4-гигабайтный комплект модулей памяти Corsair Dominator

TWIN2X4096-9136C5DF DDR2-1142 (PC2-9136)


По современным меркам, 2 ГБ оперативной памяти все чаще фигурируют не в качестве оптимального, а минимального, объема, когда речь идет о комплектации универсального компьютера. А аппетиты Windows Vista и современных игр, в свою очередь, стимулируют наиболее активную часть пользователей выбирать среди 4-гигабайтных комплектов. На сайте Corsair приведено любопытное исследование производительности конфигураций с 2 и 4 ГБ памяти, где на примере ряда современных игр, доказывается, что такой объем не будет простаивать уже сейчас. И даже если вы скептически относитесь к «фирменным» тестированиям, едва ли станете отрицать, что тенденции к росту объемов, занимаемых программными модулями в памяти, очевидна. Разумеется, неиспользуемые в данный момент, могут храниться в виртуальной памяти, на жестком диске, но если переключение между программами, вызывает томительную паузу для подкачки данных, многозадачная среда сильно теряет в привлекательности.

Еще одна причина позаботиться о 4 ГБ комплекте уже сейчас (при покупке нового компьютера), состоит в том, что расширение массива памяти за счет добавления пары модулей, к двум имеющимся, всегда отрицательно сказывается на производительности. Даже если в будущем удастся найти такую же пару модулей (что на практике маловероятно), наверняка придется ограничиться более мягкими таймингами, а если память была разогнана, снизить и частоты.

В то же время, известно, что модули большого объема изначально имеют ограниченные способности в части разгона (сказывается двухбанковая организация), и именно поэтому не пользуются почетом среди экстремальных сторонников разгона. Однако наборы емкостью 4 ГБ с гарантированной производителем высокой частотой существуют, и мы рассмотрим комплект, пожалуй, с рекордной для этого объема частотой — 1142 МГц при сохранении стандартной схемы таймингов (5-5-5-15) и относительно невысокого для оверклокерских модулей напряжения (2,1 В).

Помимо высоких скоростных характеристик, модули с приставкой Dominator отличаются оригинальной системой охлаждения DHX (Dual-path Heat eXchange), радиатор которой имеет 4-слойную конструкцию. Крайние слои снимают тепло с чипов памяти обычным путем, а пара внутренних контактируют со специальным теплоотводящим слоем печатной платы модуля. Дополнительно, поверх модулей памяти может быть установлена планка с вентиляторами для организации активного охлаждения. Впрочем, как показывает практика, это избыточная мера, особенно, если на процессоре установлен эффективный вентилятор, способствующий охлаждению компонентов платы вокруг процессорного гнезда.

Информация о производителе модуля

Производитель модуля: Corsair Memory
Производитель микросхем модуля: неизвестен
Сайт производителя модуля: http://www.corsairmemory.com/corsair/dominator.html

Внешний вид модуля



Part Number модуля

Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти на сайте производителя отсутствует. В описании на сайте сообщается, что TWIN2X4096-9136C5DF представляет собой комплект из двух одинаковых модулей суммарным объемом 4096 МБ. Производитель гарантирует стабильную работу модулей в режиме DDR2-800 при таймингах 5-5-5-18 и питающем напряжении 1,8 В, а также DDR2-1142 с таймингами 5-5-5-15 и напряжении 2,1 В. В микросхеме SPD в качестве режима по умолчанию выбран режим DDR2-800 со схемой таймингов 5-5-5-15 и напряжением питания 1,8 В.

Данные микросхемы SPD модуля

Описание общего стандарта SPD:

Описание специфического стандарта SPD для DDR2:

Параметр Байт Значение Расшифровка
Фундаментальный тип памяти 2 08h DDR2 SDRAM
Общее количество адресных линий строки модуля 3 0Eh 14 (RA0-RA13)
Общее количество адресных линий столбца модуля 4 0Ah 10 (CA0-CA9)
Общее количество физических банков модуля памяти 5 61h 2 физических банка
Внешняя шина данных модуля памяти 6 40h 64 бит
Уровень питающего напряжения 8 05h SSTL 1.8V
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X) 9 25h 2.50 нс (400 МГц)
Тип конфигурации модуля 11 00h Non-ECC
Тип и способ регенерации данных 12 82h 7.8125 мс — 0.5x сокращенная саморегенерация
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти 13 08h x8
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля 14 00h Не определено
Длительность передаваемых пакетов (BL) 16 0Ch BL = 4, 8
Количество логических банков каждой микросхемы в модуле 17 08h 8
Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) 18 30h CL = 5, 4
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) 23 37h 3,7 нс (270.3 МГц)
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) 25 00h Не определено
Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) 27 32h 12.5 нс
5, CL = 5
4, CL = 4
Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD) 28 1Eh 7.5 нс
3, CL = 5
2, CL = 4
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) 29 32h 12.5 нс
5, CL = 5
4, CL = 4
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) 30 2Dh 45.0 нс
18, CL = 5
12, CL = 4
Емкость одного физического банка модуля памяти 31 01h 1024 МБ
Период восстановления после записи (tWR) 36 3Ch 15.0 нс
6, CL = 5
4, CL = 4
Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR) 37 1Eh 7.5 нс
3, CL = 5
2, CL = 4
Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP) 38 1Eh 7.5 нс
3, CL = 5
2, CL = 4
Минимальное время цикла строки (tRC) 41, 40 39h, 06h 57.0 нс
23, CL = 5
16, CL = 4
Период между командами саморегенерации (tRFC) 42, 40 7Fh, 06h 127.0 нс
51, CL = 5
35, CL = 4
Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax) 43 80h 8.0 нс
Номер ревизии SPD 62 12h Ревизия 1.2
Контрольная сумма байт 0-62 63 0Dh 13 (верно)
Идентификационный код производителя по JEDEC 64-71 7Fh, 7Fh, 9Eh Corsair
Part Number модуля 73-90 CM2X2048-9136C5D
Дата изготовления модуля 93-94 08h, 0Ch 2008 год, 12 неделя
Серийный номер модуля 95-98 00h, 00h,
00h, 00h
Не определено

В SPD поддерживаются два значения задержки сигнала CAS# — 5 и 4. Первому (CL X = 5) соответствует режим функционирования DDR2-800 (время цикла 2,5 нс, частота 400 МГц) со схемой таймингов 5-5-5-18 (ровно), второму значению задержки сигнала CAS# (CL X-1 = 4) соответствует нестандартный режим DDR2-540 (время цикла 3,7 нс, частота 270,3 МГц), но также со схемой таймингов, выраженной целыми числами (4-4-4-12). Но едва ли кто решит снизить частоту памяти столь существенно, чтобы воспользоваться более жесткими таймингами.

Номер ревизии SPD и контрольная сумма указаны верно, идентификационный код производителя имеется, а серийный номер отсутствует, Part Number модуля полностью соответствуют указанному на самих модулях.

Как и во всех высокочастотных модулях Corsair, имеется поддержка расширенного профиля EPP (дополнительной информации, записываемой в SPD и соответствующей режимам работы с повышенной частотой). В этом отношении надо отметить, что практического широкого распространения EPP к сегодняшнему дню так и не получила (хотя с момента опубликования стандарта прошло ровно два года). По-прежнему чтение данных из EPP поддерживается лишь на платах с чипсетами NVIDIA, включая, впрочем, и наиболее современные, вплоть до nForce 780a. В BIOS строчки, соответствующие настройке памяти с использованием данных из профилей EPP, следует искать под названием SLI-Ready Memory (хотя ничего общего с собственно функционированием видеокарт в SLI-режиме, эти настройки не имеют, это просто не совсем удачное маркетинговое название). Остальным производителям чипсетов, этот открытый, но неофициальный, стандарт, вероятно, не приглянулся по причине того, что организация JEDEC не поддержала это расширение официально. Хотя в отличие от разработчиков чипсетов, производители памяти откликнулись гораздо активнее. Модули с поддержкой EPP доступны от всех ведущих производителей памяти, включая Kingston, OCZ, Transcend и других.

С точки зрения пользователя, поддержку EPP нельзя назвать принципиально важной. На первый взгляд, возможность автоматически выбрать заявленные частоту и тайминги в сочетании с повышенным напряжением выглядит логично (если производитель памяти продает модули как, скажем DDR2-1234, и гарантирует работу именно на такой частоте, пусть пропишет необходимые тайминги и напряжения в SPD). Но с другой стороны, нестандартная частота памяти таковой и является, потому что поддерживается не везде, зачастую для достижения такой частоты требуется повышать частоту шины. Что ведет за собой разгон процессора, и в некоторых случаях требует пропорциональной коррекции множителей для периферийных шин, а то и напряжений процессора и чипсета. Словом, в каждом конкретном случае может потребоваться дополнительная настройка, иначе компьютер, автоматически считав режим из EPP, может либо вовсе не загрузиться, либо будет работать нестабильно.

А если ручной настройки все равно не избежать (и покупатели модулей для разгона, как правило, в курсе, что именно нужно настраивать), не представляет сложности и вручную выставить напряжение и тайминги. Желательно лишь, чтобы они были четко пропечатаны на стикерах, на самих модулях или на упаковке. И самое главное, каким бы оверклокерским по назначению ни являлся данный модуль, он должен поддерживать работу на стандартной частоте и напряжении, чтобы пользователь, как минимум, мог гарантированно запустить компьютер и войти в BIOS. Автоматическое считывание данных из EPP при первом запуске нам не встречалось ни на одной плате. Но, давайте, все же посмотрим, какие значения записал производитель в область EPP на рассматриваемых модулях

Описание стандарта EPP:

DDR2 UDIMM Enhanced Performance Profiles, revision 01
Параметр Байт(ы) (биты) Значение Расшифровка
Строка идентификации EPP 99-101 4E566Dh Есть поддержка SPD EPP
Тип профилей EPP 102 B1h Расширенные профили
Профиль оптимальной производительности 103 (1:0) 01h Профиль 1
Используемые профили 103 (7:4) 02h Профиль 0: отсутствует
Профиль 1: присутствует
Профиль №1
Уровень питающего напряжения 116 (6:0) 8Сh 2.1 В
Задержка передачи адреса
(Addr CMD rate)
116 (7) 01h 2T
Время цикла (tCK) 121 1Dh 1.75 нс (571.4 МГц)
Задержка CAS# (tCL) 122 20h 5
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) 123 23h 10.06 нс (5.75)
Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) 124 23h 10.06 нс (5.75)
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) 125 1Ah 26.0 нс (15)
Период восстановления после записи (tWR) 126 38h 14.0 нс (8.0)
Минимальное время цикла строки (tRC) 127 26h 38.0 нс (21.7)

Разработчики решили ограничиться одним расширенным профилем, куда и был записан «почти» тот самый режим, который производитель официально рекомендует в качестве максимального для модулей. Вернее, частота DDR2-1142 (время цикла 1,75 нс, опорная частота 571,4 МГц) и напряжение (2,1 В) корректны, а схема таймингов дробная: 5-5.75-5.75-15, и, очевидно, должна быть округлена до 5-6-6-15. Видимо, таким образом, было решено слегка смягчить автоматически выбираемый режим, по сравнению с рекомендациями для разгона вручную.

Жаль, что разработчики не воспользовались вторым профилем, тогда как даже более насущным и практически полезным было бы внести настройки для режима DDR2-1066, который современными системами поддерживается в качестве штатного (то есть доступен без увеличения частоты шины и какого-либо разгона, а за счет установки соответствующего множителя для получения такой частоты памяти). На наш взгляд, именно для таких режимов, ставших стандартными де-факто, но не попавшими в спецификации JEDEC, и есть смысл, в первую очередь, использовать возможность записи параметров в профиле EPP. Поскольку такие режимы могут использоваться не только разгонщиками, но и пользователями, желающими максимально эксплуатировать систему в штатном режиме, но не хотели бы самостоятельно вникать в настройки таймингов и напряжения.

Конфигурация тестового стенда

  • процессоры: AMD Phenom 9700 (Socket AM2+), 2,4 ГГц (200x12), степпинг B2, TLB Patch выключен в BIOS и AMD Phenom 9750 (Socket AM2+), 2,4 ГГц (200x12), степпинг B3;
  • чипсет: AMD 790FX;
  • материнская плата: ASUS M3A32-MVP Deluxe, версия BIOS 1001.

Результаты исследования

Как показали наши исследования, в максимальной степени реализовать потенциал двухканальной высокочастотной DDR2-памяти на сегодняшний день способны системы на основе процессоров AMD Phenom. Заодно с тестированием модулей памяти, на этот раз мы решили сравнить производительность контроллеров памяти у процессоров ревизии B2 и обновленной B3.

В тестированиях мы пользуемся ganged (объединенным) режимом работы контроллера памяти в процессорах Phenom, который обеспечивает более высокие результаты в режиме одноядерного доступа, а значит, и в задачах, где критическим является скорость исполнения какого-то одного основного потока. Для компьютеров, на которых запускаются многопоточные приложения с равным приоритетом, лучше использовать режим unganged. Параметр Command Rate устанавливался равным 2T, все тайминги, за исключением четырех основных, выбирались BIOS автоматически.

  Corsair TWIN2X4096-9136C5DF Chaintech DDR2-1100
Процессор: AMD Phenom 9750 9750 9750 9700 9700
Частота памяти, МГц
(DDR2 МГц)
533
(1066)
570
(1140)
575
(1150)
575
(1150)
575
(1150)
Частота контроллера памяти в процессоре, МГц
(DDR2 МГц)
2000 (200x10) 2140 (214x10) 2160 (216x10) 2160 (216x10) 2160 (216x10)
Частота ядер процессора, МГц
(частота FSB x FID)
2400
(200x12)
2568
(214x12)
2592
(216x12)
2592
(216x12)
2592
(216x12)
Тайминги памяти, напряжение 5-5-5-15-2T,
1,8 В
5-5-5-15-2T,
2,1 В
5-8-8-24-2T,
1,94 В
5-8-8-24-2T,
1,94 В
5-7-7-25-2T,
2,3 В
Минимальное напряжение при сохранении стабильности (не изучалось) 1,94 В 1,94 В 1,94 В (не изучалось)
Средняя ПСП на чтение (МБ/с),
1 ядро
6698 7153 7064 7060 7208
Средняя ПСП на запись (МБ/с),
1 ядро
3725 3979 3966 3957 3912
Макс. ПСП на чтение (МБ/с),
1 ядро
7852 8387 8287 8281 8424
Макс. ПСП на запись (МБ/с),
1 ядро
4959 5337 5392 5342 5366
Средняя ПСП на чтение (МБ/с),
4 ядра
11715 12495 12720 12815 12110
Средняя ПСП на запись (МБ/с),
4 ядра
3945 4210 4153 4182 3810
Макс. ПСП на чтение (w/PF, МБ/с),
4 ядра
11700 12482 12680 12647 11976
Макс. ПСП на запись (NT, МБ/с),
4 ядра
6280 6697 6756 6788 6786
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс 31,9 29,9 30,4 30,1 29,5
Минимальная латентность случайного доступа*, нс 78,5 73,5 79,2 79,8 75,9

*размер блока 32 МБ

Поскольку едва ли кто-то будет приобретать высокочастотные модули для эксплуатации на сниженной частоте, в качестве минимального режима мы выбрали DDR2-1066 с основной схемой таймингов. Первоначально было установлено напряжение 2,1 В, но как оказалось, модули превосходно работали и при снижении напряжения до стандартного для DDR2-памяти уровня в 1,8 В.

Следующим этапом тестирования была проверка работоспособности в режиме DDR2-1142 с таймингами 5-5-5-15 и напряжении 2,1 В. Процессор был немного разогнан, однако система сохраняла стабильность без повышения каких-либо напряжений и снижения множителей.

В качестве дополнительной тестовой процедуры, мы решили выяснить минимальное напряжение для каждого режима, при котором система сохраняет стабильность. Как известно, снижение напряжения заметно сказывается на тепловыделении, энергопотреблении, а для модулей памяти способствует долговечности и надежности. И здесь нас ожидал приятный сюрприз, на максимальной частоте модули стабильно работали при 1,94 В, что для иных оверклокерских модулей является стартовым значением!

А попытки разогнать модули сверх рекомендованного максимума обнаружили очень незначительный частотный потенциал, не помогало ни смягчение таймингов, ни увеличение напряжения до 2,3 В. Практический результат ограничивался одним мегагерцем прироста частоты шины (с 214 до 215 МГц). Исключительно в познавательных целях, мы попробовали снова снижать напряжение и неожиданно получили стабильную работу при 216 МГц и напряжении, равном достигнутому в предыдущем пункте (1,94 В). Однако практической ценности такой режим не имеет, поскольку потребовавшееся смягчение таймингов нивелировало прирост пропускной способности, обеспечиваемой повышением частоты, за счет увеличения латентности. Лишь при многопоточном доступе, в максимальной степени утилизирующем пропускную способность памяти, обнаружился прирост.

Сравнение результатов, снятых на процессорах Phenom ревизии B2 (без использования TLB Patch) и ревизии B3 позволяет сделать лишь вывод о практической идентичности работы контроллера памяти в обоих случаях.

Мы привели также результат, ранее протестированного 2-гигабайтного комплекта модулей памяти от Chaintech, также достигшего в разгоне частоты DDR2-1150. В среднем, память Corsair показала более высокий результат, вернее в режиме однопоточного доступа успехи Chaintech оказались чуть выше, зато в многопоточном Corsair уверенно отыгрался. Соответственно, констатируем, что Corsair удалось добиться увеличения объема, сохранив характеристики модулей на уровне аналогичным образом разогнанных 2 ГБ модулей.

Итоги

Компания Corsair в очередной раз продемонстрировала свою направленность на выпуск продуктов, рассчитанных на тех, кто не согласен терпеть компромиссы и хочет «все сразу». А именно: желает установить 4 ГБ памяти двумя модулями, но при этом еще и поднять частоту до уровня оверклокерских 2 ГБ модулей. Надо признаться, мы не особо сомневались, еще до тестирования, что эта задача данным модулям по силам. Однако, оказалось, что бескомпромиссный покупатель может загадать еще одно желание — дополнительной приятной неожиданностью оказалась стабильная работоспособность модулей с максимальной частотой при напряжении всего 1,94 В.

Средняя текущая цена (количество предложений) в московской рознице:

Модули памяти Corsair Dominator TWIN2X4096-9136C5DF
2x2048MБ
 Н/Д(0)




Дополнительно

iXBT BRAND 2016

«iXBT Brand 2016» — Выбор читателей в номинации «Процессоры (CPU)»:
Подробнее с условиями участия в розыгрыше можно ознакомиться здесь. Текущие результаты опроса доступны тут.

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.