Модули памяти Chaintech Apogee GT DDR2-800+ (PC2-6400) с низкими задержками


Сегодня мы рассмотрим модули от компании Chaintech, хорошо известной нашим читателям, как производитель видеокарт и ранее — системных плат. Перед нами комплект небольшого по современным меркам объема — всего 1 ГБ, однако, такой объем все еще актуален для пользователей компьютеров в скромной конфигурации, не торопящихся с переходом на MS Vista, а предпочитающих Windows XP и Linux, вдобавок, модули имеют сниженные тайминги и систему охлаждения, напоминающую запатентованную Corsair DHX, однако без дополнительного контакта с печатной платой модуля, а лишь с поверхностью чипов.



Информация о производителе модуля

Производитель модуля: Walton Chaintech Corporation
Производитель микросхем модуля: неизвестен
Сайт производителя модуля: Walton Chaintech

Внешний вид модуля

Part Number модуля

Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR2 на сайте производителя отсутствует. Из более чем краткого описания на сайте и по обозначениям на самих модулях, можно заключить, что продукт представляет собой комплект из двух модулей с низкими задержками (CL4) объемом 512 KБ каждый, основанных на 16 микросхемах в BGA-упаковке с конфигурацией 64M x 8. Производитель гарантирует стабильную работу модулей в режиме DDR2-800 при таймингах 4-4-4-12 и питающем напряжении 1,95 В, а также DDR2-900 при таймингах 5-5-5-15 и напряжении 2,1 В. В микросхеме SPD в качестве режима по умолчанию выбран режим DDR2-800 со схемой таймингов 5-5-5-15 и напряжением питания 1,8 В.

Данные микросхемы SPD модуля

Описание общего стандарта SPD:

Описание специфического стандарта SPD для DDR2:

Параметр Байт Значение Расшифровка
Фундаментальный тип памяти 2 08h DDR2 SDRAM
Общее количество адресных линий строки модуля 3 0Eh 14 (RA0-RA13)
Общее количество адресных линий столбца модуля 4 0Ah 10 (CA0-CA9)
Общее количество физических банков модуля памяти 5 60h 1 физический банк
Внешняя шина данных модуля памяти 6 40h 64 бит
Уровень питающего напряжения 8 05h SSTL 1.8V
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при максимальной задержке CAS# (CL X) 9 25h 2.50 нс (400 МГц)
Тип конфигурации модуля 11 00h Non-ECC
Тип и способ регенерации данных 12 02h Очевидно, «имелось в виду» 82h, что соответствует значению 7.8125 мс — 0.5x сокращенная саморегенерация
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти 13 08h x8
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля 14 00h Не определено
Длительность передаваемых пакетов (BL) 16 0Ch BL = 4, 8
Количество логических банков каждой микросхемы в модуле 17 04h 4
Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) 18 38h CL = 5, 4, 3
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) 23 3Dh 3.75 нс (266.7 МГц)
Минимальная длительность периода синхросигнала (tCK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) 25 50h 5.00 нс (200.0 МГц)
Минимальное время подзарядки данных в строке (tRP) 27 32h 12.5 нс
5, CL = 5
3.33, CL = 4
2.5, CL = 3
Минимальная задержка между активизацией соседних строк (tRRD) 28 1Eh 7.5 нс
3, CL = 5
2, CL = 4
1.5, CL = 3
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (tRCD) 29 32h 12.5 нс
5, CL = 5
3.33, CL = 4
2.5, CL = 3
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (tRAS) 30 25h 37.0 нс
15, CL = 5
10, CL = 4
7.4, CL = 3
Емкость одного физического банка модуля памяти 31 80h 512 МБ
Период восстановления после записи (tWR) 36 3Ch 15.0 нс
6, CL = 5
4, CL = 4
3, CL = 3
Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (tWTR) 37 1Eh 7.5 нс
3, CL = 5
2, CL = 4
1.5, CL = 3
Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (tRTP) 38 1Eh 7.5 нс
3, CL = 5
2, CL = 4
1.5, CL = 3
Минимальное время цикла строки (tRC) 41, 40 39h, 30h 57.5 нс
23, CL = 5
15.3, CL = 4
11.5, CL = 3
Период между командами саморегенерации (tRFC) 42, 40 69h, 30h 105.0 нс
42, CL = 5
28, CL = 4
21, CL = 3
Максимальная длительность периода синхросигнала (tCKmax) 43 80h 8.0 нс
Номер ревизии SPD 62 12h Ревизия 1.2
Контрольная сумма байт 0-62 63 D3h 211 (верно)
Идентификационный код производителя по JEDEC 64-71 00h, 00h Не определено
Part Number модуля 73-90 NU5108E32-800P100
Дата изготовления модуля 93-94 07h, 10h 2007 год, 16 неделя
Серийный номер модуля 95-98 F0h, 31h,
0Bh, 14h
140B31F0h

В SPD поддерживаются все три возможных значения задержки сигнала CAS# — 5, 4 и 3. Первому (CL X = 5) соответствует режим функционирования DDR2-800 (время цикла 2.5 нс, частота 400 МГц) со схемой таймингов 5-5-5-15 (ровно), второму значению задержки сигнала CAS# (CL X-1 = 4) соответствует режим DDR2-533 (время цикла 3.75 нс, частота 266.7 МГц) с нестандартной схемой таймингов 4-3,27-3,27-10. Наконец, последнему значению задержки сигнала CAS# (CL X-2 = 3) соответствует режим DDR2-400, также с «нецелой» схемой таймингов 3-2,5-2,5-7,4

Довольно странно отсутствие достаточно распространенного режима DDR2-667, тем более, что вручную установить такой режим с типичной схемой таймингов 4-4-4-12 на стандартном напряжении не составило труда.

Номер ревизии SPD и контрольная сумма указаны верно, идентификационный код производителя отсутствует, а серийный номер модуля и Part Number модуля не полностью соответствуют указанному на самих модулях.

Поддержка расширений SPD стандарта EPP в рассматриваемых модулях не предусмотрена.

Конфигурация тестового стенда

  • Процессор: AMD Athlon 64 X2 4000+ (Socket AM2), 2.0 ГГц (200 x10)
  • Чипсет: NVIDIA nForce 590 SLI
  • Материнская плата: ASUS M2N32 WS Professional, версия BIOS 1601 от 08/10/2007

Результаты исследования

Испытание модулей проводилось в двух «направлениях». В первом случае задача состояла в достижении максимальной частоты при использовании минимальной рекомендованной схемы таймингов (4-4-4-12), для чего мы протестировали модули сначала на рекомендованном напряжении 1,95 В, а затем повышали частоту FSB и напряжение, в качестве предельного значения напряжения были установлены 2,3 В, относительно безопасные для современных чипов DDR2 (при условии достаточного теплоотвода). Во втором случае мы установили рекомендованную повышенную частоту, соответствующую DDR2-900 в сочетании со схемой таймингов 5-5-5-15 и напряжением 2,1 и также увеличивали частоту и напряжение (до 2,3 В), чтобы выяснить частотный предел данных модулей.

  Chaintech Apogee GT DDR2-800+
Частота процессора, МГц
(частота FSB x FID)
2000
(200x10)
2000
(200x10)
2120
(212x10)
2250
(225x10)
2330
(233x10)
Частота памяти, МГц
(DDR2 МГц)
400
(800)
400
(800)
424
(848)
450
(900)
466
(932)
Тайминги памяти по умолчанию, напряжение 5-5-5-15-1T,
1,8 В
4-4-4-12-1T,
1,95 В
4-4-4-12-1T,
2,3 В
5-5-5-15-2T,
2,1 В
5-5-5-15-2T,
2,3 В
Минимальные тайминги памяти, напряжение (не изучалось) те же,
вплоть до 2,3 В
(не изучалось) те же,
вплоть до 2,3 В
(не изучалось)
Средняя ПСП на чтение (МБ/с),
1 ядро
3494 3608 3802 3857 3997
Средняя ПСП на запись (МБ/с),
1 ядро
1982 2053 2165 2211 2295
Макс. ПСП на чтение (МБ/с),
1 ядро
6605 6617 6982 7198 7453
Макс. ПСП на запись (МБ/с),
1 ядро
5706 5717 6033 6380 6607
Средняя ПСП на чтение (МБ/с),
2 ядра
6315 6506 6924 6778 7008
Средняя ПСП на запись (МБ/с),
2 ядра
3106 3197 3412 3222 3347
Макс. ПСП на чтение (w/PF, МБ/с),
2 ядра
9260 9811 10367 9620 9913
Макс. ПСП на запись (NT, МБ/с),
2 ядра
5184 5604 5924 5762 5970
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс 30,4 29,0 27,5 28,4 27,4
Минимальная латентность случайного доступа*, нс 87,8 85,2 80,7 82,1 79,3
DOOM III (Low@640×480), fps 114,8 116,2 123,1 127,2 131,7
FarCry (Low@640×480), fps 166,7 170,0 178,8 182,1 188,3

*размер блока 32 МБ

Модули памяти порадовали стабильной работой в режиме сниженных таймингов, и не только продемонстрировали разгон до 424 МГц, но и оказались способными работать на такой частоте при установленном в 1T параметре задержек командного интерфейса. В то же время, на частоте 450 МГц, несмотря на установку стандартных таймингов 5-5-5-15, стабильная работа оказалась возможна лишь при значении 2T, да и максимальная частота, достигнутая в разгоне при повышении напряжения, не впечатлила, всего на 16 МГц выше номинальной.

Однако, если обратиться к объективным результатам RMMA, оказывается, что из двух рекомендованных производителем режимов, второй (DDR2-900) по всем параметрам, в том числе с учетом латентности, превосходит первый, несмотря на использование «невыдающихся» таймингов во втором случае. Аналогичные выводы получаются и при сравнении обоих разогнанных режимов.

Вполне естественно, что и тесты в играх подкрепляют этот вывод, поскольку в данном случае дополнительное влияние на результат оказывает повышенная частота процессора в режимах с частотой памяти выше 400 МГц.

Итоги

Несмотря на то, что активные пользователи уже вовсю приглядываются к комплектам памяти объемом 2 и даже 4 ГБ, определенный спрос на модули относительно небольшого объема сохраняется, по той простой причине, что большинству использующих компьютер под управлением Windows XP или Linux для работы и, в меньшей степени, игр, по-прежнему вполне достаточно 1 ГБ памяти. Помимо разницы в стоимости, модули небольшого объема, как правило, имеют лучшие характеристики латентности и позволяют задавать на стандартной частоте (DDR2-800) наиболее жесткие тайминги, что порадует тех пользователей, которые не желают повышать частоту процессора выше номинальной, однако, не прочь выжать из памяти весь потенциал. В то же время, для тех, кто не испытывает предубеждение в отношении разгона, более правильной стратегией является максимально возможный подъем частоты памяти, пусть даже при использовании смягченной формулы таймингов.

Средняя текущая цена (количество предложений) в московской рознице:

Модули памяти Chaintech Apogee GT DDR2-800+
2x512MБ
 Н/Д(0)




Дополнительно

iXBT BRAND 2016

«iXBT Brand 2016» — Выбор читателей в номинации «Процессоры (CPU)»:
Подробнее с условиями участия в розыгрыше можно ознакомиться здесь. Текущие результаты опроса доступны тут.

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.