh |
3.75 нс (266.7 МГц) |
| Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) |
27 |
32h |
12.5 нс
5, CL = 6
5, CL = 5
3.33, CL = 4 |
| Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD) |
28 |
1Eh |
7.5 нс
3, CL = 6
3, CL = 5
2 CL = 4 |
| Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) |
29 |
32h |
12.5 нс
5, CL = 6
5, CL = 5
3.33, CL = 4 |
| Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) |
30 |
2Dh |
45.0 нс
18, CL = 6
18, CL = 5
12, CL = 4 |
| Емкость одного физического банка модуля памяти |
31 |
02h |
2048 МБ |
| Период восстановления после записи (tWR) |
36 |
3Ch |
15.0 нс
6, CL = 6
6, CL = 5
4, CL = 4 |
| Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR) |
37 |
1Eh |
7.5 нс
3, CL = 6
3, CL = 5
2, CL = 4 |
| Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP) |
38 |
1Eh |
7.5 нс
3, CL = 6
3, CL = 5
2, CL = 4 |
| Минимальное время цикла строки (tRC) |
41, 40 |
39h, 30h |
57.5 нс
23, CL = 6
23, CL = 5
15.3, CL = 4 |
| Период между командами саморегенерации (tRFC) |
42, 40 |
C3h, 30h |
195.0 нс
78, CL = 6
78, CL = 5
20.8, CL = 4 |
| Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax) |
43 |
80h |
8.0 нс |
| Номер ревизии SPD |
62 |
12h |
Ревизия 1.2 |
| Идентификационный код производителя по JEDEC |
64-71 |
7Fh, 00h |
Qimonda |
| Part Number модуля |
73-90 |
— |
64T512020EU25FA |
| Дата изготовления модуля |
93-94 |
07h, 48h |
2007 год, 48 неделя |
| Серийный номер модуля |
95-98 |
1Ah, 02h,
9Ch, 14h |
1A029C14h |
В SPD поддерживаются три значения задержки сигнала CAS# — 6, 5 и 4. Первому и второму (CL X = 6 и 5) соответствует режим функционирования DDR2-800 (время цикла 2.5 нс, частота 400 МГц) с идентичной схемой остальных таймингов 5-5-18 (ровно), третьему значению задержки сигнала CAS# (CL X-1 = 4) соответствует режим DDR2-533 (время цикла 3,75 нс, частота 266,7 МГц) с нестандартной схемой таймингов 4-3,33-3,33-12, которую BIOS большинства плат будет интерпретировать как 4-4-4-12.
Номер ревизии SPD и идентификационный код производителя указаны верно, Part Number соответствуют указанному на самих модулях, а серийный номер отличается от приведенного на стикере.
Поддержка расширений SPD стандарта EPP в рассматриваемых модулях не предусмотрена.
Конфигурация тестового стенда
- процессор: AMD Phenom 9750 (Socket AM2+), 2,4 ГГц (200x12), степпинг B3;
- чипсет: AMD 790FX;
- материнская плата: ASUS M3A32-MVP Deluxe, версия BIOS 1201;
- ОС: Windows XP SP2 x64.
Результаты исследования
В качестве штатного режима мы использовали рекомендованный производителем и наиболее логичный из сохраненных в SPD (DDR2-800 с таймингами 5-5-5-18). Испытания проводились в двух режимах контроллера памяти в процессоре Phenom: ganged (обеспечивающий более высокую производительность в режиме однопоточного доступа) и unganged (предпочтительный для многопоточных приложений, интенсивно обращающихся к памяти). Не преминули мы проверить и разгонный потенциал, хотя ожидать особых талантов в этой области от модулей высокой емкости вряд ли разумно.
|