Исследование основных характеристик модулей памяти. Часть 27: Модули Kingston HyperX DDR2-800 (PC2-6400) высокой емкости с низкими задержками

Мы продолжаем изучение важнейших характеристик высокоскоростных модулей DDR2 с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. Сегодня мы рассмотрим новое, весьма интересное предложение от компании Kingston (с учетом наметившейся тенденции к увеличению объемов памяти, используемых операционными системами и приложениями) — двухканальный комплект модулей памяти стандарта DDR2-800 high-end серии HyperX суммарным объемом 4 ГБ, обладающих, к тому же, сравнительно низкими задержками (4-4-4-12-2T).

Информация о производителе модуля

Производитель модуля: Kingston Technology
Производитель микросхем модуля: неизвестен
Сайт производителя модуля: http://www.kingston.com/hyperx/products/khx_ddr2.asp

Внешний вид модуля

Part Number модуля

Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR2 на сайте производителя отсутствует. В краткой технической документации модулей, соответствующих Part Number KHX6400D2LLK2/4G указывается, что продукт представляет собой комплект из двух модулей с низкими задержками (Low Latency, «LL») объемом 2 ГБ каждый, имеющих конфигурацию 256M x 64 и основанных на 16 микросхемах с конфигурацией 128M x8. Производитель гарантирует стабильную работу модулей в режиме DDR2-800 при таймингах 4-4-4-12 и сравнительно низком питающем напряжении 1.9 В, однако в микросхеме SPD в качестве режима по умолчанию выбран режим DDR2-667 со схемой таймингов 5-5-5-15 и напряжением питания 1.8 В.

Данные микросхемы SPD модуля

Описание общего стандарта SPD:

• JEDEC Standard No. 21-C, 4.1.2 - SERIAL PRESENCE DETECT STANDARD, General Standard

Описание специфического стандарта SPD для DDR2:

• JEDEC Standard No. 21-C, 4.1.2.10 - Appendix X: Specific SPDs for DDR2 SDRAM (Revision 1.2)

Содержимое SPD выглядит достаточно стандартно. Поддерживаются все три возможных значения задержки сигнала CAS# — 5, 4 и 3. Первому (CL X = 5) соответствует режим функционирования DDR2-667 (время цикла 3.0 нс, частота 333.3 МГц) со схемой таймингов 5-5-5-15 (ровно), что совпадает со значениями, заявленными производителем в документации модулей. Второму значению задержки сигнала CAS# (CL X-1 = 4) соответствует режим DDR2-533 (время цикла 3.75 нс, частота 266.7 МГц) со схемой таймингов 4-4-4-12. Наконец, последнему значению задержки сигнала CAS# (CL X-2 = 3) соответствует режим DDR2-400, также с «целой» схемой таймингов 3-3-3-9.

Из особенностей содержимого SPD можно отметить очень большое (пожалуй, впервые встретившееся нам за все время исследования модулей памяти DDR2) минимальное время цикла регенерации t_RFC = 127.5 нс, по всей видимости, связанное с использованием микросхем памяти с 8 логическими банками (типичное значение для большинства микросхем DDR2 — 4 логических банка) для достижения высокой емкости модулей (2 физических банка по 1024 МБ).

Номер ревизии SPD, идентификационный код производителя, дата изготовления и серийный номер модуля указаны верно. Информация о Part Number модуля присутствует («2G-UDIMM»), но не соответствует Part Number, указанному на самих модулях (KHX6400D2LLK2/4G).

Поддержка расширений SPD стандарта EPP в рассматриваемых модулях не предусмотрена.

Конфигурация тестового стенда

Стенд №1

• Процессор: AMD Athlon 64 X2 4800+ (Socket AM2), 2.4 ГГц (200 x12)
• Чипсет: NVIDIA nForce 590 SLI
• Материнская плата: ASUS CROSSHAIR, версия BIOS 0502 от 01/02/2007

Результаты исследования

Испытание модулей проводилось на платформе AMD (процессор Athlon 64 X2 4800+) с материнской платой ASUS CROSSHAIR (стенд №1). Тестирование модулей проводились в двух режимах: «по умолчанию» (автоматическая конфигурация подсистемы памяти согласно данным SPD) и в «оптимальном» режиме (конфигурация подсистемы памяти вручную, согласно рекомендациям производителя).

^*размер блока 32 МБ

В первом случае, частота памяти составила 300 МГц (режим «DDR2-600») ввиду ограничений, налагаемых контроллером памяти процессора (использование целых делителей частоты, в данном случае — 2400/8 = 300 МГц). Схема таймингов, автоматически выставленная BIOS материнской платы, совпала со значениями SPD и составила 5-5-5-15-2T. Скоростные показатели подсистемы памяти в этом режиме выглядят весьма «средне», что, впрочем, является типичным для процессоров AMD «AM2» при низких частотах памяти.

В режиме DDR2-800 изучаемые модули устойчиво функционируют при рекомендованных производителем значениях таймингов 4-4-4-12(-2T) при минимальном увеличении питающего напряжения до 1.9 В. В то же время, рекомендованная схема таймингов оказалась и минимально возможной — любые попытки выставления более «экстремальных» таймингов (за исключением параметра t_RAS, изменение которого, как обычно, игнорируется подсистемой памяти) приводили к моментальной неработоспособности системы, даже при поднятии напряжения питания модулей до 2.3 В. Скоростные характеристики подсистемы памяти в этом случае оказываются на весьма высоком уровне, несмотря на ее весьма большой объем.

Итоги

Исследованные модули Kingston HyperX DDR2-800 высокой емкости с низкими задержками KHX6400D2LLK2/4G показали надежность при функционировании в условиях, рекомендованных производителем (режим DDR2-800, напряжение питания 1.9 В, тайминги 4-4-4-12-2T). Это первое исследованное нами предложение среди новой категории модулей памяти суммарным объемом 4 ГБ, способное работать в столь высокоскоростном режиме при минимальном повышении питающего напряжения относительно номинала. И хотя в нашем исследовании дальнейшее уменьшение схемы таймингов не удалось (даже при значительном повышении питающего напряжения), выпуск этого продукта на сегодня можно считать серьезным достижением компании Kingston и индустрии памяти DDR2 в целом.

Средняя текущая цена (количество предложений) в московской рознице: