Мы продолжаем изучение важнейших характеристик высокоскоростных модулей DDR2 с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. Сегодня мы рассмотрим очередное топовое предложение от Corsair — модули памяти новой серии DOMINATOR неофициальных скоростных категорий «DDR2-1142» и «DDR2-1111», соответственно, призванные раскрыть потенциал новой платформы NVIDIA nForce 680i SLI.Информация о производителе модуля
Производитель модуля: Corsair Memory
Производитель микросхем модуля: неизвестен
Сайт производителя модуля: www.corsairmemory.com/corsair/xms2.htmlВнешний вид модулей
Дизайн модулей новой серии DOMINATOR (представлено фото модулей XMS2-9136C5D) претерпел существенные изменения. Прежде всего, эти изменения связаны с применением принципиально новой технологии охлаждения, именуемой Dual-path Heat Xchange (DHX(tm)). Суть этой технологии заключается в организации теплоотвода двумя путями — через выводы микросхем BGA на печатную плату (PCB) модуля, а также с корпуса микросхем BGA на высокоэффективные радиаторы из экструдированного алюминия.
Модули серии DOMINATOR могут также дополнительно охлаждаться новой системой DOMINATOR Airflow Fans, создающей прямой воздушный поток на модули памяти для улучшенного рассеивания тепла и активного отвода его от модулей памяти. В нашем случае, такая система охлаждения поставлялась в комплекте менее скоростных, но более «экстремальных» по значению таймингов (а также питающего напряжения) модулей памяти XMS2-8888C4D.Part Number модуля
XMS2-9136C5D
Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR2 серии XMS2 DOMINATOR на сайте производителя отсутствует.
В брошюре модулей TWIN2X2048-9136С5D указывается, что продукт представляет собой комплект из двух модулей CM2X1024-9136С5D объемом 1 ГБ каждый. Модули поддерживают открытый стандарт EPP (расширение SPD), совместно разработанный компаниями Corsair и NVIDIA и позволяющий автоматически настраивать модули на максимальное быстродействие на материнских платах, обладающих поддержкой этого стандарта. Производитель на 100% гарантирует функционирование модулей в режиме «DDR2-1142» при таймингах профиля EPP 5-5-5-15-2T и питающем напряжении 2.1 В (столь низкое питающее напряжение для столь высокочастотного режима достигается за счет технологии DHX). В то же время, в стандартной части SPD в качестве режима по умолчанию прописан максимальный стандартный режим DDR2-800 с таймингами 5-5-5-18.
XMS2-8888C4D
Модули памяти TWIN2X2048-8888С4D, как указывается в их брошюре, имеют вполне аналогичные характеристики — они представляют собой 2-ГБ комплект из двух 1-ГБ модулей CM2X1024-8888С4D и поддерживают стандарт EPP. Гарантируется 100% работоспособность модулей в режиме «DDR2-1111» при таймингах профиля EPP 4-4-4-12-2T. Столь экстремальные (для столь высокочастотного режима) значения таймингов достигаются отнюдь не бесплатно, они требуют поднятия питающего напряжения модулей до не менее экстремального значения 2.4 В, также прописанного в профиле EPP. По этому показателю данные модули памяти DDR2, можно сказать, уже вплотную приближаются к модулям памяти прежнего стандарта DDR, номинальное питающее напряжение которых составляет 2.5 В.Данные микросхемы SPD модулей
Описание общего стандарта SPD:
Описание специфического стандарта SPD для DDR2:
XMS2-9136C5D/XMS2-8888C4D
| Параметр | Байт | Значение | Расшифровка |
|---|---|---|---|
| Фундаментальный тип памяти | 2 | 08h | DDR2 SDRAM |
| Общее количество адресных линий строки модуля | 3 | 0Eh | 14 (RA0-RA13) |
| Общее количество адресных линий столбца модуля | 4 | 0Ah | 10 (CA0-CA9) |
| Общее количество физических банков модуля памяти | 5 | 61h | 2 физических банка |
| Внешняя шина данных модуля памяти | 6 | 40h | 64 бит |
| Уровень питающего напряжения | 8 | 05h | SSTL 1.8V |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X) | 9 | 25h | 2.50 нс (400.0 МГц) |
| Тип конфигурации модуля | 11 | 00h | Non-ECC |
| Тип и способ регенерации данных | 12 | 82h | 7.8125 мс — 0.5x сокращенная саморегенерация |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти | 13 | 08h | x8 |
| Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля | 14 | 00h | Не определено |
| Длительность передаваемых пакетов (BL) | 16 | 0Ch | BL = 4, 8 |
| Количество логических банков каждой микросхемы в модуле | 17 | 04h | 4 |
| Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) | 18 | 30h | CL = 5, 4 |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) | 23 | 37h | 3.70 нс (270.3 МГц) |
| Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) | 25 | 00h | Не определено |
| Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) | 27 | 32h | 12.5 нс 5.0, CL = 5 3.37, CL = 4 |
| Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD) | 28 | 1Eh | 7.5 нс 3.0, CL = 5 2.03, CL = 4 |
| Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) | 29 | 32h | 12.5 нс 5.0, CL = 5 3.37, CL = 4 |
| Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) | 30 | 2Dh | 45.0 нс 18.0, CL = 5 12.16, CL = 4 |
| Емкость одного физического банка модуля памяти | 31 | 80h | 512 МБ |
| Период восстановления после записи (tWR) | 36 | 3Ch | 15.0 нс 6.0, CL = 5 4.05, CL = 4 |
| Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR) | 37 | 1Eh | 7.5 нс 3.0, CL = 5 2.03, CL = 4 |
| Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP) | 38 | 1Eh | 7.5 нс 3.0, CL = 5 2.03, CL = 4 |
| Минимальное время цикла строки (tRC) | 41, 40 | 37h, 00h | 55.0 нс 22.0, CL = 5 14.86, CL = 4 |
| Период между командами саморегенерации (tRFC) | 42, 40 | 69h, 00h | 105.0 нс 42.0, CL = 5 28.38, CL = 4 |
| Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax) | 43 | 80h | 8.0 нс |
| Номер ревизии SPD | 62 | 12h | Ревизия 1.2 |
| Контрольная сумма байт 0-62 | 63 | 90h | 144 (верно) |
| Идентификационный код производителя по JEDEC | 64-71 | 7Fh, 7Fh, 9Eh | Corsair |
| Part Number модуля | 73-90 | — | CM2X1024-9136C5D CM2X1024-8888C4D |
| Дата изготовления модуля | 93-94 | FFh, FFh | Не определено |
| Серийный номер модуля | 95-98 | FFh, FFh, FFh, FFh | Не определено |
Содержимое стандартной части SPD для модулей XMS2-9136C5D и XMS2-8888C4D совпадает с точностью до Part Number — CM2X1024-9136C5D и CM2X1024-8888C4D, соответственно. Максимальный скоростной режим, на который рассчитаны модули, характеризуется временем цикла 2.5 нс (частота 400 МГц, режим DDR2-800). Этому режиму соответствует первое из поддерживаемых значений tCL = 5, а полная схема таймингов записывается в виде 5-5-5-18, что совпадает с характеристиками, заявленными производителем в краткой документации обоих модулей. Уменьшенному значению задержки сигнала CAS# (CL X-1 = 4) соответствует нестандартный период синхросигнала 3.7 нс, что соответствует частоте примерно 270 МГц — вероятно, под этим имеется в виду режим DDR2-533 с временем цикла 3.75 нс. Не совсем корректное значение периода синхросигнала приводит к нецелым значениям в схеме таймингов, которую можно записать (с округлением до десятых) как 4-3.4-3.4-12.2 и округлить в сторону больших целых значений до 4-4-4-13. Режим DDR2-533 на сегодня не является актуальным, в особенности для столь высокоскоростных модулей, так что эти значения вряд ли имеют смысл — на наш взгляд, их давно пора и вовсе исключить из содержимого SPD.
Идентификационный код производителя и Part Number модуля указаны верно, тем не менее, как и в остальных модулях Corsair, в микросхеме SPD настоящих модулей отсутствуют данные о дате изготовления и серийном номере модулей (в этих модулях они заполнены значениями FFh).
Рассмотрим теперь важнейшую информацию «нестандартной» части SPD, соответствующей профилям EPP и представленной байтами 99-127 содержимого SPD.
Описание стандарта EPP:
XMS2-9136C5D
| Параметр | Байт(ы) (биты) | Значение | Расшифровка |
|---|---|---|---|
| Строка идентификации EPP | 99-101 | 4E566Dh | Есть поддержка SPD EPP |
| Тип профилей EPP | 102 | B1h | Расширенные профили |
| Профиль оптимальной производительности | 103 (1:0) | 01h | Профиль 1 |
| Используемые профили | 103 (7:4) | 02h | Профиль 0: отсутствует Профиль 1: присутствует |
| Профиль №1 | |||
| Уровень питающего напряжения | 116 (6:0) | 0Ch | 2.1 V |
| Задержка передачи адреса (Addr CMD rate) | 116 (7) | 01h | 2T |
| Время цикла (tCK) | 121 | 1Dh | 1.75 нс (571.4 МГц) |
| Задержка CAS# (tCL) | 122 | 20h | 5 |
| Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) | 123 | 23h | 8.75 нс (5.0) |
| Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) | 124 | 23h | 8.75 нс (5.0) |
| Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) | 125 | 1Ah | 26.0 нс (14.9) |
| Период восстановления после записи (tWR) | 126 | 3Ch | 15.0 нс (8.6) |
| Минимальное время цикла строки (tRC) | 127 | 37h | 55.0 нс (31.4) |
Модули XMS2-9136C5D поддерживают стандарт EPP и содержат информацию о двух «расширенных» профилях, из которых лишь второй (профиль №1) является действительным и, естественно, помеченным как «оптимальный» (рекомендованный к использованию по умолчанию). Этот профиль соответствует режиму DDR2 со временем цикла 1.75 нс, то есть частотой 571 МГц, что как раз соответствует рейтингу «DDR2-1142». Схема таймингов этого профиля не может быть полностью представлена целыми числами и записывается как 5-5-5-14.9, что, очевидно, должно быть воспринято материнскими платами, поддерживающими EPP, как 5-5-5-15. Задержки адресно-командного интерфейса для этого профиля составляют значение 2T, а питающее напряжение модулей — 2.1 В.
XMS2-8888C4D
| Параметр | Байт(ы) (биты) | Значение | Расшифровка |
|---|---|---|---|
| Строка идентификации EPP | 99-101 | 4E566Dh | Есть поддержка SPD EPP |
| Тип профилей EPP | 102 | B1h | Расширенные профили |
| Профиль оптимальной производительности | 103 (1:0) | 01h | Профиль 1 |
| Используемые профили | 103 (7:4) | 02h | Профиль 0: отсутствует Профиль 1: присутствует |
| Профиль №1 | |||
| Уровень питающего напряжения | 116 (6:0) | 1Ch | 2.4 V |
| Задержка передачи адреса (Addr CMD rate) | 116 (7) | 01h | 2T |
| Время цикла (tCK) | 121 | 18h | 1.8 нс (555.5 МГц) |
| Задержка CAS# (tCL) | 122 | 10h | 4 |
| Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) | 123 | 1Dh | 7.25 нс (4.03) |
| Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) | 124 | 1Dh | 7.25 нс (4.03) |
| Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) | 125 | 15h | 21.0 нс (11.67) |
| Период восстановления после записи (tWR) | 126 | 3Ch | 15.0 нс (8.33) |
| Минимальное время цикла строки (tRC) | 127 | 37h | 55.0 нс (30.56) |
Модули XMS2-8886C4D имеют похожую конфигурацию EPP — лишь второй из двух «расширенных» профилей является активным и «оптимальным». Он соответствует режиму DDR2 со временем цикла 1.8 нс, то есть частотой 555.5 МГц и рейтингом «DDR2-1111». Схема таймингов вновь не может быть представлена целыми числами и записывается как 4-4.03-4.03-11.67, что по идее должно быть воспринято материнскими платами, поддерживающими EPP, как 4-4-4-12, однако при округлении в сторону большего целого возможна неоднозначность в виде схемы 4-5-5-12. Задержки адресно-командного интерфейса составляют значение 2T, а питающее напряжение модулей соответствует заявленному значению 2.4 В.Конфигурации тестовых стендов
Стенд №1
- Процессор: AMD Athlon 64 FX-62 (Socket AM2), номинальная частота 2.8 ГГц (200 x14)
- Чипсет: NVIDIA nForce 590 SLI
- Материнская плата: ASUS CROSSHAIR, версия BIOS 0203 от 09/12/2006
Стенд №2
- Процессор: Intel Core 2 Duo E6600, номинальная частота 2.4 ГГц (266 x9)
- Чипсет: NVIDIA nForce 680i SLI
- Материнская плата: NVIDIA nForce 680i reference board, версия BIOS от 10/20/2006
Испытание модулей XMS2-9136C5D проводилось на двух платформах, оборудованных процессорами AMD Athlon 64 FX-62 (материнская плата ASUS CROSSHAIR, стенд №1) и Intel Core 2 Duo E6600 (референсная материнская плата от NVIDIA с чипсетом nForce 680i, стенд №2), соответственно. Обе материнские платы поддерживают стандарт EPP, обеспечивая совместимость с рассматриваемыми модулями. Ввиду ограниченности тестирования по времени, модули XMS2-8888C4D исследовались лишь на второй из перечисленных выше платформ.
Во всех случаях испытания модулей проводились в следующих режимах:
1. Номинальный: штатная частота процессора, частота памяти 400 МГц (DDR2-800), информация профиля EPP либо не используется (стенд №1), либо используется для тонких настроек различных временных и электрических характеристик, тогда как частота шины памяти устанавливается вручную (стенд №2).
2. Оптимальный, соответствующий использованию профиля EPP, но не допускающий разгона процессора (только для платформы AMD, стенд №1).
3. Оптимальный, допускающий разгон процессора и позволяющий достичь максимальной рекомендованной частоты памяти.
4. Режим максимального разгона памяти по частоте, допускающий разгон процессора.
XMS2-9136C5D
| Параметр | Стенд №1 | Стенд №2 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Частота процессора, МГц (частота FSB x FID) | 2800 (200x12) | 2800 (280x10) | 2860 (286x10) | 3000 (300x10) | 2400 (266x9) | 2400 (266x9) | 2400 (266x9) |
| Частота памяти, МГц (DDR2 МГц) | 400 (800) | 560 (1120) | 572 (1144) | 600 (1200) | 400 (800) | 568 (1136) | 600 (1200) |
| Тайминги памяти по умолчанию, напряжение | 5-5-5-18- 2T, 2.1V | 5-5-5-15- 2T, 2.3V | 5-5-5-15- 2T, 2.3V | 5-5-5-15- 2T, 2.3V | 5-4-4-11- 1T, 2.1V | 5-5-5-15- 2T, 2.1V | 5-6-6-16- 2T, 2.3V |
| Минимальные тайминги памяти, напряжение | 3-4-3-2T, 2.3V | 5-5-4-2T, 2.3V | — | — | 4-4-3-1T, 2.3V | — | — |
| Средняя ПСП на чтение, ГБ/с, 1 ядро | 4.23 (4.52) | 4.84 (4.84) | 4.94 | 5.19 | 7.40 (7.52) | 7.65 | 7.65 |
| Средняя ПСП на запись, ГБ/с, 1 ядро | 3.56 (3.60) | 4.01 (3.99) | 4.10 | 4.28 | 2.89 (2.90) | 3.00 | 3.05 |
| Макс. ПСП на чтение, ГБ/с, 1 ядро | 8.60 (9.14) | 9.40 (9.38) | 9.55 | 10.07 | 7.56 (7.69) | 7.67 | 7.67 |
| Макс. ПСП на запись, ГБ/с, 1 ядро | 8.05 (8.10) | 8.05 (8.07) | 8.22 | 8.62 | 4.88 (4.88) | 4.88 | 4.88 |
| Средняя ПСП на чтение, ГБ/с, 2 ядра | 7.01 (7.70) | 8.26 (8.38) | 8.45 | 8.83 | — | — | — |
| Средняя ПСП на запись, ГБ/с, 2 ядра | 4.10 (4.27) | 5.24 (5.33) | 5.45 | 5.59 | — | — | — |
| Макс. ПСП на чтение, ГБ/с, 2 ядра | 8.71 (9.79) | 11.19 (11.27) | 11.42 | 11.93 | — | — | — |
| Макс. ПСП на запись, ГБ/с, 2 ядра | 7.37 (7.62) | 7.71 (7.76) | 7.93 | 8.27 | — | — | — |
| Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 26.7 (23.6) | 22.1 (22.1) | 21.7 | 20.5 | 49.0 (48.7) | 46.9 | 47.0 |
| Минимальная латентность случайного доступа*, нс | 68.3 (60.6) | 63.2 (65.1) | 62.2 | 59.0 | 74.2 (71.8) | 70.4 | 70.2 |
*размер блока 32 МБ
В режиме DDR2-800 рассматриваемая платформа на базе процессора AMD Athlon 64 FX-62 (стенд №1) использует стандартную схему таймингов 5-5-5-18-2T, записанную в стандартную часть содержимого SPD. Минимальные значения таймингов, которые удается достичь в этом случае, при поднятии питающего напряжения модулей до разумного уровня (2.3 В), составляют 3-4-3-2T. Заметим, что система оказывается внешне работоспособной и при более жесткой схеме таймингов 3-3-3-2T, однако в этом случае достаточно быстро возникают ошибки в работе памяти, проявляемые в RightMark Memory Stability Test. Использование «экстремальной» схемы таймингов способствует ощутимому возрастанию максимальной реальной ПСП (с 8.60 до 9.14 ГБ/с при чтении данных одним потоком, с 8.71 до 9.79 ГБ/с — двумя потоками) и снижению задержек (с 68.3 до 60.6 нс при случайном доступе).
Во втором случае (режим максимальной производительности, но с запретом на разгон процессора) в связи с указанным ограничением частота памяти несколько не достигает значения, заданного производителем, и составляет 560 МГц (режим «DDR2-1120», частота процессора 2.8x10 = 2800 МГц, делитель частоты памяти 5). Схема таймингов соответствует заявленной в EPP — 5-5-5-15-2T, однако для стабильной работы модулей памяти на такой частоте на данной платформе (стенд №1) нам потребовалось несколько увеличить питающее напряжение модулей — с рекомендованного производителем значения 2.1 В до 2.3 В. В этих условиях (при напряжении 2.3 В) удается достичь схемы таймингов 5-5-4-2T, однако, как видно из приведенных выше данных, это практически не сказывается на скоростных характеристиках подсистемы памяти.
Применение режима максимальной производительности с возможностью разгона процессора позволяет достичь максимальной частоты памяти, которая в нашем случае составила даже несколько большее значение — 572 МГц (режим «DDR2-1144» при частоте процессора 286x10 = 2860 МГц). Как и в предыдущем случае, потребовалось увеличение питающего напряжения модулей памяти с 2.1 до 2.3 В. Минимально достижимая схема таймингов в этом случае совпадает с номинальной (5-5-5-15-2T). Как и следовало ожидать, скоростные характеристики подсистемы памяти получают некоторое преимущество по сравнению с рассмотренным выше случаем без разгона процессора, которое оказывается пропорциональным фактору разгона процессора (2.86/2.80 ГГц — порядка 2%).
Задавшись целью максимального разгона памяти по частоте, на платформе AMD нам удалось достичь тактовой частоты памяти 600 МГц (то есть режим «DDR2-1200») при частоте процессора 300x10 = 3000 МГц и минимальном делителе частоты памяти, равном 5, и сохранении стандартной схемы таймингов 5-5-5-15-2T. Максимальная реальная ПСП при этом составляет весьма значительное значение — 11.93 ГБ/с при чтении данных двумя потоками, относительное увеличение ПСП по сравнению с «номинальным» режимом данных модулей («DDR2-1144») составляет примерно 4.5% при относительном разгоне процессора примерно 4.9%.
Несколько иначе обстоят дела на платформе Intel Core 2 Duo & NVIDIA nForce 680i (стенд №2) — как по части настроек, так и по части полученных результатов. Прежде всего, в стандартном режиме DDR2-800 рассматриваемая платформа использует собственные настройки подсистемы памяти, не совпадающие с данными SPD/EPP — схему таймингов 5-4-4-11 при величине задержек командного интерфейса 1T (ее отличие от 2T для платформы AMD вполне естественно — этот параметр связан исключительно с характеристиками чипсета/контроллера памяти, но не модулей памяти). Величины максимальной реальной ПСП (мы приводим результаты только для однопоточного режима обращения к памяти, так как при двухпоточном обращении полученный результат неожиданно оказался хуже!) оказываются меньшими по сравнению с полученными выше для платформы AMD. Более того, на них практически не оказывает влияние понижение таймингов памяти. В нашем случае минимально возможной схемой таймингов оказалась схема 4-4-3-1T при напряжении 2.3 В, выставление схем типа 3-3-3-1T и даже 4-3-3-1T сопровождалось возникновением ошибок, вплоть до невозможности загрузки ОС.
Режим «DDR2-1136» (то есть частота памяти 568 МГц), указанный в профиле EPP, был достигнут без разгона процессора благодаря возможности довольно гибкой настройки асинхронного режима работы чипсета nForce 680i — отношение частоты шины памяти к частоте системной шине на этом чипсете может принимать различные значения (в данном случае — 32/15 = 2.133) с достаточно малым шагом (1/15), которому соответствует шаг изменения частоты памяти порядка 18 МГц. Схема таймингов в этом случае совпадает с данными EPP — 5-5-5-15-2T, питающее напряжение модулей — 2.1 В, причем его дальнейшего повышения на данной платформе, в отличие от рассмотренной выше платформы AMD, не требуется. Несмотря на значительное повышение частоты памяти (с 400 до 568 МГц), различий в величинах ПСП и латентности между этими двумя режимами работы оказывается... практически незаметным! А это говорит о том, что использование столь высокоскоростной памяти на данной платформе (с не самым высокоскоростным процессором Intel Core 2 Duo E6600) оказывается совершенно неоправданным.
Как бы там ни было, мы оценили возможность разгона рассматриваемых модулей по частоте и на этой платформе. Максимальная частота памяти здесь также оказалась равной 600 МГц, причем схема таймингов в этом случае оказалась автоматически экстраполирована, исходя из стандартных значений, до 5-6-6-16-2T.
XMS2-8888C4D
| Параметр | Стенд №2 | ||
|---|---|---|---|
| Частота процессора, МГц (частота FSB x FID) | 2400 (266x9) | 2500 (278x9) | 2400 (266x9) |
| Частота памяти, МГц (DDR2 МГц) | 400 (800) | 555 (1111) | 622 (1244) |
| Тайминги памяти по умолчанию, напряжение | 4-3-3-9-2T, 2.4V | 4-5-5-12-2T, 2.4V | 5-5-5-14-2T, 2.4V |
| Минимальные тайминги памяти, напряжение | 3-3-2-2T, 2.4V | 4-4-3-2T, 2.4V | — |
| Средняя ПСП на чтение, ГБ/с, 1 ядро | 7.55 (7.72) | 7.92 (7.95) | 7.69 |
| Средняя ПСП на запись, ГБ/с, 1 ядро | 2.99 (3.05) | 3.16 (2.94) | 3.15 |
| Макс. ПСП на чтение, ГБ/с, 1 ядро | 7.70 (7.76) | 7.94 (7.97) | 7.74 |
| Макс. ПСП на запись, ГБ/с, 1 ядро | 4.88 (4.88) | 5.08 (5.08) | 4.88 |
| Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс | 48.7 (46.8) | 45.1 (45.1) | 47.0 |
| Минимальная латентность случайного доступа*, нс | 70.2 (66.5) | 67.5 (67.3) | 66.4 |
*размер блока 32 МБ
Исследование модулей XMS2-8888C4D проводилось лишь на платформе Intel Core 2 Duo & NVIDIA nForce 680i. Аналогично, модули исследовались в трех режимах: официальном DDR2-800, рекомендованном производителем «DDR2-1111», а также при максимальном разгоне памяти по частоте.
В первом случае схема таймингов составила значения 4-3-3-9-2T, которые, по-видимому, были получены экстраполяцией значений из единственного профиля EPP модулей по частоте в сторону ее уменьшения. В то же время, минимально возможные значения таймингов оказались значительно более «экстремальными» — 3-3-2-2T (чипсет nForce 680i позволяет выставлять значения tCL, tRCD и tRP вплоть до 1(!), причем выставление таких значений, нетипичных для DDR2, действительно оказывает влияние на функционирование подсистемы памяти). Однако и в этом случае уменьшение таймингов оказывает достаточно малое влияние на скоростные характеристики памяти.
Для обеспечения возможности функционирования модулей XMS2-8888C4D в заявленном производителем режиме «DDR2-1111» (то есть при частоте 555 МГц) потребовался разгон процессора по шине до частоты 2.5 ГГц (частота шины 278 МГц), поскольку именно такой частоте шины соответствует ближайший возможный коэффициент отношения частоты памяти (555 МГц) к частоте системной шины (278 МГц), равный 2.0. Схема таймингов в этом случае составила 4-5-5-12-2T, против ожидаемой 4-4-4-12-2T. Таким образом, предположение, сделанное выше при описании содержимого EPP рассматриваемых модулей, оказалось верным: записанная в EPP схема, выражаемая в вещественных числах как примерно 4-4.03-4.03-11.67, действительно округляется в сторону больших целых значений до 4-5-5-12. Конечно, ничего не мешает изменить ее вручную в желаемую сторону, тем более что модули остаются стабильно работоспособными даже при схеме 4-4-3-2T. Повышение частоты процессора незамедлительно сказывается на скоростных характеристиках памяти — так, максимальные значения реальной ПСП возрастают (по сравнению с предыдущим случаем) с 7.70 до 7.94 ГБ/с, то есть примерно на 3.1% при относительном разгоне процессора на 4.2%. Использование меньших таймингов несколько увеличивает показатели ПСП, однако такое изменение нельзя назвать значительным.
Наконец, в последнем случае, целью которого было достижение максимально возможной частоты функционирования изучаемых модулей памяти, частота системной шины была возвращена на прежний уровень (266 МГц), а частота шины памяти плавно повышалась. Модули оказались устойчиво работоспособными при частоте 622 МГц (то есть в режиме «DDR2-1244») при таймингах 5-5-5-14-2T, тогда как дальнейшее увеличение частоты примерно до 640 МГц («DDR2-1280») приводило к серьезным сбоям в работе подсистемы памяти. Как и в рассматриваемом выше случае модулей XMS2-9136C5D, разгон модулей XMS2-8888C4D по частоте практически не влияет на скоростные характеристики подсистемы памяти, поскольку на данной платформе они явно лимитированы не самым высокоскоростным процессором Intel Core 2 Duo E6600.
Итоги
Исследованные модули памяти Corsair новой серии DOMINATOR соответствуют уровню, привычному для модулей данного производителя. Они обладают достаточно хорошей совместимостью с использованными в настоящем исследовании платформами, поддерживающими стандарт EPP, и обладают солидным «запасом прочности», то есть возможностью значительного разгона как по таймингам в штатных условиях, так и по частоте. Минимально достижимые схемы таймингов в стандартном режиме DDR2-800 достаточно сильно зависят от типа платформы, вместе с максимально достижимыми частотами они приведены далее в сводной таблице.
| Модули памяти | Платформа | Мин. тайминги (DDR2-800) | Макс. частота, МГц (DDR2) |
|---|---|---|---|
| XMS2-9136C5D | AMD «AM2», nForce 590 SLI | 3-4-3-2T (2.3 В) | 600 (1200) |
| Intel Core 2 Duo, nForce 680i SLI | 4-4-3-1T (2.3 В) | 600 (1200) | |
| XMS2-8888C4D | Intel Core 2 Duo, nForce 680i SLI | 3-3-2-2T (2.4 В) | 622 (1244) |
Что касается раскрытия скоростного потенциала столь высокоскоростных модулей, наше исследование показывает, что в некоторой степени (так как теоретический максимум памяти DDR2-800+ по-прежнему недостижим) его можно ожидать на платформе AMD с топовым процессором Athlon 64 FX-62. В то же время, использование модулей столь высокой скоростной категории на платформах «средней» конфигурации, вроде использованного нами тестового стенда с процессором Intel Core 2 Duo E6600 (2.4 ГГц), было бы большой ошибкой, ибо для таких платформ даже DDR2-800 оказывается более чем достаточно.
Напоследок, нельзя не упомянуть и о некоторых недостатках, выявленных в ходе исследования. Так, первые из рассматриваемых модулей XMS2-9136C5D для устойчивого функционирования в рекомендованном производителем режиме «DDR2-1142» на платформе AMD потребовали увеличения питающего напряжения с заявленного производителем 2.1 В до 2.3 В, тогда как для модулей XMS2-8888C4D на платформе Intel Core 2 Duo/NVIDIA nForce 680i по умолчанию была выставлена несколько более консервативная схема таймингов 4-5-5-12-2T (против заявленной 4-4-4-12-2T), связанная с ошибками округления данных профиля EPP. Тем не менее, будем надеяться, что подобные недостатки присущи лишь первым, ранним ревизиям модулей серии DOMINATOR и будут устранены в дальнейшем.
Средняя текущая цена (количество предложений) в московской рознице:
| Модули памяти Corsair DOMINATOR DDR2-1142 2 x 1ГБ (TWIN2X2048-9136C5D) | Н/Д(0) |
| Модули памяти Corsair DOMINATOR DDR2-1111 2 x 1ГБ (TWIN2X2048-8888C4D) | Н/Д(0) |
представительством компании Corsair Memory
